| rdfs:comment
| - Bipolární tranzistor je druh tranzistoru. Jde o elektronickou součástku tvořenou třemi oblastmi polovodiče s různým typem vodivosti v uspořádání NPN nebo PNP, které vytvářejí dvojici přechodů PN. Prostřední oblast se nazývá báze (B), krajní emitor (E) a kolektor (C, výjimečně K). Ke každé z oblastí je zapojen vývod. Při vhodném zapojení je velikost elektrického proudu tekoucího mezi emitorem a kolektorem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako zesilovače, spínače a invertory. Vyrábějí se jako samostatné součástky nebo jako prvky integrovaných obvodů. Ve složitých integrovaných obvodech však převládá používání unipolárních tranzistorů. (cs)
- Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen. Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert und wird zum Schalten und Verstärken von Signalen ohne mechanisch bewegte Teile eingesetzt. Bipolare Leistungstransistoren sind für das Schalten und Verstärken von Signalen höherer Stromstärken und Spannungen ausgelegt. (de)
- Transistore bipolarra —BJT transistorea edo juntura bipolarreko transistorea ere deitua (ingelesez: BJT; bipolar junction transistor) transistore mota bat da. egindako hiru terminaleko osagarri elektronikoa da. Oro har elektronika analogikoan erabiltzen dira. Hala ere, elektronika digitaleko TTL teknologian edo ere erabiliak dira. Transistore bipolarren terminalek izen hauek hartzen dituzte:
* Entxufe oina (B; ingelesez: Base).
* Kolektorea (C; ingelesez: Collecter).
* Igorlea (E; ingelesez: Emitter). (eu)
- Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant. Il est à noter qu'aucun électron n'est effectivement « créé » : la polarisation appropriée permet à un réservoir d'électrons libres de circuler différemment. (fr)
- Transistor sambungan dwikutub atau transistor pertemuan dwikutub (bahasa Inggris: Bipolar junction transistor atau disingkat BJT atau Bipolar transistor) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun , berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah , hampir semua arus transistor adalah dikarenakan , sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas. (in)
- バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトランジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET が登場したことによるレトロニムである。 (ja)
- De bipolaire transistor is een actieve elektronische halfgeleidercomponent. Meestal noemt men de bipolaire transistor gewoon transistor, maar naast bipolaire transistors bestaan er ook andere soorten, zoals de veldeffecttransistor en de MOSFET. Er zijn twee soorten bipolaire transistoren:
* de PNP-transistor (een n-halfgeleiderlaag tussen twee p-halfgeleiderlagen) en
* de NPN-transistor (een p-halfgeleiderlaag tussen twee n-halfgeleiderlagen). (nl)
- En bipolär transistor är en trepolig halvledar-komponent som kan betraktas som en styrbar strömventil. Strömmen som kan styras är en likström vilket innebär att styrbarheten inskränker sig till att öka eller minska en ström, det går inte alltså att påverka dess riktning. Den bipolära transistorn består av två pn-övergångar där respektive övergång kan vara förspänd i fram- eller backriktning och på så vis ge transistorn fyra olika arbetsomården. (sv)
- Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) – odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem). (pl)
- Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ). (ru)
- O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (elétrons). (pt)
- الترانزستور ثنائي القطب أو ترانزستور الوصلة ثنائية الأقطاب (بالإنجليزية: Bipolar Junction Transistor اختصاراً BJT) هو عنصر إلكتروني فعّال شبه موصل ثلاثيّ الطبقات، يتكوّن من طبقتين من النوع نفسه تفصل بينهما طبقة ثالثةٌ مُغايرة. تكون مادة الطبقات أشباه موصلات إما من سالبة النوع أو موجبته، إذا كانت الطبقتان من مادة شبه موصل مشاب سالب النوع والطبقة المُغايرة من شبه موصلٍ مشاب موجب النوع فإنّ الترانزستور يكونُ من النوع NPN. أمّا إذا كانت الطبقتان من شبه مُوصلٍ مشابٍ موجب النوع، وكانت الطبقةُ المُغايرة من شبه مُوصلٍ مشاب سالب النوع، فإن الترانزستور يكون من النوع PNP. (ar)
- Un transistor bipolar (BJT, de l'anglès bipolar junction transistor) és un tipus de transistor, un dispositiu que pot funcionar com amplificador o commutador fet amb semiconductors dopats. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la base del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat emissor, es pot variar el corrent que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat col·lector, fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent. (ca)
- Το διπολικό τρανζίστορ (BJT – Bipolar Junction Transistor) Το τρανζίστορ είναι ένα ημιαγωγό στοιχείο των ηλεκτρονικών ισχύος, το οποίο αποτελείται από τρεις ζώνες ημιαγωγού στοιχείου διαδοχικά τοποθετημένες. Επομένως, έχουμε δύο τύπους τρανζίστορ: το τρανζίστορ npn και το τρανζίστορ pnp. Στα ηλεκτρονικά ισχύος χρησιμοποιούμε αποκλειστικά το τρανζίστορ npn α) Δομή ενός τρανζίστορ npn β) Σύμβολο τρανζίστορ τύπου-npn με ορθή πόλωση γ) Τρανζίστορ του εμπορίου]] Λειτουργία npn-τρανζίστορ Το τρανζίστορ λειτουργεί σαν ελεγχόμενος διακόπτης. Για να λειτουργήσει, όμως, απαιτείται ορθή πόλωση. Δηλαδή: π.χ.: (el)
- A bipolar junction transistor (BJT) is a type of transistor that uses both electrons and electron holes as charge carriers. In contrast, a unipolar transistor, such as a field-effect transistor, uses only one kind of charge carrier. A bipolar transistor allows a small current injected at one of its terminals to control a much larger current flowing between the terminals, making the device capable of amplification or switching. (en)
- El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. (es)
- ( BJT는 여기로 연결됩니다. 일본어 자격시험에 대해서는 비즈니스 일본어 능력 시험 문서를 참고하십시오.) 양극성 접합 트랜지스터(영어: bipolar junction transistor)는 1947년 벨 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다. 진공관은 전자회로 구현에서 크기와 소모전력 그리고 내구성에 문제가 많다. 특히 스위치 개념을 적용할 때, 많은 소자가 필요한데 공간의 한계가 문제가 된다. 그래서 반도체를 이용한 스위치의 필요성이 대두되어 개발되었다. 오늘날 집적회로에서 CMOS 사용의 선호로 인해 관심과 사용이 줄어들고 있으나, 이산회로 등에서 접합형 트랜지스터의 성질이 잘 알려져 있고 다양한 소자 선택이 가능해 여전히 널리 사용되고 있다. (ko)
- In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore. Costituisce la famiglia più diffusa in elettronica insieme al transistor ad effetto di campo rispetto a cui è in grado di offrire una maggiore corrente in uscita con lo svantaggio tuttavia di non avere il terminale di controllo isolato (gate). (it)
- 双极性電晶體（英語：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也稱雙極性載子電晶體。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。 双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。 (zh)
- Біполярний транзистор — напівпровідниковий прилад, елемент електронних схем. Має три електроди — емітер, базу і колектор, — один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем носіїв заряду, що мають як позитивний, так і негативний електричний заряд. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори типів NPN та PNP. В транзисторі типу NPN емітер і колектор легуються донорами, а база — акцепторами. В транзисторі типу PNP — навпаки. (uk)
|
.svg)
.svg)
.svg)
.svg)
_8.6.1.svg)
_8.6.2.svg)
_Cross-section.svg)
_jP.svg)
.jpg)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)