About: High-κ dielectric

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- Rule:
- Inverse Functional Properties:
- "Same As":

About: High-κ dielectric Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : yago:Whole100003553, within Data Space : dbpedia.demo.openlinksw.com associated with source document(s)
QRcode icon

http://dbpedia.demo.openlinksw.com/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2FHigh-%CE%BA_dielectric&invfp=IFP_OFF&sas=SAME_AS_OFF

The term high-κ dielectric refers to a material with a high dielectric constant (κ, kappa), as compared to silicon dioxide. High-κ dielectrics are used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric or another dielectric layer of a device. The implementation of high-κ gate dielectrics is one of several strategies developed to allow further miniaturization of microelectronic components, colloquially referred to as extending Moore's Law. Sometimes these materials are called "high-k" (pronounced "high kay"), instead of "high-κ" (high kappa).

Attributes	Values
rdf:type	yago:WikicatTransistors yago:WikicatSemiconductorDeviceMaterials yago:Abstraction100002137 yago:Artifact100021939 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:Instrumentality103575240 yago:Insulator114821590 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Object100002684 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Relation100031921 yago:WikicatHigh-kDielectrics yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Substance100019613 yago:Transistor104471632 yago:Whole100003553
rdfs:label	عازل كهربائي هاي كي (ar) Dielèctric high-k (ca) High-k-Dielektrikum (de) Diélectrique high-k (fr) Dielektrik Tinggi-κ (in) High-κ dielectric (en) High-κ絶縁体 (ja) High-k (ru) High-k діелектрик (uk)
rdfs:comment	في تقنية أشباه الموصلات، يعد العازل الكهربائي عالي k مادة تحتوي على ثابت عزل أعلى من لثاني أكسيد السيليكون التقليدي ( 3.9= εr) أو أكسيد نيتريد السيليكون (εr < 6). المصطلح «هاي كي» high-k مستعار من اللغة الإنجليزية، حيث غالبًا ما يستخدم ثابت العزل (kappa)، وفي حالة عدم وجود هذا الرمز يشار إليه أيضًا بـ k . (ar) Dielèctric high-k (en anglès alta k) fa referència a un material d'alt valor de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr). Els materials dielèctrics amb alta k s'empren en la fabricació de semiconductors on usualment remplacen el diòxid de silici (K=3,7-3,9). Els materials dielèctrics high-k és una de les tecnologies que permeten de continuar la miniaturització dels components electrònics segons la llei de Moore. (ca) Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl aufweist als herkömmliches Siliciumdioxid (εr = 3,9) oder (εr < 6). Die Bezeichnung „high-k“ ist dem Englischen entlehnt, wo die Dielektrizitätszahl häufig mit (Kappa), bei Fehlen dieses Symbols auch mit k, bezeichnet wird. (de) The term high-κ dielectric refers to a material with a high dielectric constant (κ, kappa), as compared to silicon dioxide. High-κ dielectrics are used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric or another dielectric layer of a device. The implementation of high-κ gate dielectrics is one of several strategies developed to allow further miniaturization of microelectronic components, colloquially referred to as extending Moore's Law. Sometimes these materials are called "high-k" (pronounced "high kay"), instead of "high-κ" (high kappa). (en) Istilah dielektrik tinggi-κ mengacu pada bahan dengan konstanta dielektrik tinggi (κ, kapa), dibandingkan dengan silikon dioksida. Dielektrik tinggi digunakan dalam proses manufaktur semikonduktor di mana mereka biasanya digunakan untuk menggantikan dielektrik gerbang silikon dioksida atau lapisan dielektrik perangkat lainnya. Implementasi dielektrik gerbang tinggi adalah salah satu dari beberapa strategi yang dikembangkan untuk memungkinkan miniaturisasi lebih lanjut dari komponen mikroelektronika, bahasa sehari-hari disebut sebagai perluasan Hukum Moore. Terkadang bahan ini disebut "high-k" (diucapkan "high kay"), bukan "high-κ" (high kappa). (in) Un diélectrique high-κ (high-κ dielectric) est un matériau avec une constante diélectrique κ élevée (comparée à celle du dioxyde de silicium) utilisé dans la fabrication de composants semi-conducteur en remplacement de la grille habituellement en dioxyde de silicium. L'utilisation de ce type de matériau constitue l'une des stratégies de développement permettant la miniaturisation des composés en microélectronique, afin de permettre de continuer à suivre la Loi de Moore. (fr) High-κ絶縁体（はいかっぱぜつえんたい）とは、（二酸化ケイ素と比べて）高い比誘電率 κ を持つ材料に対する呼称である。半導体製造プロセスでHigh-κ絶縁体は、二酸化ケイ素やその他の絶縁膜を置き換えるために用いられる。high-κゲート絶縁体は、ムーアの法則と呼ばれるマイクロ電子部品のさらなる微細化の戦略の一つである。 "high-κ"(high Κ)の代わりに"high-k"と呼ばれる時もある。 (ja) High-k діелектрик — термін, що окреслює групу діелектриків у яких діелектрична проникність більша, ніж у діоксиду кремнію. Також, під High-k розуміють технологію виробництва МОП напівпровідникових транзисторів з підзатворним діелектриком, що виконаний з High-k діелектрика. Назва High-k є комбінацією слова англ. high (високий) та грецької літери (грец. Κάππα), якою позначають діелектричну проникність. (uk) High-k — технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (3,9). Реально применяющиеся в электронике материалы с высокой проницаемостью получили наименование «альтернативных диэлектриков», среди них диоксид циркония и диоксид гафния (для обоих проницаемость около 25). Название «high-k» происходит от не совсем стандартного обозначения диэлектрической проницаемости буквой (каппа), которая из-за не всеобщей распространённости греческих шрифтов заменилась латинской . Правильное произношение: «хай-кэй», но нередко произносят «хай-ка». Традиционно для проницаемости используется символ (эпсилон), но термин «high-» не прижился. (ru)
foaf:depiction
dcterms:subject	High-κ dielectrics MOSFETs Transistors Semiconductor fabrication materials Electronic engineering
Wikipage page ID	2332464 (xsd:integer)
Wikipage revision ID	1099419750 (xsd:integer)
Link from a Wikipage to another Wikipage	Capacitor Electron mobility Electronic band structure Semiconductor memory John Robertson (physicist) Penryn (microarchitecture) Dynamic random-access memory Inelastic electron tunneling spectroscopy International Technology Roadmap for Semiconductors Gate capacitance Gate oxide Low-κ dielectric NEC Vacuum permittivity MOSFET Silicon dioxide Silicon oxynitride Zirconium dioxide High-κ dielectrics Hafnium Journal of Applied Physics Dark current spectroscopy 45 nanometer 90 nanometer MOSFETs Transistors Semiconductor fabrication materials Thin film Reliability engineering Hafnium dioxide Atomic layer deposition Electronic engineering Kappa Quantum tunneling Threshold voltage Moore's Law Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor IBM Intel Micron Technology Nanometer Capacitance Silicon on insulator Silicon Gurtej Sandhu Dielectric constant Subthreshold conduction Silicon–germanium Thermal oxidation Semiconductor node Hafnium silicate Zirconium silicate Semiconductor manufacturing Subthreshold leakage

Faceted Search & Find service v1.17_git139 as of Feb 29 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 08.03.3330 as of Mar 19 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (378 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software