About: Franz–Keldysh effect     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : dbo:Organisation, within Data Space : dbpedia.demo.openlinksw.com associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.demo.openlinksw.com/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2FFranz%E2%80%93Keldysh_effect&invfp=IFP_OFF&sas=SAME_AS_OFF&graph=http%3A%2F%2Fdbpedia.org&graph=http%3A%2F%2Fdbpedia.org

The Franz–Keldysh effect is a change in optical absorption by a semiconductor when an electric field is applied. The effect is named after the German physicist Walter Franz and Russian physicist Leonid Keldysh. Karl W. Böer observed first the shift of the optical absorption edge with electric fields during the discovery of high-field domains and named this the Franz-effect. A few months later, when the English translation of the Keldysh paper became available, he corrected this to the Franz–Keldysh effect.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • Franz-Keldysh-Effekt (de)
  • Franz–Keldysh effect (en)
  • フランツ・ケルディシュ効果 (ja)
  • Эффект Франца — Келдыша (ru)
  • 法兰兹-卡尔迪西效应 (zh)
  • Ефект Франца-Келдиша (uk)
rdfs:comment
  • Der Franz-Keldysh-Effekt (FKE) ist eine Änderung der Fundamentalabsorption eines Halbleiters in Anwesenheit eines elektrischen Feldes. Er wurde 1957/58 nahezu zeitgleich von Walter Franz und Leonid Keldysch beschrieben und 1960 erstmals von Richard Williams an Cadmiumsulfid (CdS) beobachtet. Eine weitergehende Erklärung erfolgte 1964 durch Keldysch. (de)
  • フランツ・ケルディシュ効果(‐こうか、Franz-Keldysh effect)とは、光物性の分野における物理現象の1つ。発見者は、ドイツの物理学者と、ロシアの物理学者。 半導体に光が入射した時、通常は光のエネルギーがバンドギャップよりも高くなければ吸収は起こらない。この時の光の最小エネルギーを基礎と呼ぶ。半導体に高い電界を印加すると、基礎吸収端は長波長側に移動する。この現象がフランツ・ケルディシュ効果である。半導体中の電子の波動関数がバンドギャップにしみ出すことによって起こる。 電界によって半導体の誘電率を変化させることができるため、変調分光法など光学的な物性測定に利用されている。 (ja)
  • 法兰兹-卡尔迪西效应(英語:Franz-Keldysh effect)是指在强电场(一般在百伏电压)作用下,导致半导体吸收边形状的改变,及引起其折射率相应变化的现象。它是德国物理学家和俄国物理学家莱奥尼德·卡尔迪西于1957-1958年间先后独立发现的。而以他们二人的名字命名。 卡尔·波尔最先观察到光的吸收边随电场大小而改变。但自法兰兹和卡尔迪西二人发现高场下光吸收边改变的现象后,则把半导体吸收边随电场变化的现象称为法兰兹-卡尔迪西效应。 法兰兹-卡尔迪西效应和量子阱的斯托卡效应二者都可用作电-吸收调制器。但用法兰兹-卡尔迪西效应制造调制器要求外加的电压高达百伏量级,不适用于商业。 (zh)
  • The Franz–Keldysh effect is a change in optical absorption by a semiconductor when an electric field is applied. The effect is named after the German physicist Walter Franz and Russian physicist Leonid Keldysh. Karl W. Böer observed first the shift of the optical absorption edge with electric fields during the discovery of high-field domains and named this the Franz-effect. A few months later, when the English translation of the Keldysh paper became available, he corrected this to the Franz–Keldysh effect. (en)
  • Эффект Франца — Келдыша — явление изменения поглощения света полупроводником в электрическом поле, в частности появления поглощения на частотах, меньших ширины запрещённой зоны полупроводника. Объяснение эффекта состоит в том, что в электрическом поле волновые функции квазичастиц уже не описываются более плоскими волнами, а описываются функциями Эйри и для них существует классически недоступная область пространства. Хвосты функций Эйри для электронов и дырок в классически недоступной области могут перекрываться даже для состояний с разницей энергий, меньшей ширины запрещённой зоны. При отсутствии поля зоны энергии квазипостоянны, с наложением электрического поля они искривляются, электрону легче перейти в зону проводимости. Область пересечения волновых функций квазичастиц определяет вероят (ru)
  • Ефект Франца-Келдиша — явище зміни поглинання світла напівпровідником в електричному полі, зокрема появи поглинання на частотах, менших від ширини забороненої зони напівпровідника. Пояснення ефекта в тому, що в електричному полі хвильові функції квазічастинок не описуються більше плоскими хвилями, а функціями Ейрі і для них існує класично недоступна область простору. Хвости функцій Ейрі для електронів та дірок у класично недоступній області можуть перекриватися навіть для станів з різницею енергій, меншою від ширини забороненої зони. (uk)
dcterms:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
sameAs
dbp:wikiPageUsesTemplate
has abstract
  • Der Franz-Keldysh-Effekt (FKE) ist eine Änderung der Fundamentalabsorption eines Halbleiters in Anwesenheit eines elektrischen Feldes. Er wurde 1957/58 nahezu zeitgleich von Walter Franz und Leonid Keldysch beschrieben und 1960 erstmals von Richard Williams an Cadmiumsulfid (CdS) beobachtet. Eine weitergehende Erklärung erfolgte 1964 durch Keldysch. (de)
  • The Franz–Keldysh effect is a change in optical absorption by a semiconductor when an electric field is applied. The effect is named after the German physicist Walter Franz and Russian physicist Leonid Keldysh. Karl W. Böer observed first the shift of the optical absorption edge with electric fields during the discovery of high-field domains and named this the Franz-effect. A few months later, when the English translation of the Keldysh paper became available, he corrected this to the Franz–Keldysh effect. As originally conceived, the Franz–Keldysh effect is the result of wavefunctions "leaking" into the band gap. When an electric field is applied, the electron and hole wavefunctions become Airy functions rather than plane waves. The Airy function includes a "tail" which extends into the classically forbidden band gap. According to Fermi's golden rule, the more overlap there is between the wavefunctions of a free electron and a hole, the stronger the optical absorption will be. The Airy tails slightly overlap even if the electron and hole are at slightly different potentials (slightly different physical locations along the field). The absorption spectrum now includes a tail at energies below the band gap and some oscillations above it. This explanation does, however, omit the effects of excitons, which may dominate optical properties near the band gap. The Franz–Keldysh effect occurs in uniform, bulk semiconductors, unlike the quantum-confined Stark effect, which requires a quantum well. Both are used for electro-absorption modulators. The Franz–Keldysh effect usually requires hundreds of volts, limiting its usefulness with conventional electronics – although this is not the case for commercially available Franz–Keldysh-effect electro-absorption modulators that use a waveguide geometry to guide the optical carrier. (en)
  • フランツ・ケルディシュ効果(‐こうか、Franz-Keldysh effect)とは、光物性の分野における物理現象の1つ。発見者は、ドイツの物理学者と、ロシアの物理学者。 半導体に光が入射した時、通常は光のエネルギーがバンドギャップよりも高くなければ吸収は起こらない。この時の光の最小エネルギーを基礎と呼ぶ。半導体に高い電界を印加すると、基礎吸収端は長波長側に移動する。この現象がフランツ・ケルディシュ効果である。半導体中の電子の波動関数がバンドギャップにしみ出すことによって起こる。 電界によって半導体の誘電率を変化させることができるため、変調分光法など光学的な物性測定に利用されている。 (ja)
  • Ефект Франца-Келдиша — явище зміни поглинання світла напівпровідником в електричному полі, зокрема появи поглинання на частотах, менших від ширини забороненої зони напівпровідника. Пояснення ефекта в тому, що в електричному полі хвильові функції квазічастинок не описуються більше плоскими хвилями, а функціями Ейрі і для них існує класично недоступна область простору. Хвости функцій Ейрі для електронів та дірок у класично недоступній області можуть перекриватися навіть для станів з різницею енергій, меншою від ширини забороненої зони. Явище назване на честь німецького фізика та російського фізика , які відкрили його в 1957-1958 роках. (uk)
  • Эффект Франца — Келдыша — явление изменения поглощения света полупроводником в электрическом поле, в частности появления поглощения на частотах, меньших ширины запрещённой зоны полупроводника. Объяснение эффекта состоит в том, что в электрическом поле волновые функции квазичастиц уже не описываются более плоскими волнами, а описываются функциями Эйри и для них существует классически недоступная область пространства. Хвосты функций Эйри для электронов и дырок в классически недоступной области могут перекрываться даже для состояний с разницей энергий, меньшей ширины запрещённой зоны. При отсутствии поля зоны энергии квазипостоянны, с наложением электрического поля они искривляются, электрону легче перейти в зону проводимости. Область пересечения волновых функций квазичастиц определяет вероятность перехождения электрона. Явление названо в честь немецкого физика и советского физика Леонида Келдыша, которые открыли его в 1957—1958 годах. (ru)
  • 法兰兹-卡尔迪西效应(英語:Franz-Keldysh effect)是指在强电场(一般在百伏电压)作用下,导致半导体吸收边形状的改变,及引起其折射率相应变化的现象。它是德国物理学家和俄国物理学家莱奥尼德·卡尔迪西于1957-1958年间先后独立发现的。而以他们二人的名字命名。 卡尔·波尔最先观察到光的吸收边随电场大小而改变。但自法兰兹和卡尔迪西二人发现高场下光吸收边改变的现象后,则把半导体吸收边随电场变化的现象称为法兰兹-卡尔迪西效应。 法兰兹-卡尔迪西效应和量子阱的斯托卡效应二者都可用作电-吸收调制器。但用法兰兹-卡尔迪西效应制造调制器要求外加的电压高达百伏量级,不适用于商业。 (zh)
gold:hypernym
prov:wasDerivedFrom
page length (characters) of wiki page
foaf:isPrimaryTopicOf
is Link from a Wikipage to another Wikipage of
is Wikipage redirect of
is known for of
is known for of
is foaf:primaryTopic of
Faceted Search & Find service v1.17_git139 as of Feb 29 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3330 as of Mar 19 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (378 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software