| rdfs:comment
| - アバランシェフォトダイオード（英: avalanche photodiode）とは、アバランシェ増倍と呼ばれる現象を利用して受光感度を上昇させたフォトダイオードである。略称はAPD。 半導体中に大きな電場があると、光子の衝突によって発生する電子が加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子を弾き出す。ここで弾き出された電子は電場によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す。この連鎖によって、移動する電子が爆発的に増える現象をアバランシェ増幅と呼ぶ。 アバランシェ増幅によって微弱な光でも大きな電位変化を引き起こせるため、フォトダイオードの受光感度を大きく上昇させることが可能になる。一般のフォトダイオードの価格が数百円～であるのに対し、従来100万円以上と非常に高価であったが最近になって1万円程度の物も販売されている（2007年4月）。 ちなみに、アバランシェとは雪崩のこと。 主要なメーカーには浜松ホトニクス、、松定プレシジョンなどが挙げられる。 (ja)
- Un fotodiodo a valanga, brevemente detto APD (dall'inglese Avalanche PhotoDiode), è un particolare tipo di fotodiodo che funziona come sensore ottico in grado di riconoscere una determinata lunghezza d'onda e di trasformare questo evento in un segnale elettrico di corrente amplificandolo al suo interno. Dal punto di vista circuitale, il fotodiodo a valanga è quasi identico al fotodiodo. I fotodiodi a valanga sono utilizzati come trasduttori di destinazione nelle fibre ottiche. Essi in questi casi generano correnti proporzionali al numero di fotoni che arriva dalla fibra ottica. (it)
- Лави́нные фотодио́ды (ЛФД; англ. avalanche photodiode — APD) — высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие свет в электрический сигнал за счёт фотоэффекта. Их можно рассматривать в качестве фотоприёмников, обеспечивающих внутреннее усиление посредством эффекта лавинного умножения. С функциональной точки зрения они являются твердотельными аналогами фотоумножителей. Лавинные фотодиоды обладают большей чувствительностью по сравнению с другими полупроводниковыми фотоприёмниками, что позволяет использовать их для регистрации малых световых мощностей (≲ 1 нВт). (ru)
- Lavinová fotodioda je velmi citlivý polovodičový fotodetektor. Při použití bývá předepnuta vysokým závěrným napětím řádu desítek až stovek voltů, často těsně pod průrazovým napětím, což umožňuje dosáhnout zisku okolo 100 až 1000. V tomto režimu jsou elektrony a díry excitované dopadem fotonů urychlovány silným vnitřním elektrickým polem a podobně jako ve fotonásobičích generují další nosiče, vzniká lavinový jev. Lavinová fotodioda. (cs)
- Avalanche-Photodioden bzw. Lawinenphotodioden (englisch avalanche photodiode, APD), sind hochempfindliche, schnelle Photodioden und zählen zu den Avalanche-Dioden. Sie nutzen den inneren photoelektrischen Effekt zur Ladungsträgererzeugung und den Lawinendurchbruch (Avalanche-Effekt) zur internen Verstärkung. Sie können als das Halbleiteräquivalent zum Photomultiplier betrachtet werden und finden Anwendung bei der Detektierung sehr geringer Strahlungsleistungen, bis hin zu einzelnen Photonen, mit erreichbaren Grenzfrequenzen bis in den Gigahertz-Bereich. Die höchste spektrale Empfindlichkeit liegt dabei je nach verwendetem Material in einem Bereich von ca. 250–1700 nm, wobei von einem Diodentyp immer nur ein Teilbereich abgedeckt werden kann. Eine Mischung aus Photomultipliern und Avalanche (de)
- An avalanche photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor photodiode detector that exploits the photoelectric effect to convert light into electricity. From a functional standpoint, they can be regarded as the semiconductor analog of photomultiplier tubes. The avalanche photodiode (APD) was invented by Japanese engineer Jun-ichi Nishizawa in 1952. However, study of avalanche breakdown, microplasma defects in silicon and germanium and the investigation of optical detection using p-n junctions predate this patent. Typical applications for APDs are laser rangefinders, long-range fiber-optic telecommunication, and quantum sensing for control algorithms. New applications include positron emission tomography and particle physics. It was discovered in 2020 that adding graphene layer can p (en)
- Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden considerar como el equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando un alto voltaje en inversa (típicamente 100-200 V en silicio), los APD muestran un efecto interno de ganancia de corriente (aproximadamente 100) debido a la (Efecto avalancha). Sin embargo, algunos APD de silicio emplean un dopaje alternativo y otras técnicas que permiten aplicar un voltaje mayor (> 1500 V) antes de alcanzar el efecto de avalancha y, por tanto, una ganancia mayor (> 1000). En general, cuanto mayor es el voltaje en inversa, mayor es la ganancia. Entre las distintas expresiones para el factor de multiplicación de los APD (M), una expresión instructiva viene dada por la fórmula (es)
- Fotodioda lawinowa – rodzaj fotodiody, element półprzewodnikowy oparty na złączu p-n z warstwą zaporową. Podobnie jak w zwykłej fotodiodzie, w wyniku zjawiska fotowoltaicznego, oświetlone złącze p-n staje się źródłem siły elektromotorycznej lub fotoprądu. Wydajność takiego źródła jest jednak niewielka. Sytuacja zmienia się jednak diametralnie, gdy to samo złącze zostanie spolaryzowane odpowiednio wysokim napięciem wstecznym (przeciwnie do kierunku przewodzenia diody). W powstałym w wyniku polaryzacji złącza polu elektrycznym uwolnione fotoelektrony są przyspieszane i powodują wybijanie kolejnych elektronów - ich liczba rośnie lawinowo (stąd nazwa diody). Pierwotny fotoprąd zostaje w ten sposób wzmocniony od kilku do kilku milionów razy (zależnie od przyłożonego napięcia). (pl)
- Avalanche Photo Diode (APD) är en halvledarbasered fotodetektor som omvandlar ljus till elektricitet. APD:ns fördel framför andra fotodetektorer är att den har en högre respons, det vill säga att den ger ifrån sig mer ström än en vanlig fotodetektor vid samma ljusintensitet. Indium-galliumarsenidbaserade APD:er används bland annat i fiberoptiska nät för data- och telekommunikation över långa avstånd, typiskt längre än 40 km. (sv)
- 雪崩光电二极管(APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 V），利用（雪崩击穿）效应，可在APD中获得一个大约100的内部电流增益。某些硅APD采用了不同于传统APD的掺杂等技术，允许加上更高的电压(>1500 V)而不致击穿，从而可获得更大的增益(>1000)。一般来说，反向电压越高，增益就越大。APD倍增因子M的计算公式很多，一个常用的公式为 其中L是电子的空间电荷区的长度，而是电子和空穴的倍增系数，该系数取决于场强、温度、掺杂浓度等因素。由于APD的增益与反向偏置和温度的关系很大，因此有必要对反向偏置电压进行控制，以保持增益的稳定。雪崩光电二极管的灵敏度高于其它半导体光电二极管。 为获得更高的增益（105–106），某些APD可以工作在反向电压超出击穿电压的区域。此时，必须对APD的信号电流加以限制并迅速将其清为零，为此可采用各种主动或被动的电流清零技术。这种高增益的工作方式称为Geiger方式，它特别适用于对单个光子的检测，只要暗计数率足够低。 APD主要用于和长距离光纤通信，此外也开始被用于正电子断层摄影和粒子物理等领域 [1]。APD阵列也已被商业化。 (zh)
|
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)