The 800 nanometer (800 nm) process refers to the level of semiconductor process technology that was reached in the 1989–1990 timeframe, by most leading semiconductor companies, such as Intel, ATI Technologies, and IBM.
| Attributes | Values |
|---|
| rdfs:label
| - عملية 800 نانومتر (ar)
- 800 nm process (en)
- 800 nanómetros (es)
- 800 nm (fr)
- 800 nm (it)
- 800 nm 공정 (ko)
- 800 nanômetros (pt)
- 800纳米制程 (zh)
|
| rdfs:comment
| - عملية 800 نانومتر (بالإنجليزية: 800 nm process ) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1989–1990 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي بي إم. (ar)
- The 800 nanometer (800 nm) process refers to the level of semiconductor process technology that was reached in the 1989–1990 timeframe, by most leading semiconductor companies, such as Intel, ATI Technologies, and IBM. (en)
- 800 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de la industria de los semiconductores alcanzado en los años de 1989 y 1990 por las principales empresas de dicho sector, tales como Intel e IBM. (es)
- 800 nm (ou encore 0,8 µm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 1 µm. Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1989-1990 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 600 nm. (fr)
- 800 nm(나노미터) 공정 또는 0.8 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 800 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1989년 경 NTT, NEC, 도시바, IBM, 히타치, 마츠시타, 미쓰비시 일렉트릭, 인텔 등의 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- L'800 nm (800 nanometri o 0,80 µm) evoluzione del precedente processo a 1 µm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto negli anni 1989-1990 dalle principali industrie di semiconduttori come Intel e IBM. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 600 nanometri. (it)
- O processo de 800 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi alcançado por volta do período de 1987 a 1990, por empresas líderes de semicondutores como NTT, NEC, Toshiba, IBM, Hitachi, Matsushita, Mitsubishi Electric e Intel. (pt)
- 800纳米制程，又稱0.8微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1989年至1990年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 (zh)
|
| dct:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| list
| - CMOS manufacturing processes (en)
|
| next
| |
| prev
| |
| has abstract
| - عملية 800 نانومتر (بالإنجليزية: 800 nm process ) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1989–1990 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي بي إم. (ar)
- The 800 nanometer (800 nm) process refers to the level of semiconductor process technology that was reached in the 1989–1990 timeframe, by most leading semiconductor companies, such as Intel, ATI Technologies, and IBM. (en)
- 800 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de la industria de los semiconductores alcanzado en los años de 1989 y 1990 por las principales empresas de dicho sector, tales como Intel e IBM. (es)
- 800 nm (ou encore 0,8 µm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 1 µm. Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1989-1990 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 600 nm. (fr)
- 800 nm(나노미터) 공정 또는 0.8 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 800 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1989년 경 NTT, NEC, 도시바, IBM, 히타치, 마츠시타, 미쓰비시 일렉트릭, 인텔 등의 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- L'800 nm (800 nanometri o 0,80 µm) evoluzione del precedente processo a 1 µm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto negli anni 1989-1990 dalle principali industrie di semiconduttori come Intel e IBM. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 600 nanometri. (it)
- O processo de 800 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi alcançado por volta do período de 1987 a 1990, por empresas líderes de semicondutores como NTT, NEC, Toshiba, IBM, Hitachi, Matsushita, Mitsubishi Electric e Intel. (pt)
- 800纳米制程，又稱0.8微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1989年至1990年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 (zh)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is Wikipage redirect
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)