About: LDMOS     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : owl:Thing, within Data Space : dbpedia.demo.openlinksw.com associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.demo.openlinksw.com/c/8mC9SEArqG

LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor) is a planar double-diffused MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) used in amplifiers, including microwave power amplifiers, RF power amplifiers and audio power amplifiers. These transistors are often fabricated on p/p+ silicon epitaxial layers. The fabrication of LDMOS devices mostly involves various ion-implantation and subsequent annealing cycles. As an example, the drift region of this power MOSFET is fabricated using up to three ion implantation sequences in order to achieve the appropriate doping profile needed to withstand high electric fields.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • موسفت جانبي الانتشار (ar)
  • LDMOS (ca)
  • LDMOS (en)
  • 横向扩散金属氧化物半导体 (zh)
rdfs:comment
  • 横向扩散金属氧化物半导体(英語:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,缩写:LDMOS)经常被用于微波/射频电路,制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器,原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件(如GaAs場效電晶體)相比,LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、(VIS)、英飞凌、RFMD、飞思卡尔(Freescale)等。 (zh)
  • LDMOS (موسفت جانبي الانتشار أو أشباه الموصلات ذات أكسيد الفلز المنتشر جانبياً) عبارة عن موسفت مستو مزدوج الإنتشار (ترانزستور يعتبر تأثير المجال فيه من أكسيد الفلز أشباه الموصلات) المستخدم في مكبرات الصوت، بما في ذلك طاقة الميكروويف مضخمات التردد الراديوي ومضخمات القدرة الصوتية. غالبًا ما يتم تصنيع هذه الترانزستورات على طبقات فوقية من السيليكون p / p +. يتضمن تصنيع أجهزة LDMOS في الغالب غرس أيوني مختلف ودورات تلدين لاحقة. على سبيل المثال، تم تصنيع منطقة الإنجراف لهذه الطاقة موسفت باستخدام ما يصل إلى ثلاثة تسلسلات لزرع الأيونات من أجل تحقيق ملف المنشطات المناسب اللازم لتحمل المجالات الكهربائية العالية. (ar)
  • LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor) is a planar double-diffused MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) used in amplifiers, including microwave power amplifiers, RF power amplifiers and audio power amplifiers. These transistors are often fabricated on p/p+ silicon epitaxial layers. The fabrication of LDMOS devices mostly involves various ion-implantation and subsequent annealing cycles. As an example, the drift region of this power MOSFET is fabricated using up to three ion implantation sequences in order to achieve the appropriate doping profile needed to withstand high electric fields. (en)
rdfs:seeAlso
foaf:depiction
  • http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/BLF2045.jpg
  • http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/BLF861A.jpg
  • http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/BLF861A_die_photo.jpg
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Faceted Search & Find service v1.17_git147 as of Sep 06 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3332 as of Dec 5 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (378 GB total memory, 64 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software