The germanium alloy-junction transistor, or alloy transistor, was an early type of bipolar junction transistor, developed at General Electric and RCA in 1951 as an improvement over the earlier grown-junction transistor.
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - ترانزستور الوصلة المسبوكة (ar)
- Legierungstransistor (de)
- Alloy-junction transistor (en)
- Transistor de aleación (es)
- Transistor sambungan-paduan (in)
- Germanowy tranzystor stopowy (pl)
|
| rdfs:comment
| - Der Begriff Legierungstransistor bezeichnet eine Herstellungsform eines Flächentransistors, einer speziellen Form des Bipolartransistors. Er wurde 1952 von General Electric als Verbesserung des gezogenen Transistors (engl. grown junction transistor) entwickelt. (de)
- Pertemuan-paduan adalah proses pembuatan transistor yang pertama kali berhasil secara komersial. Meskipun beberapa dan audio masih dibuat dengan cara ini, metode ini sekarang sudah terdesak oleh . (in)
- Germanowy tranzystor stopowy to tranzystor stopowy wykonany z cienkiej płytki słabo domieszkowanego germanu będącego bazą z wtopionymi w temperaturze około 550 °C po przeciwnych stronach kulkami metalu. Wtopienie metalu zmienia typ półprzewodnika na przeciwny, tworząc obszary emitera i kolektora. (pl)
- ترانزستور الوصلة ذو سبيكة الجرمانيوم، أو الترانزستور السبيكي، هو نوعًا مبكرًا من ترانزستور الوصلات ثنائي القطب تم تطويره في جنرال إلكتريك وشركة راديو أمريكا في عام 1951 كتحسين على الترانزستور النامي في وقت سابق. (ar)
- The germanium alloy-junction transistor, or alloy transistor, was an early type of bipolar junction transistor, developed at General Electric and RCA in 1951 as an improvement over the earlier grown-junction transistor. (en)
- El transistor de aleación es uno de los primeros transistores de unión, fabricado a partir de germanio fundido. El CK722 de Raytheon es un transistor de aleación. Posteriormente, también se fabricaron transistores de aleación de silicio. El procedimiento de fabricación se deriva directamente del método de Czochralski para obtención de monocristales. Se diferencia en que, a medida que el monocristal va creciendo se introducen impurezas donantes en el crisol para convertir el germanio tipo p en tipo n para la base. Cuando se tiene el grosor de base necesario, se añaden más impurezas aceptoras para volver nuevamente a germanio tipo p. (es)
|
| foaf:depiction
| |
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| thumbnail
| |
| Link from a Wikipa... related subject.
| |
| has abstract
| - ترانزستور الوصلة ذو سبيكة الجرمانيوم، أو الترانزستور السبيكي، هو نوعًا مبكرًا من ترانزستور الوصلات ثنائي القطب تم تطويره في جنرال إلكتريك وشركة راديو أمريكا في عام 1951 كتحسين على الترانزستور النامي في وقت سابق. البناء المعتاد لترانزستور الوصلات السبائكية هو بلورة الجرمانيوم التي تشكل القاعدة، مع حبات من سبائك الباعث والمجمع مدمجة على جوانب متقابلة. تم استخدام الإنديوم والأنتيمون بشكل شائع لتشكيل تقاطعات سبيكة على شريط من الجرمانيوم من النوع N. يبلغ قطر بيليه الوصلة المجمعة حوالي 50 مل (جزء من الألف من البوصة)، ويبلغ قطر الحبيبات الباعثة حوالي 20 مل. ستكون منطقة القاعدة في حدود 1 مل (0.001 بوصة، 25 ميكرومتر) سميكة. كانت هناك عدة أنواع من ترانزستورات الوصلات السبائكية المُحسَّنة التي تم تطويرها على مر السنين التي تم تصنيعها فيها. أصبحت جميع أنواع ترانزستورات الوصلات السبائكية قديمة وعفا عليها الزمن في أوائل الستينيات، مع إدخال الترانزستور المستوي الذي يمكن إنتاجه بكميات كبيرة بسهولة بينما كان يجب تصنيع ترانزستورات الوصلات السبائكية بشكل فردي. كانت أول ترانزستورات الجرمانيوم المستوية ذات خصائص أسوأ بكثير من ترانزستورات الجرمانيوم ذات الوصلات السبائكية في تلك الفترة ، لكنها كانت تكلفتها أقل بكثير، وتحسنت خصائص الترانزستورات المستوية بسرعة كبيرة، متجاوزة بسرعة تلك الموجودة في جميع ترانزستورات الجرمانيوم السابقة. (ar)
- The germanium alloy-junction transistor, or alloy transistor, was an early type of bipolar junction transistor, developed at General Electric and RCA in 1951 as an improvement over the earlier grown-junction transistor. The usual construction of an alloy-junction transistor is a germanium crystal forming the base, with emitter and collector alloy beads fused on opposite sides. Indium and antimony were commonly used to form the alloy junctions on a bar of N-type germanium. The collector junction pellet would be about 50 mils (thousandths of an inch) in diameter, and the emitter pellet about 20 mils. The base region would be on the order of 1 mil (0.001 inches, 25 μm) thick. There were several types of improved alloy-junction transistors developed over the years that they were manufactured. All types of alloy-junction transistors became obsolete in the early 1960s, with the introduction of the planar transistor which could be mass-produced easily while alloy-junction transistors had to be made individually. The first germanium planar transistors had much worse characteristics than alloy-junction germanium transistors of the period, but they cost much less, and the characteristics of planar transistors improved very rapidly, quickly exceeding those of all earlier germanium transistors. (en)
- Der Begriff Legierungstransistor bezeichnet eine Herstellungsform eines Flächentransistors, einer speziellen Form des Bipolartransistors. Er wurde 1952 von General Electric als Verbesserung des gezogenen Transistors (engl. grown junction transistor) entwickelt. (de)
- El transistor de aleación es uno de los primeros transistores de unión, fabricado a partir de germanio fundido. El CK722 de Raytheon es un transistor de aleación. Posteriormente, también se fabricaron transistores de aleación de silicio. El procedimiento de fabricación se deriva directamente del método de Czochralski para obtención de monocristales. Se diferencia en que, a medida que el monocristal va creciendo se introducen impurezas donantes en el crisol para convertir el germanio tipo p en tipo n para la base. Cuando se tiene el grosor de base necesario, se añaden más impurezas aceptoras para volver nuevamente a germanio tipo p. El monocristal así obtenido se corta, primero en rodajas perpendiculares al plano de la base, y después cada una de estas rodajas para formar los transistores individuales. La ventaja de este método es que permitía crear regiones de base muy delgadas. Como es la concentración de impurazas la que define le región de base, la elección del dopante es vital y no debe difundirse en el germanio, ya que este efecto cortocircuita la base inutilizando el transistor. Por ello los primeros modelos tenían una base gruesa. (es)
- Pertemuan-paduan adalah proses pembuatan transistor yang pertama kali berhasil secara komersial. Meskipun beberapa dan audio masih dibuat dengan cara ini, metode ini sekarang sudah terdesak oleh . (in)
- Germanowy tranzystor stopowy to tranzystor stopowy wykonany z cienkiej płytki słabo domieszkowanego germanu będącego bazą z wtopionymi w temperaturze około 550 °C po przeciwnych stronach kulkami metalu. Wtopienie metalu zmienia typ półprzewodnika na przeciwny, tworząc obszary emitera i kolektora. (pl)
|
| gold:hypernym
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
