About: 10 µm process     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : yago:Whole100003553, within Data Space : dbpedia.demo.openlinksw.com associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.demo.openlinksw.com/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2F10_µm_process&invfp=IFP_OFF&sas=SAME_AS_OFF

The 10 μm process is the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercially reached around 1971, by leading semiconductor companies such as RCA and Intel.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • عملية 10 ميكرومتر (ar)
  • 10 µm process (en)
  • Proceso de 10 µm (es)
  • 10 µm (it)
  • 10 µm (fr)
  • 10 µm 공정 (ko)
  • 10 µm (pt)
  • 10微米制程 (zh)
rdfs:comment
  • عملية 10 ميكرومتر عملية 10 ميكرومتر (بالإنجليزية: 10 µm process)‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1971 و1972 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل. (ar)
  • The 10 μm process is the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercially reached around 1971, by leading semiconductor companies such as RCA and Intel. (en)
  • El proceso de 10 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos en los años 1971 y 1972 por las principales empresas de semiconductores como Intel.​ (es)
  • 10 µm (ou encore 10 000 nm) est un processus de fabrication appartenant à la technologie des semi-conducteurs. Cette technologie a été atteinte par Intel, la principale industrie de semi-conducteurs dans les années 1971-1972. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 3 µm. (fr)
  • 10 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 10 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1971년에서 1972년 경 인텔과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
  • 10 µm (o 10000 nanometri) è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questa tecnologia fu raggiunta da Intel, la principale industria di semiconduttori, negli anni 1971-1972. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 3 µm. (it)
  • O processo de 10 μm é o nível de tecnologia de processamento de semicondutor MOSFET que foi comercialmente atingiu cerca de 1971, por empresas de semicondutores principais tais como RCA e Intel. Em 1960, o engenheiro egípcio Mohamed M. Atalla e o engenheiro coreano Dawon Kahng, enquanto trabalhavam na Bell Labs, demonstraram os primeiros transistores MOSFET com comprimentos de porta de 20 μm e, em seguida, 10 μm. Em 1969, a Intel lançou o chip 1101 MOS SRAM com um processo de 12 μm. (pt)
  • 10 µm制程是半导体制造制程的一个水平,大约于1971年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 (zh)
dcterms:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Link from a Wikipage to an external page
sameAs
dbp:wikiPageUsesTemplate
list
  • MOSFET semiconductor device fabrication process (en)
next
prev
has abstract
  • عملية 10 ميكرومتر عملية 10 ميكرومتر (بالإنجليزية: 10 µm process)‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1971 و1972 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل. (ar)
  • The 10 μm process is the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercially reached around 1971, by leading semiconductor companies such as RCA and Intel. (en)
  • El proceso de 10 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos en los años 1971 y 1972 por las principales empresas de semiconductores como Intel.​ (es)
  • 10 µm (ou encore 10 000 nm) est un processus de fabrication appartenant à la technologie des semi-conducteurs. Cette technologie a été atteinte par Intel, la principale industrie de semi-conducteurs dans les années 1971-1972. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 3 µm. (fr)
  • 10 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 10 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1971년에서 1972년 경 인텔과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
  • 10 µm (o 10000 nanometri) è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questa tecnologia fu raggiunta da Intel, la principale industria di semiconduttori, negli anni 1971-1972. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 3 µm. (it)
  • O processo de 10 μm é o nível de tecnologia de processamento de semicondutor MOSFET que foi comercialmente atingiu cerca de 1971, por empresas de semicondutores principais tais como RCA e Intel. Em 1960, o engenheiro egípcio Mohamed M. Atalla e o engenheiro coreano Dawon Kahng, enquanto trabalhavam na Bell Labs, demonstraram os primeiros transistores MOSFET com comprimentos de porta de 20 μm e, em seguida, 10 μm. Em 1969, a Intel lançou o chip 1101 MOS SRAM com um processo de 12 μm. (pt)
  • 10 µm制程是半导体制造制程的一个水平,大约于1971年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 (zh)
gold:hypernym
prov:wasDerivedFrom
page length (characters) of wiki page
foaf:isPrimaryTopicOf
is Link from a Wikipage to another Wikipage of
is Wikipage redirect of
Faceted Search & Find service v1.17_git139 as of Feb 29 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3330 as of Mar 19 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (378 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software