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| - DRAM (anglicky Dynamic Random Access Memory) je asynchronní počítačová paměť, která uchovává data v podobě elektrického náboje v kondenzátoru který odpovídá parazitní kapacitě řídící elektrody (gate) tranzistoru typu MOSFET. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky – bitu. V praxi byly asynchronní typy DRAM nahrazeny modernějšími synchronními typy SDRAM a DDR SDRAM (a jejich novějšími verzemi DDR2, DDR3, DDR4 a DDR5). (cs)
- ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (بالإنجليزية: Dynamic random access memory) وهي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي التي تحفظ كل بت في مكثفات منفصلة داخل دارة متكاملة، وهي من نوع . ولأن المكثف يسرب شحنات كهربائية فهي بحاجة إلى إعادة إنعاش بشكل متواصل. ولحاجتها إلى الإنعاش سميت بذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية وأما ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة لا تحتاج للإنعاش ولذلك سميت ساكنة. وأفضليتها على ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة هو احتياجها لمقحل واحد ومكثف واحد لاحتواء كل بت، بالمقارنة مع ستة مقاحل لكل بت في ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة، والتي تمكنها من تكثيف عدد وحدات التخزين على رقاقة واحدة. (ar)
- DRAM edo Dynamic Random Access Memory (Ausazko Sarbidedun Memoria Dinamikoa) kondentsadoreez RAM memoria bat da. Kondentsadoreak informazio bit bat gordetzeko gai dira, karga bat gordeaz. Denbora bat pasa ondoren freskatzea beharko du. Freskatzea 1 bat gordeta duten kondentsadoreak birkargatzean datza informazio hori, ihes baten ondorioz gal ez dezaten. DRAM memoria memoria baino geldoagoa den arren, fabrikazio kostuak askoz murritzagoak direnez bera da gehien erabiltzen dena gaur eguneko ordenagailuetan. (eu)
- Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで情報を保持する記憶素子である。放置すると電荷が放電し情報が喪われるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とする。やはりRAMの1種であるSRAMがリフレッシュ不要であるのに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、SRAMに対して大容量を安価に提供できるという利点から、コンピュータの主記憶装置やデジタルテレビやデジタルカメラなど多くの情報機器において、大規模な作業用記憶として用いられている。 (ja)
- 동적 램(動的 RAM, 순화어: 동적 막기억장치) 또는 디램(DRAM, Dynamic random-access memory)은 임의 접근 기억 장치(random-access memory)의 한 종류로 정보를 구성하는 개개의 비트를 각기 분리된 축전기(capacitor)에 저장하는 기억 장치이다. 각각의 축전기가 담고 있는 전자의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만 결국 축전기가 전자를 누전하므로 기억된 정보를 잃게 된다. 이를 방지하기 위해 기억 장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 되는 것을 일컬어 ‘동적(dynamic)’이란 명칭이 주어졌다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(volatile memory)에 속한다. (ko)
- La memoria ad accesso casuale dinamica, o DRAM (acronimo di dynamic random access memory), è un tipo di RAM che immagazzina ogni bit in un diverso condensatore. Il numero di elettroni presenti nel condensatore determina se il bit è 1 o 0. Se il condensatore perde la carica, l'informazione è perduta: nel funzionamento la ricarica avviene periodicamente. Da qui la definizione di memoria dinamica, opposta alle memorie statiche come la SRAM. Per la caratteristica di perdere le informazioni in mancanza di energia, la DRAM viene definita anche volatile. (it)
- Динамі́чна операти́вна па́м'ять або DRAM (Dynamic Random Access Memory) — один із видів комп'ютерної пам'яті із довільним доступом (RAM), найчастіше використовується як ОЗП сучасних комп'ютерів. Основна перевага пам'яті цього типу полягає в тому, що її комірки упаковані дуже щільно, тобто в невелику мікросхему можна упакувати багато бітів, а значить, на їх основі можна побудувати пам'ять великої ємності. (uk)
- 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体記憶體，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別数据，进而導致数据毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個不可避免的条件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入数据後，即使不刷新也不會遺失記憶。 與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺點。 與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。 (zh)
- La Dynamic Random Access Memory (DRAM) és una memòria electrònica d'accés aleatori, que es fa servir principalment en els mòduls de memòria RAM i en altres dispositius, com a memòria principal del sistema. Es denomina dinàmica, ja que per a mantenir emmagatzemat una dada, es requereix revisar el mateix i recarregar-lo, cada cert període, en un cicle de refresc. El seu principal avantatge és la possibilitat de construir memòries amb una gran densitat de posicions i que encara funcionin a una velocitat alta: en l'actualitat es fabriquen integrats amb milions de posicions i velocitats d'accés amidats en milions de bit per segon. És una memòria volàtil, és a dir quan no hi ha alimentació elèctrica, la memòria perd la informació que tenia emmagatzemada. Inventada a la fi dels anys seixanta, és (ca)
- Dynamic random-access memory (dynamic RAM or DRAM) is a type of random-access semiconductor memory that stores each bit of data in a memory cell, usually consisting of a tiny capacitor and a transistor, both typically based on metal-oxide-semiconductor (MOS) technology. While most DRAM memory cell designs use a capacitor and transistor, some only use two transistors. In the designs where a capacitor is used, the capacitor can either be charged or discharged; these two states are taken to represent the two values of a bit, conventionally called 0 and 1. The electric charge on the capacitors gradually leaks away; without intervention the data on the capacitor would soon be lost. To prevent this, DRAM requires an external memory refresh circuit which periodically rewrites the data in the capa (en)
- Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt. Das speichernde Element ist dabei ein Kondensator, der entweder geladen oder entladen ist. Über einen Schalttransistor wird er zugänglich und entweder ausgelesen oder mit neuem Inhalt beschrieben. (de)
- La memoria dinámica de acceso aleatorio o DRAM (del inglés dynamic random-access memory) es un tipo de tecnología de memoria de acceso aleatorio (RAM) basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco. En oposición a este concepto surge el de SRAM (RAM estática), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en semiconductores que, mientras siga alimentada, no necesita refresco. (es)
- La mémoire vive dynamique (en anglais DRAM pour Dynamic Random Access Memory) est un type de mémoire vive compacte et peu dispendieuse. La simplicité structurelle de la DRAM — un pico-condensateur et un transistor pour un bit — permet d'obtenir une densité élevée. Son inconvénient réside dans les courants de fuite des pico-condensateurs : l'information disparaît à moins que la charge des condensateurs ne soit rafraîchie avec une période de quelques millisecondes. D'où le terme de dynamique. A contrario, les mémoires statiques SRAM n'ont pas besoin de rafraîchissement mais utilisent plus d'espace. (fr)
- Memori akses acak dinamis (bahasa Inggris: Dynamic random-access memory; disingkat DRAM) merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Karena kapasitornya selalu bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, hal ini yang membuatnya sangat dinamis dibandingkan dengan memori (SRAM) statik memori dan lain-lain. (in)
- Pamięć dynamiczna, DRAM (od ang. dynamic random-access memory) – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Poszczególne jej elementy zbudowane są z tranzystorów MOS, z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego. Pamięci dynamiczne najczęściej łączone są w dwuwymiarowe tablice adresowane numerem wiersza i kolumny, co pozwala ograniczyć liczbę wymaganych linii adresowych i przyspiesza sekwencyjny odczyt danych umieszczonych w kolejnych komórkach tego samego wiersza pamięci. (pl)
- Dynamic Random-Access Memory kortweg DRAM (in het Nederlands - dynamisch geheugen met willekeurige toegang) is een type RAM waarbij iedere informatiebit als een elektrische lading in een kleine condensator van een adresseerbare geheugencel wordt opgeslagen. De kleine opgeslagen lading lekt echter weg en moet daarom periodiek worden uitgelezen en teruggeschreven om de lading op peil te houden. Vanwege dit verversen wordt het dynamische RAM genoemd, in tegenstelling tot statische RAM SRAM waarvan de geheugencel uit een flipflop met zes transistors bestaat. (nl)
- DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти (см. запоминающее устройство с произвольным доступом). Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), также используются в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. (ru)
- Dynamic random-access memory (DRAM), em português memória dinâmica de acesso aleatório, é um tipo de de acesso aleatório que armazena cada bit de dados em uma célula de memória que consiste em um pequeno capacitor e um transistor, ambos tipicamente baseados na tecnologia metal-óxido-semicondutor (MOS). O capacitor pode ser carregado ou descarregado e esses dois estados são considerados para representação dos dois valores de um bit, convencionalmente chamados 0 e 1. A carga elétrica nos capacitores vaza lentamente, portanto, sem intervenção, os dados no chip logo serão perdidos. Para evitar isso, a DRAM requer um circuito externo de atualização de memória que reescreva periodicamente os dados nos capacitores, restaurando-os à sua carga original. Esse processo de atualização é a característ (pt)
- Dynamiskt minne eller Dynamiskt RAM (DRAM) är ett flyktigt läs- och skrivbart datorminne som ofta används som arbetsminne och i grafikkort till datorer. Varje minnescell (som lagrar en bit) består i princip av en kondensator och en transistor. Lagring av en binär 1:a sker genom att kondensatorn laddas upp, och en 0:a genom att den laddas ur. Eftersom kondensatorn läcker måste minnet återskrivas (eng. refresh) med några millisekunders mellanrum för att bibehålla data. (sv)
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