The 1 μm process refers to the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercialized around the 1984–1986 timeframe, by leading semiconductor companies like NTT, NEC, Intel and IBM. It was the first process where CMOS was common (as opposed to NMOS). The earliest MOSFET with a 1 μm NMOS channel length was fabricated by a research team led by Robert H. Dennard, Hwa-Nien Yu and F.H. Gaensslen at the IBM T.J. Watson Research Center in 1974.
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - عملية 1ميكرومتر (ar)
- 1 µm process (en)
- Proceso de 1 µm (es)
- 1 µm (it)
- 1 µm (fr)
- 1 µm 공정 (ko)
- 1 µm (pt)
- 1微米制程 (zh)
|
| rdfs:comment
| - عملية 1 ميكرومتر عملية 1 ميكرومتر (بالإنجليزية: 1 µm process) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود عام 1985 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي بي إم. (ar)
- The 1 μm process refers to the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercialized around the 1984–1986 timeframe, by leading semiconductor companies like NTT, NEC, Intel and IBM. It was the first process where CMOS was common (as opposed to NMOS). The earliest MOSFET with a 1 μm NMOS channel length was fabricated by a research team led by Robert H. Dennard, Hwa-Nien Yu and F.H. Gaensslen at the IBM T.J. Watson Research Center in 1974. (en)
- El proceso de 1 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producida en el año 1985 por las principales empresas de semiconductores como Intel e IBM.Es el primer proceso en el que CMOS es común. (es)
- 1 µm (ou encore 1 000 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 1,5 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1985 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 800 nm. (fr)
- 1 µm (1000 nanometri o 1,0 µm) evoluzione del precedente processo a 1.5 µm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto intorno al 1985 dalle principali industrie di semiconduttori come Intel e IBM. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 800 nanometri. (it)
- 1 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 1 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1985년 경 인텔, IBM과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- O processo de 1 μm se refere ao nível de tecnologia de processo de semicondutor MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1984 a 1986, por empresas líderes de semicondutores como NTT, NEC, Intel e IBM. Foi o primeiro processo em que o CMOS era comum (em oposição ao NMOS). O primeiro MOSFET com um comprimento de canal NMOS de 1 μm foi fabricado por uma equipe de pesquisa liderada por Robert H. Dennard, e F.H. Gaensslen no IBM T.J. Watson Research Center em 1974. (pt)
- 1 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1985年至1986年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。这是第一个以CMOS为主的制程。 (zh)
|
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| has abstract
| - عملية 1 ميكرومتر عملية 1 ميكرومتر (بالإنجليزية: 1 µm process) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود عام 1985 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي بي إم. (ar)
- The 1 μm process refers to the level of MOSFET semiconductor process technology that was commercialized around the 1984–1986 timeframe, by leading semiconductor companies like NTT, NEC, Intel and IBM. It was the first process where CMOS was common (as opposed to NMOS). The earliest MOSFET with a 1 μm NMOS channel length was fabricated by a research team led by Robert H. Dennard, Hwa-Nien Yu and F.H. Gaensslen at the IBM T.J. Watson Research Center in 1974. (en)
- El proceso de 1 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producida en el año 1985 por las principales empresas de semiconductores como Intel e IBM.Es el primer proceso en el que CMOS es común. (es)
- 1 µm (ou encore 1 000 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 1,5 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1985 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 800 nm. (fr)
- 1 µm (1000 nanometri o 1,0 µm) evoluzione del precedente processo a 1.5 µm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto intorno al 1985 dalle principali industrie di semiconduttori come Intel e IBM. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 800 nanometri. (it)
- 1 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 1 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1985년 경 인텔, IBM과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- O processo de 1 μm se refere ao nível de tecnologia de processo de semicondutor MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1984 a 1986, por empresas líderes de semicondutores como NTT, NEC, Intel e IBM. Foi o primeiro processo em que o CMOS era comum (em oposição ao NMOS). O primeiro MOSFET com um comprimento de canal NMOS de 1 μm foi fabricado por uma equipe de pesquisa liderada por Robert H. Dennard, e F.H. Gaensslen no IBM T.J. Watson Research Center em 1974. (pt)
- 1 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1985年至1986年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。这是第一个以CMOS为主的制程。 (zh)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is Wikipage redirect
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)