| rdfs:comment
| - ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة (بالإنجليزية: embedded DRAM eDRAM) وهو نوع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المبنية على نظام مكثف. وهي تكون في العادة منضمة مع المعالج ولذا سمية المنضمة خلافا لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية و ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة المستخدمة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية. وإن ضم هذه الذاكرة إلى المعالج يؤمن منفذ معلومات أكبر وبذلك تصبح سرعة تدفق المعلومات أكبر ويصبح تكبير الذاكر سهلا. ولكن اختلاف تكنولوجيا التصنيع يجعل ضمهما في قطعة واحدة صعبة، ولذلك تصنع كل رقاقة على حدى ثم تضم في وحدة واحدة. (ar)
- L’eDRAM (ou embedded Dynamic Random Access Memory) (DRAM embarquée en français) est une mémoire de type DRAM à base de condensateurs intégrée sur le même circuit qu'un ASIC (Application-specific integrated circuit ou en français circuit intégré à application spécifique) ou un processeur. Cette mémoire diffère de la mémoire DRAM standard où seule la fonction mémoire est présente sur la puce. Le coût par bit d'une telle mémoire est plus grand que le coût de la mémoire DRAM standard mais, dans plusieurs applications, les avantages de placer la mémoire sur le même circuit que le processeur compensent les coûts additionnels. (fr)
- eDRAM(Embedded DRAM)、混載DRAMは、メインのASICやプロセッサと同じダイまたはパッケージに統合された、キャパシタベースのDRAMである。 (ja)
- eDRAM 또는 임베디드 DRAM(Embedded DRAM)은 프로세서 혹은 ASIC의 다이 내부나 패키지 안에 내장된 축전기 방식의 DRAM을 말한다. 반대 용어로 외부 DRAM 모듈이나 보통 캐시로 사용되는 트랜지스터 방식의 SRAM이 있다. DRAM을 내장함으로써 보다 넓은 버스와 빠른 속도로 작동이 가능하며 DRAM은 SRAM에 비해 밀도가 높아 면적대비 용량이 크기 때문에 좀 더 많은 메모리를 내장해 사용할 수 있다. 하지만 제조 공정에 따라 하나의 다이에 통합하기에는 어려운 점이 있다. 그래서 각각의 다이를 하나의 칩으로 패키징하는 방법도 사용되지만 둘 다 생산 비용이 올라가는 단점이 있다. 최근에는 같이 표준 CMOS 공정을 사용해 eDRAM 생산하는 방법으로 이 문제를 극복하고 있다. eDRAM은 IBM의 (POWER7)에 적용되었으며 플레이스테이션 2, 플레이스테이션 포터블, 게임 큐브, Wii, Zune HD, 아이폰, 엑스박스 360등에 사용되었다. (ko)
- eDRAM betyder "embedded DRAM" där DRAM står för Dynamic Random Access Memory och är kondensatorbaserat. Kretstypen är ofta integrerad i samma kapsel som huvudprocessorn eller ASIC-en till skillnad från externa DRAM-moduler och transistorbaserade SRAM som typiskt används som cache-minne. Denna hårdvarurelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
- EDRAM (англ. eDRAM, embedded DRAM ) — кеш-пам'ять типу edram, на відміну від широко поширеної тепер SRAM-пам'яті. (uk)
- Embedded DRAM (eDRAM) is dynamic random-access memory (DRAM) integrated on the same die or multi-chip module (MCM) of an application-specific integrated circuit (ASIC) or microprocessor. eDRAM's cost-per-bit is higher when compared to equivalent standalone DRAM chips used as external memory, but the performance advantages of placing eDRAM onto the same chip as the processor outweigh the cost disadvantages in many applications. In performance and size, eDRAM is positioned between level 3 cache and conventional DRAM on the memory bus, and effectively functions as a level 4 cache, though architectural descriptions may not explicitly refer to it in those terms. (en)
- Ein embedded DRAM (eDRAM, dt. eingebetteter DRAM) ist ein auf DRAM basierender eingebetteter Speicher, das heißt, das DRAM ist im selben Die oder im selben Modul wie die Haupt-ASIC oder der Hauptprozessor integriert (eingebettet). Im Gegensatz zu externen DRAM-Speichermodulen wird er häufig wie transistorbasierte SRAM als Cache genutzt. (de)
- La memoria tipo eDRAM es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio basada en condensadores que se integra en el mismo encapsulado que un ASIC o un microprocesador. Obtiene su nombre de embedded DRAM, o "DRAM embebida". El coste por bit de la memoria eDRAM es mayor que el de la memoria DRAM independiente equivalente, pero las ventajas de desempeño que se obtienen al disponer de la eDRAM en el mismo chip que el procesador superan esas desventajas de coste en muchas aplicaciones. Hay algunas utilidades que permiten el modelado de cachés eDRAM. (es)
- eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в ту же самую микросхему или в ту же самую , что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM. eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как . (ru)
|
| has abstract
| - ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المضمنة (بالإنجليزية: embedded DRAM eDRAM) وهو نوع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المبنية على نظام مكثف. وهي تكون في العادة منضمة مع المعالج ولذا سمية المنضمة خلافا لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية و ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة المستخدمة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية. وإن ضم هذه الذاكرة إلى المعالج يؤمن منفذ معلومات أكبر وبذلك تصبح سرعة تدفق المعلومات أكبر ويصبح تكبير الذاكر سهلا. ولكن اختلاف تكنولوجيا التصنيع يجعل ضمهما في قطعة واحدة صعبة، ولذلك تصنع كل رقاقة على حدى ثم تضم في وحدة واحدة. (ar)
- Ein embedded DRAM (eDRAM, dt. eingebetteter DRAM) ist ein auf DRAM basierender eingebetteter Speicher, das heißt, das DRAM ist im selben Die oder im selben Modul wie die Haupt-ASIC oder der Hauptprozessor integriert (eingebettet). Im Gegensatz zu externen DRAM-Speichermodulen wird er häufig wie transistorbasierte SRAM als Cache genutzt. Das Einbetten des Speichers ermöglicht gegenüber externen Speichermodulen die Nutzung breiterer Busse und höhere Arbeitsgeschwindigkeiten. Durch den geringeren Platzbedarf ermöglicht DRAM verglichen mit SRAM höhere Datendichte, somit kann bei gleicher Die-Größe potentiell mehr Speicher genutzt werden. Jedoch machen die Unterschiede im Herstellungsprozess zwischen DRAM und Transistorlogik die Integration auf einem Die kompliziert, das heißt, es sind in der Regel mehr Prozessschritte notwendig, was die Kosten erhöht. Neuere Forschungen setzen daher, ähnlich wie beim pseudostatischen RAM auf CMOS-Technik. eDRAM wird als L3- und L4-Cache-Speicher in IBM-Großrechnern sowie in vielen Spielkonsolen genutzt, unter anderem von diesen: PlayStation 2, PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Wii U, Xbox 360. Außerdem kommt er in einigen Prozessoren der Intel-Core-i-Serie als schneller Arbeitsspeicher der integrierten Grafikeinheiten zum Einsatz. (de)
- La memoria tipo eDRAM es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio basada en condensadores que se integra en el mismo encapsulado que un ASIC o un microprocesador. Obtiene su nombre de embedded DRAM, o "DRAM embebida". El coste por bit de la memoria eDRAM es mayor que el de la memoria DRAM independiente equivalente, pero las ventajas de desempeño que se obtienen al disponer de la eDRAM en el mismo chip que el procesador superan esas desventajas de coste en muchas aplicaciones. Incorporar memoria en el ASIC o el procesador permite buses mucho más anchos y operaciones mucho más rápidas. Además, dada la mayor densidad de la DRAM en comparación con la SRAM, cantidades mayores de memoria pueden instalarse en chips más pequeños si se usa eDRAM (DRAM embebida) en vez de (SRAM embebida). eDRAM requiere procesos de fabricación adicionales en comparación con eSRAM, lo que aumenta el coste, pero el ahorro del triple de espacio de eDRAM minimiza el coste cuando se usa una cantidad de memoria considerable en el diseño. La memoria eDRAM, al igual que todas las memorias DRAM, requiere un refresco periódico de las celdas de memoria, lo que añade complejidad. Sin embargo, si el controlador de refresco de memoria está embebido junto con la memoria eDRAM, el resto de la ASic puede tratar la memoria como una de tipo simple SRM como 1T-SRAM. También es posible utilizar técnicas de arquitectura para mitigar el sobre calentamiento por refresco en la caché eDRAM. La eDRAM se utiliza en el procesador de IBM, CPUs de Intel como Haswell con gráficos integrados GT3e, y muchas consolas de videojuegos y otros dispositivos como Sony PlayStation 2, PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Wii U, Apple Inc. iPhone, Microsoft Zune HD, Xbox 360 y Xbox One. Hay algunas utilidades que permiten el modelado de cachés eDRAM. (es)
- Embedded DRAM (eDRAM) is dynamic random-access memory (DRAM) integrated on the same die or multi-chip module (MCM) of an application-specific integrated circuit (ASIC) or microprocessor. eDRAM's cost-per-bit is higher when compared to equivalent standalone DRAM chips used as external memory, but the performance advantages of placing eDRAM onto the same chip as the processor outweigh the cost disadvantages in many applications. In performance and size, eDRAM is positioned between level 3 cache and conventional DRAM on the memory bus, and effectively functions as a level 4 cache, though architectural descriptions may not explicitly refer to it in those terms. Embedding memory on the ASIC or processor allows for much wider buses and higher operation speeds, and due to much higher density of DRAM in comparison to SRAM, larger amounts of memory can be installed on smaller chips if eDRAM is used instead of eSRAM. eDRAM requires additional fab process steps compared with embedded SRAM, which raises cost, but the 3× area savings of eDRAM memory offsets the process cost when a significant amount of memory is used in the design. eDRAM memories, like all DRAM memories, require periodic refreshing of the memory cells, which adds complexity. However, if the memory refresh controller is embedded along with the eDRAM memory, the remainder of the ASIC can treat the memory like a simple SRAM type such as in 1T-SRAM. eDRAM is used in various products, including IBM's POWER7 processor, and IBM's z15 mainframe processor (mainframes built which use up to 4.69 GB of eDRAM when 5 such add-on chips/drawers are used but all other levels from L1 up also use eDRAM, for a total of 6.4 GB of eDRAM). Intel's Haswell CPUs with GT3e integrated graphics, many game consoles and other devices, such as Sony's PlayStation 2, Sony's PlayStation Portable, Nintendo's GameCube, Nintendo's Wii, Nintendo's Wii U, Apple Inc.'s iPhone, Microsoft's Zune HD, and Microsoft's Xbox 360 also use eDRAM. (en)
- L’eDRAM (ou embedded Dynamic Random Access Memory) (DRAM embarquée en français) est une mémoire de type DRAM à base de condensateurs intégrée sur le même circuit qu'un ASIC (Application-specific integrated circuit ou en français circuit intégré à application spécifique) ou un processeur. Cette mémoire diffère de la mémoire DRAM standard où seule la fonction mémoire est présente sur la puce. Le coût par bit d'une telle mémoire est plus grand que le coût de la mémoire DRAM standard mais, dans plusieurs applications, les avantages de placer la mémoire sur le même circuit que le processeur compensent les coûts additionnels. (fr)
- eDRAM(Embedded DRAM)、混載DRAMは、メインのASICやプロセッサと同じダイまたはパッケージに統合された、キャパシタベースのDRAMである。 (ja)
- eDRAM 또는 임베디드 DRAM(Embedded DRAM)은 프로세서 혹은 ASIC의 다이 내부나 패키지 안에 내장된 축전기 방식의 DRAM을 말한다. 반대 용어로 외부 DRAM 모듈이나 보통 캐시로 사용되는 트랜지스터 방식의 SRAM이 있다. DRAM을 내장함으로써 보다 넓은 버스와 빠른 속도로 작동이 가능하며 DRAM은 SRAM에 비해 밀도가 높아 면적대비 용량이 크기 때문에 좀 더 많은 메모리를 내장해 사용할 수 있다. 하지만 제조 공정에 따라 하나의 다이에 통합하기에는 어려운 점이 있다. 그래서 각각의 다이를 하나의 칩으로 패키징하는 방법도 사용되지만 둘 다 생산 비용이 올라가는 단점이 있다. 최근에는 같이 표준 CMOS 공정을 사용해 eDRAM 생산하는 방법으로 이 문제를 극복하고 있다. eDRAM은 IBM의 (POWER7)에 적용되었으며 플레이스테이션 2, 플레이스테이션 포터블, 게임 큐브, Wii, Zune HD, 아이폰, 엑스박스 360등에 사용되었다. (ko)
- eDRAM betyder "embedded DRAM" där DRAM står för Dynamic Random Access Memory och är kondensatorbaserat. Kretstypen är ofta integrerad i samma kapsel som huvudprocessorn eller ASIC-en till skillnad från externa DRAM-moduler och transistorbaserade SRAM som typiskt används som cache-minne. Denna hårdvarurelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
- eDRAM (англ. embedded DRAM — встраиваемая DRAM) — DRAM-память на основе конденсаторов, как правило встраиваемая в ту же самую микросхему или в ту же самую , что и основной ASIC или процессор, в отличие от памяти SRAM на основе транзисторов, обычно используемой для кэшей и от внешних модулей DRAM. Встраивание предусматривает использование более широких шин и более высоких скоростей работы чем при использовании дискретных DRAM модулей. При использовании eDRAM вместо SRAM на чипах, за счет более высокой плотности потенциально может быть реализовано примерно в 3 раза большее количество памяти на той же площади. В силу иной технологии, необходимой для создания памяти DRAM, в производство КМОП-чипов с eDRAM добавляется несколько дополнительных шагов, что удорожает производство. eDRAM, как и любая другая DRAM память, требует периодического обновления хранящихся данных, что усложняет её по сравнению с SRAM. Однако, контроллер обновлений eDRAM может быть интегрирован в неё, и тогда процессор работает с памятью так же как с SRAM, например такой как . eDRAM используется в процессорах корпорации IBM (начиная с POWER7) и во множестве игровых приставок, включая PlayStation 2, PlayStation Portable, Nintendo GameCube, Wii, Zune HD, iPhone, Xbox 360 и Wii U, а также в некоторых мобильных моделях процессоров компании Intel с архитектурой Haswell и десктопных Broadwell Intel Core 5-го поколения. (ru)
- EDRAM (англ. eDRAM, embedded DRAM ) — кеш-пам'ять типу edram, на відміну від широко поширеної тепер SRAM-пам'яті. (uk)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)