For power semiconductor devices (such as BJT, MOSFET, thyristor or IGBT), the safe operating area (SOA) is defined as the voltage and current conditions over which the device can be expected to operate without self-damage. Often, in addition to the continuous rating, separate SOA curves are also plotted for short duration pulse conditions (1 ms pulse, 10 ms pulse, etc.).
| Attributes | Values |
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| - Diagrama SOA (ca)
- SOAR-Diagramm (de)
- Área de operación segura (es)
- Safe operating area (pl)
- Safe operating area (en)
- 安全工作区 (zh)
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| rdfs:comment
| - Das SOAR-Diagramm (Safe Operating Area) gibt den sicheren Arbeitsbereich für Leistungstransistoren, Triacs und Thyristoren an. (de)
- Safe Operating Area, SOA, obszar bezpieczny pracy – obszar prądowo-napięciowy, w którym przyrząd może pracować bez ryzyka przebicia elektrycznego lub uszkodzenia w efekcie samonagrzewania. (pl)
- 安全工作区（英語：Safe operating area, SOA），是指功率半导体器件（例如双极性晶体管、场效应管、晶闸管以及绝缘栅双极晶体管）能够按照预期正常工作而不會造成損壞时的电压電流等條件的範圍。 在半导体器件产品的手册或datasheet裡，安全工作区通常以图像的形式标明，以電晶體為例，安全工作区標示图的横坐标是 VCE（集电极-发射极电压）、纵坐标是 ICE（集电极-发射极电流），而安全工作区的范围即为图中曲线与坐标轴所包围的區域。这一邊界曲线中結合了器件的以下各項工作限制：最大电压、最大电流、與最大耗散電功率，而這些限制中也包含了對结的温度、内部熱阻、晶粒焊线的载流能力和二次击穿這幾項因素的考慮。 除了可依照連續工作條件畫出安全區域之外，也可以另針對脈波（例如：1mS 或 10mS）的瞬間工作條件作出脈波下的安全工作區域。 (zh)
- Para los dispositivos semiconductores de potencia (como BJT, MOSFET, tiristor o Transistor IGBT), el área de operación segura (en inglés, Safe Operating Area , SOA), se define como las condiciones de tensión y corriente sobre las cuales se puede esperar que el dispositivo funcione sin auto-daño. A menudo, además de la valoración continua, se establecen curvas SOA separadas para condiciones de corta duración del pulso (pulso de 1 ms, pulso de 10 ms, etc.). (es)
- For power semiconductor devices (such as BJT, MOSFET, thyristor or IGBT), the safe operating area (SOA) is defined as the voltage and current conditions over which the device can be expected to operate without self-damage. Often, in addition to the continuous rating, separate SOA curves are also plotted for short duration pulse conditions (1 ms pulse, 10 ms pulse, etc.). (en)
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| - Das SOAR-Diagramm (Safe Operating Area) gibt den sicheren Arbeitsbereich für Leistungstransistoren, Triacs und Thyristoren an. (de)
- Para los dispositivos semiconductores de potencia (como BJT, MOSFET, tiristor o Transistor IGBT), el área de operación segura (en inglés, Safe Operating Area , SOA), se define como las condiciones de tensión y corriente sobre las cuales se puede esperar que el dispositivo funcione sin auto-daño. El SOA se refleja generalmente en las hojas de datos del transistor como un gráfico con VCE (tensión de colector-emisor) en el eje de abscisas y ICE (corriente colector-emisor) en el eje de ordenadas; la 'zona' segura se refiere al área bajo la curva. La especificación SOA combina las diversas limitaciones del dispositivo - máxima tensión, corriente, potencia, , segunda ruptura - en una curva, lo que permite el diseño simplificado de los circuitos de protección. A menudo, además de la valoración continua, se establecen curvas SOA separadas para condiciones de corta duración del pulso (pulso de 1 ms, pulso de 10 ms, etc.). La curva del área de operación segura es una representación gráfica de la capacidad de manejo de potencia del dispositivo en diversas condiciones. La curva de la SOA tiene en cuenta la capacidad de portadora del enlace por hilo, la temperatura de la unión del transistor, la disipación de la corriente interna y las limitaciones de descomposiciones secundarias. (es)
- For power semiconductor devices (such as BJT, MOSFET, thyristor or IGBT), the safe operating area (SOA) is defined as the voltage and current conditions over which the device can be expected to operate without self-damage. SOA is usually presented in transistor datasheets as a graph with VCE (collector-emitter voltage) on the abscissa and ICE (collector-emitter current) on the ordinate; the safe 'area' referring to the area under the curve. The SOA specification combines the various limitations of the device — maximum voltage, current, power, junction temperature, secondary breakdown — into one curve, allowing simplified design of protection circuitry. Often, in addition to the continuous rating, separate SOA curves are also plotted for short duration pulse conditions (1 ms pulse, 10 ms pulse, etc.). The safe operating area curve is a graphical representation of the power handling capability of the device under various conditions. The SOA curve takes into account the wire bond current carrying capability, transistor junction temperature, internal power dissipation and secondary breakdown limitations. (en)
- Safe Operating Area, SOA, obszar bezpieczny pracy – obszar prądowo-napięciowy, w którym przyrząd może pracować bez ryzyka przebicia elektrycznego lub uszkodzenia w efekcie samonagrzewania. (pl)
- 安全工作区（英語：Safe operating area, SOA），是指功率半导体器件（例如双极性晶体管、场效应管、晶闸管以及绝缘栅双极晶体管）能够按照预期正常工作而不會造成損壞时的电压電流等條件的範圍。 在半导体器件产品的手册或datasheet裡，安全工作区通常以图像的形式标明，以電晶體為例，安全工作区標示图的横坐标是 VCE（集电极-发射极电压）、纵坐标是 ICE（集电极-发射极电流），而安全工作区的范围即为图中曲线与坐标轴所包围的區域。这一邊界曲线中結合了器件的以下各項工作限制：最大电压、最大电流、與最大耗散電功率，而這些限制中也包含了對结的温度、内部熱阻、晶粒焊线的载流能力和二次击穿這幾項因素的考慮。 除了可依照連續工作條件畫出安全區域之外，也可以另針對脈波（例如：1mS 或 10mS）的瞬間工作條件作出脈波下的安全工作區域。 (zh)
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