Furnace annealing is a process used in semiconductor device fabrication which consist of heating multiple semiconductor wafers in order to affect their electrical properties. Heat treatments are designed for different effects. Wafers can be heated in order to activate dopants, change film to film or film to wafer substrate interfaces, densify deposited films, change states of grown films, repair damage from implants, move dopants or drive dopants from one film into another or from a film into the wafer substrate. During ion implantation process, the crystal substrate is damaged due to bombardment with high energy ions. The damage caused can be repaired by subjecting the crystal to high temperature. This process is called annealing. Furnace anneals may be integrated into other furnace proce
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - Furnace anneal (en)
- ファーネスアニール (ja)
|
| rdfs:comment
| - Furnace annealing is a process used in semiconductor device fabrication which consist of heating multiple semiconductor wafers in order to affect their electrical properties. Heat treatments are designed for different effects. Wafers can be heated in order to activate dopants, change film to film or film to wafer substrate interfaces, densify deposited films, change states of grown films, repair damage from implants, move dopants or drive dopants from one film into another or from a film into the wafer substrate. During ion implantation process, the crystal substrate is damaged due to bombardment with high energy ions. The damage caused can be repaired by subjecting the crystal to high temperature. This process is called annealing. Furnace anneals may be integrated into other furnace proce (en)
- ファーネスアニール（Furnace anneal）とは半導体デバイス製造で用いられるプロセスで、電気的特性に影響を与えるため多数の半導体ウェハーの加熱から成る。熱処理は異なる効果のために考案されている。ウェハーを加熱する理由として、ドーパントを活性化するため、薄膜-薄膜界面または薄膜-ウェハー基板界面を変化させるため、堆積した薄膜の密度を高めるため、成長させた薄膜の状態を変化させるため、イオン注入によるダメージを回復させるため、ドーパントをある薄膜から別の薄膜へ、またはある薄膜からシリコン基板へ移動させるため、などがある。イオン注入プロセスの間、結晶基板は高エネルギーイオンの衝突によってダメージを受ける。ダメージは、結晶を高温にすることで回復することができる。このプロセスは、アニーリングと呼ばれる。ファーネスアニールは、酸化など他のファーネスプロセスへ組み込まれたり、それ自身で１つのプロセスとなる。 (ja)
|
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| date
| |
| float
| |
| image
| - Anneal furnace, 2018 (en)
|
| url
| |
| has abstract
| - Furnace annealing is a process used in semiconductor device fabrication which consist of heating multiple semiconductor wafers in order to affect their electrical properties. Heat treatments are designed for different effects. Wafers can be heated in order to activate dopants, change film to film or film to wafer substrate interfaces, densify deposited films, change states of grown films, repair damage from implants, move dopants or drive dopants from one film into another or from a film into the wafer substrate. During ion implantation process, the crystal substrate is damaged due to bombardment with high energy ions. The damage caused can be repaired by subjecting the crystal to high temperature. This process is called annealing. Furnace anneals may be integrated into other furnace processing steps, such as oxidations, or may be processed on their own. Furnace anneals are performed by equipment especially built to heat semiconductor wafers. Furnaces are capable of processing many wafers at a time but each process can last between several hours and a day. Increasingly, furnace anneals are being supplanted by Rapid Thermal Anneal (RTA) or Rapid Thermal Processing (RTP). This is due to the relatively long thermal cycles of furnaces that causes the dopants that are being activated, especially boron, to diffuse farther than is intended. RTP or RTA fixes this by having thermal cycles for each wafer that is of the order of minutes rather than hours for furnace anneals. (en)
- ファーネスアニール（Furnace anneal）とは半導体デバイス製造で用いられるプロセスで、電気的特性に影響を与えるため多数の半導体ウェハーの加熱から成る。熱処理は異なる効果のために考案されている。ウェハーを加熱する理由として、ドーパントを活性化するため、薄膜-薄膜界面または薄膜-ウェハー基板界面を変化させるため、堆積した薄膜の密度を高めるため、成長させた薄膜の状態を変化させるため、イオン注入によるダメージを回復させるため、ドーパントをある薄膜から別の薄膜へ、またはある薄膜からシリコン基板へ移動させるため、などがある。イオン注入プロセスの間、結晶基板は高エネルギーイオンの衝突によってダメージを受ける。ダメージは、結晶を高温にすることで回復することができる。このプロセスは、アニーリングと呼ばれる。ファーネスアニールは、酸化など他のファーネスプロセスへ組み込まれたり、それ自身で１つのプロセスとなる。 ファーネスアニールは、特に半導体ウェハーを加熱するために作られた装置によって行われる。ファーネスは一度に多くのウェハーを処理することができるが、各プロセスは数時間から一日のあいだ続く。ファーネスアニールは、徐々にラピッドサーマルアニール（Rapid Thermal Anneal、RTA）またはラピッドサーマルプロセス（Rapid thermal processing、RTP）に置き換わりつつある。この理由は、ファーネスの比較的長い熱サイクルによって、活性化させるドーパント（特にホウ素）が意図よりもさらに拡散してしまうためである。RTPまたはRTAでは、各ウェハーの熱サイクルをファーネスアニールの数時間から数分にすることで、ドーパントが拡散しないようにしている。 (ja)
|
| gold:hypernym
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is Wikipage redirect
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)