In electronics, diode modelling refers to the mathematical models used to approximate the actual behaviour of real diodes to enable calculations and circuit analysis. A diode's I-V curve is nonlinear. A very accurate, but complicated, physical model composes the I-V curve from three exponentials with a slightly different steepness (i.e. ideality factor), which correspond to different recombination mechanisms in the device; at very large and very tiny currents the curve can be continued by linear segments (i.e. resistive behaviour).
Attributes | Values |
---|
rdfs:label
| - Diode modelling (en)
- Модель діода (uk)
- 二极管模型 (zh)
|
rdfs:comment
| - 在电子学中,二极体模型指的是用于近似的真实二极体的实际行为,以便计算和电路分析的数学模型。二极体的伏安曲线是非线性的 (可以很好地描述这一特性). 这种非线性让涉及二极体的电路计算起来相当复杂,所以通常需要更简单的模型。 本文讨论PN结二极体的建模,但该技术可以被推广到其它固态二极体。 (zh)
- В електроніці, моделі діода є математичними моделями, що використовуються для апроксимації дійсної поведінки реальних діодів при аналізі ланцюгів. Вольт-амперна характеристика діода нелінійна (вона добре описується законом Шоклі). Ця нелінійність ускладнює обчислення в ланцюгах з діодами, тому часто необхідні прості моделі. У цій статті розглядається моделювання діодів з p-n переходом, але методи можуть бути узагальнені на інші твердотільні діоди. (uk)
- In electronics, diode modelling refers to the mathematical models used to approximate the actual behaviour of real diodes to enable calculations and circuit analysis. A diode's I-V curve is nonlinear. A very accurate, but complicated, physical model composes the I-V curve from three exponentials with a slightly different steepness (i.e. ideality factor), which correspond to different recombination mechanisms in the device; at very large and very tiny currents the curve can be continued by linear segments (i.e. resistive behaviour). (en)
|
foaf:depiction
| |
dcterms:subject
| |
Wikipage page ID
| |
Wikipage revision ID
| |
Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
sameAs
| |
dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
thumbnail
| |
has abstract
| - In electronics, diode modelling refers to the mathematical models used to approximate the actual behaviour of real diodes to enable calculations and circuit analysis. A diode's I-V curve is nonlinear. A very accurate, but complicated, physical model composes the I-V curve from three exponentials with a slightly different steepness (i.e. ideality factor), which correspond to different recombination mechanisms in the device; at very large and very tiny currents the curve can be continued by linear segments (i.e. resistive behaviour). In a relatively good approximation a diode is modelled by the single-exponential Shockley diode law. This nonlinearity still complicates calculations in circuits involving diodes so even simpler models are often used. This article discusses the modelling of p-n junction diodes, but the techniques may be generalized to other solid state diodes. (en)
- 在电子学中,二极体模型指的是用于近似的真实二极体的实际行为,以便计算和电路分析的数学模型。二极体的伏安曲线是非线性的 (可以很好地描述这一特性). 这种非线性让涉及二极体的电路计算起来相当复杂,所以通常需要更简单的模型。 本文讨论PN结二极体的建模,但该技术可以被推广到其它固态二极体。 (zh)
- В електроніці, моделі діода є математичними моделями, що використовуються для апроксимації дійсної поведінки реальних діодів при аналізі ланцюгів. Вольт-амперна характеристика діода нелінійна (вона добре описується законом Шоклі). Ця нелінійність ускладнює обчислення в ланцюгах з діодами, тому часто необхідні прості моделі. У цій статті розглядається моделювання діодів з p-n переходом, але методи можуть бути узагальнені на інші твердотільні діоди. (uk)
|
prov:wasDerivedFrom
| |
page length (characters) of wiki page
| |
foaf:isPrimaryTopicOf
| |
is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
is Wikipage redirect
of | |