| rdfs:comment
| - Hybrid Memory Cube (HMC) is a high-performance computer random-access memory (RAM) interface for through-silicon vias (TSV)-based stacked DRAM memory competing with the incompatible rival interface High Bandwidth Memory (HBM). (en)
- La mémoire Hybrid Memory Cube (HMC) est une mémoire constituée de couches empilées de mémoire de type DRAM. Cet empilement donne une troisième dimension à la mémoire (habituellement organisée sur une grille bidimensionnelle), d'où le terme cube. La partie de contrôle et la partie stockage de la mémoire sont fusionnées (habituellement, ce sont deux entités séparées sur une DRAM), d'où le terme « Hybrid ». (fr)
- Hybrid Memory Cube (HMC) je rozhraní RAM využívající zkonstruované na technologii TSV (through-silicon via) architektonicky založené na stohování DRAM pamětí. Toto rozhraní je velice blízkým konkurentem (HBM) neboli rozhraní na bázi vysoké prostupnosti pamětí. Hybrid Memory Cube bylo představeno společností Micron Technology v roce 2011 a slibuje rychlost 15krát větší než dosavadní DDR3. Hybrid Memory Cube Consorcium (HMCC) se opírá o několik významných technologických společností jako jsou Samsung, , , ARM, HP, Microsoft, a Xilinx. (cs)
- Hybrid Memory Cube (HMC) is een type van RAM geheugen. Het geheugen is ontwikkeld door Micron Technology en Samsung. Dit geheugen werd ondersteund door het Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) bestaande uit Samsung, , ARM, HP,IBM, Altera en Xilinx. (nl)
- Hybrid Memory Cube (HMC) — перспективный тип компьютерной оперативной памяти, разработанный в начале 2010-х годов консорциумом компаний в составе: Samsung, Micron Technology, ARM, Hewlett-Packard, Microsoft, Altera, Xilinx. Технология получила награду в номинации «за лучшую новую технологию» от аналитиков в 2011 году. Третья версия стандарта ожидалась в 2016 году. (ru)
|
| has abstract
| - Hybrid Memory Cube (HMC) je rozhraní RAM využívající zkonstruované na technologii TSV (through-silicon via) architektonicky založené na stohování DRAM pamětí. Toto rozhraní je velice blízkým konkurentem (HBM) neboli rozhraní na bázi vysoké prostupnosti pamětí. Hybrid Memory Cube bylo představeno společností Micron Technology v roce 2011 a slibuje rychlost 15krát větší než dosavadní DDR3. Hybrid Memory Cube Consorcium (HMCC) se opírá o několik významných technologických společností jako jsou Samsung, , , ARM, HP, Microsoft, a Xilinx. HMC kombinuje křemíkové průchody (TSV) a mikrovýstupky pro připojení více (v současné době 4-8) paměťových buněk v řadách nad sebou. Paměťový řadič je integrován jako samostatný obvod. HMC používá standardní DRAM buňky, ale má více datových schránek než klasické DRAM paměti stejné velikosti. Rozhraní HMC je nekompatibilní s žádnou z aktuálních DDRn (DDR2 nebo DDR3, DDR4) implementací. HMC technologie vyhrála v roce 2011 cenu za "nejlepší novou technologii" od (vydavatel časopisu Mikroprocesor Report). První veřejné specifikace se HMC dočkalo v dubnu roku 2013, v podobě HMC 1.0. Podle té používá HMC 16 nebo 8 pruhové full-duplex sériové linky. Každý HMC „balíček“ nazýváme krychle nebo kostka, které mohou být řetězeny a vytvářeny tak sítě až 8 krychlí. Typická krychle obsahuje 4 linky a má 896 BGA pinů. Velikost takovéto krychle je 31×31×3,8 mm. (cs)
- Hybrid Memory Cube (HMC) is a high-performance computer random-access memory (RAM) interface for through-silicon vias (TSV)-based stacked DRAM memory competing with the incompatible rival interface High Bandwidth Memory (HBM). (en)
- La mémoire Hybrid Memory Cube (HMC) est une mémoire constituée de couches empilées de mémoire de type DRAM. Cet empilement donne une troisième dimension à la mémoire (habituellement organisée sur une grille bidimensionnelle), d'où le terme cube. La partie de contrôle et la partie stockage de la mémoire sont fusionnées (habituellement, ce sont deux entités séparées sur une DRAM), d'où le terme « Hybrid ». (fr)
- Hybrid Memory Cube (HMC) is een type van RAM geheugen. Het geheugen is ontwikkeld door Micron Technology en Samsung. Dit geheugen werd ondersteund door het Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) bestaande uit Samsung, , ARM, HP,IBM, Altera en Xilinx. In tegenstelling tot DDR3 type geheugen gebruikt HMC 3d stapelen met Through Silicon Via (TSV) verbindingen.Ook wordt het DRAM en de logische schakelingen op een aparte die gezet. Dit geeft als voordeel dat men de beste productietechnologieën kan gebruiken.Hierdoor zal HMC een snelheid van 160 GB/s tot maximaal 320 GB/s halen met een energiebesparing van 70% tegenover DDR3 ram. (nl)
- Hybrid Memory Cube (HMC) — перспективный тип компьютерной оперативной памяти, разработанный в начале 2010-х годов консорциумом компаний в составе: Samsung, Micron Technology, ARM, Hewlett-Packard, Microsoft, Altera, Xilinx. HMC использует трёхмерную микросборку из нескольких (от 4 до 8) чипов DRAM-памяти, выполненную при помощи технологии сквозных межкремниевых соединений (англ. through-silicon vias) и микроконтактных выводов microbump. По сравнению с классическими чипами DRAM (SDRAM), используется больше банков памяти. Контроллер памяти интегрирован в микросборку в качестве отдельного логического кристалла. HMC использует стандартные ячейки памяти, но её интерфейс несовместим с реализациями DDR2 или DDR3. Технология получила награду в номинации «за лучшую новую технологию» от аналитиков в 2011 году. Первая версия спецификации HMC 1.0 была опубликована в апреле 2013 года. В соответствии с ней HMC использует каналы из 8 или 16 полнодуплексных дифференциальных последовательных линий, каждая линия работает со скоростью в 10, 12,5 либо 15 Гбит/с. Микросборка HMC называется «куб» (cube); несколько кубов могут соединяться друг с другом, образуя сеть размером до 8 кубов. Некоторые каналы используются в такой сети для прямой связи между кубами. Типичный куб с 4 каналами представляет собой микросборку размером 31×31×3,8 мм и имеет 896 выводов BGA. Канал из 16 линий, работающих на 10 Гбит/с, имеет пропускную способность в 40 ГБ/с (20 ГБ/с на приём и 20 ГБ/с на передачу); планируются кубы с 4 или 8 такими каналами. Эффективность использования пропускной способности составляет 33—50 % для пакетов размером 32 байта и 45—85 % для пакетов в 128 байт. Как сообщалось на конференции HotChips 23 в 2011 году, первое поколение демонстрационных кубов HMC, собранное из 4 кристаллов DRAM памяти (50 нм) и одного 90-нм кристалла логики, имело объём 512 МБ и размер 27×27 мм. Для питания использовалось напряжение 1,2 В, энергопотребление составило 11 Вт. Altera объявила о совместимости с HMC своих программируемых микросхем 10-го поколения (Arria 10, Stratix 10). Возможно использование до 16 трансиверов на линк. Первым процессором, использующим HMC-память, стал объявленный в 2014 году Fujitsu Sparc64 XIfx (использовался в суперкомпьютерах PRIMEHPC FX100). В ноябре 2014 года была представлена вторая версия спецификации HMC, позже она была обновлена до версии 2.1. Во второй версии HMC вдвое увеличена плотность и пропускная способность, предложены способы создания чипов из 8 кристаллов DRAM памяти и одного кристалла логики с применением 3DI и TSV; скорости линков — 12,5, 15, 25, 28 и 30 Гбит/с; ширина линка — 4, 8 или 16 пар, 2 или 4 линка на микросборку; изменён логический протокол, расширена поддержка атомарных операций. Третья версия стандарта ожидалась в 2016 году. (ru)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)