The Deal–Grove model mathematically describes the growth of an oxide layer on the surface of a material. In particular, it is used to predict and interpret thermal oxidation of silicon in semiconductor device fabrication. The model was first published in 1965 by Bruce Deal and Andrew Grove of Fairchild Semiconductor, building on Mohamed M. Atalla's work on silicon surface passivation by thermal oxidation at Bell Labs in the late 1950s. This served as a step in the development of CMOS devices and the fabrication of integrated circuits.
| Attributes | Values |
|---|
| rdfs:label
| - Model Deal–Grove (ca)
- Deal–Grove model (en)
- Модель Дила — Гроува (ru)
|
| rdfs:comment
| - The Deal–Grove model mathematically describes the growth of an oxide layer on the surface of a material. In particular, it is used to predict and interpret thermal oxidation of silicon in semiconductor device fabrication. The model was first published in 1965 by Bruce Deal and Andrew Grove of Fairchild Semiconductor, building on Mohamed M. Atalla's work on silicon surface passivation by thermal oxidation at Bell Labs in the late 1950s. This served as a step in the development of CMOS devices and the fabrication of integrated circuits. (en)
- Модель Дила — Гроува — математическая модель, описывающая рост оксидных слоёв на поверхности различных материалов. В частности, используется для анализа термического окисления кремния при производстве полупроводниковых приборов. Разработана в 1965 году специалистами Fairchild Semiconductor Брюсом Дилом (Bruce Deal) и Эндрю Гроувом (Andrew Grove). (ru)
|
| foaf:depiction
| |
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| thumbnail
| |
| has abstract
| - El model Deal-Grove descriu matemàticament el creixement d'una capa d'òxid a la superfície d'un material. En particular, s'utilitza per a predir i interpretar l'oxidació tèrmica del silici en la fabricació de dispositius semiconductors. El model va ser publicat per primera vegada l'any 1965 per Bruce Deal i Andrew Grove de Fairchild Semiconductor, basant-se en el treball de Mohamed M. Atalla sobre la passivació de superfícies de silici per oxidació tèrmica als laboratoris Bell a finals dels anys 50. Això va servir com un pas en el desenvolupament de dispositius CMOS i la fabricació de circuits integrats. El model suposa que la reacció d'oxidació es produeix a la interfície entre la capa d'òxid i el material del substrat, més que entre l'òxid i el gas ambient. Així doncs, considera tres fenòmens que pateix l'espècie oxidant, en aquest ordre: 1.
* Es difon des de la major part del gas ambiental fins a la superfície. 2.
* Es difon a través de la capa d'òxid existent fins a la interfície òxid-substrat. 3.
* Reacciona amb el substrat. El model suposa que cadascuna d'aquestes etapes transcorre a una velocitat proporcional a la concentració de l'oxidant. En el primer pas, això significa la llei d'Henry ; en el segon, la llei de difusió de Fick ; en el tercer, una reacció de primer ordre respecte a l'oxidant. També assumeix condicions d'estat estacionari, és a dir, que no apareixen efectes transitoris. (ca)
- The Deal–Grove model mathematically describes the growth of an oxide layer on the surface of a material. In particular, it is used to predict and interpret thermal oxidation of silicon in semiconductor device fabrication. The model was first published in 1965 by Bruce Deal and Andrew Grove of Fairchild Semiconductor, building on Mohamed M. Atalla's work on silicon surface passivation by thermal oxidation at Bell Labs in the late 1950s. This served as a step in the development of CMOS devices and the fabrication of integrated circuits. (en)
- Модель Дила — Гроува — математическая модель, описывающая рост оксидных слоёв на поверхности различных материалов. В частности, используется для анализа термического окисления кремния при производстве полупроводниковых приборов. Разработана в 1965 году специалистами Fairchild Semiconductor Брюсом Дилом (Bruce Deal) и Эндрю Гроувом (Andrew Grove). (ru)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is Wikipage redirect
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
