About: Fin field-effect transistor

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A fin field-effect transistor (FinFET) is a multigate device, a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) built on a substrate where the gate is placed on two, three, or four sides of the channel or wrapped around the channel, forming a double or even multi gate structure. These devices have been given the generic name "FinFETs" because the source/drain region forms fins on the silicon surface. The FinFET devices have significantly faster switching times and higher current density than planar CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology.

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rdfs:label	FinFET (ca) FinFET (es) FinFET (fr) Fin field-effect transistor (en) FinFET (in) 핀펫 (ko) FinFET (ja) FinFET (zh) FinFET (uk)
rdfs:comment	FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor. (ca) 핀펫(FinFET, fin field-effect transistor)은 게이트가 2, 3, 4면의 채널에 위치하거나 게이트를 채널 주변에 감싸서 더블 게이트 구조를 형성하는, 기관 위에 빌드되는 (multigate device), MOSFET이다. 이 장치들의 일반 명칭이 핀펫(finfets)인 이유는 소스(source)/드레인(drain) 영역이 실리콘 표면 위에 핀(fin)을 형성하기 때문이다. 이 핀펫 장치들은 평면 CMOS 기술에 비해 상당히 더 빠른 전환 시간과 더 높은 전류 밀도를 보여준다. 핀펫은 평면이 아닌 트랜지스터, 즉 3D 트랜지스터의 일종이다. 핀펫 게이트를 이용한 마이크로칩은 2010년대 상반기에 최초로 상용화되었으며 14 nm, , 7 nm 공정 에 주로 사용되는 게이트 디자인이 되었다. (ko) FinFET（Fin Field-Effect Transistor；鰭式場效電晶體），中文名有时称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，屬於多閘極電晶體。FinFET是由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的。当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的主要思想是将场效应管立体化。 2011年，英特尔已经推出商业化的22纳米FinFET。在2018年2月开始，中国科学院微电子研究所就该技术涉及该所的部分专利对英特尔提出侵权诉讼，而英特尔多次反制，向中美两国的知识产权管理部门申请专利无效审议或复审，但均告失败，2020年7月28日，国家知识产权局口头受理了该次申请无效审议。 (zh) A fin field-effect transistor (FinFET) is a multigate device, a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) built on a substrate where the gate is placed on two, three, or four sides of the channel or wrapped around the channel, forming a double or even multi gate structure. These devices have been given the generic name "FinFETs" because the source/drain region forms fins on the silicon surface. The FinFET devices have significantly faster switching times and higher current density than planar CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology. (en) Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta. A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio. Los dispositivos FinFET tienen tiempos de conmutación significativamente más rápidos y una densidad de corriente más alta que la tecnología plana CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario). (es) Un transistor à effet de champ à ailettes (en anglais fin field-effect transistor ou FinFET) est un , un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille. On a donné le nom générique « FinFET » à ces dispositifs car la région source/drain forme des ailettes (en anglais fins) sur la surface du silicium. Les transistors FinFET ont des temps de commutation significativement plus rapides et des densités de courant plus élevées que ceux de technologie CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) planaire. (fr) FinFET（Fin Field-Effect Transistor）とは、ゲートがチャネルの2面、3面、4面またはチャネルを包むように位置しダブルゲート構造を形成している基板上に作られたMOSFETである。FinFETと呼ばれる理由は、ソース/ドレイン領域がシリコン表面でフィンを形成するためである。FinFETデバイスは主流のCMOSよりもかなり速いスイッチング時間と高い電流密度を持つ。 FinFETという用語は、SOI基板上に構築された非プレーナー型ダブルゲートトランジスタを表現するために、2001年にカリフォルニア大学バークレー校の研究者である、、らによって作られた。このトランジスタは、以前のDELTA（シングルゲート）トランジスタデザインに基づいていた。 FinFETトランジスタは5nmのゲート厚さと50nm以下のゲート幅を持つことができ、28nmチップで応用されると想定されている。FinFET技術は、AMD、NVIDIA、IBM、ARM、Motorolaと学術研究機関によって追求されている。ゲートが3面からチャネルを囲むインテルのトライゲートトランジスタは、プレーナー型よりゲートディレイが小さく、高い性能を可能にした。 (ja) Польовий транзистор з вертикальним затвором (англ. FinFET) — мультизатворний польовий МДН транзистор (MOSFET), побудований на підкладці, де затвор розміщений на двох, трьох чи чотирьох сторонах каналу (обгорнутий навколо каналу), утворюючи подвійну структуру затвору. Ці прилади отримали назву FinFET (англ. fin - плавник, FET(англ. field-effect transistor) - польовий транзистор), оскільки область стоку-витоку утворює "плавники" на поверхні кремнію. Пристрої FinFET мають значно швидший час перемикання та більш високу густину струму, ніж плоска технологія КМОН (CMOS) (комплементарний метал-оксид-напівпровідник). (uk)
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