| rdfs:comment
| - Cèl·lula multinivell (MLC n'és l'acrònim anglès), en electrònica, és un element de memòria capaç d'emmagatzemar més d'un bit d'informació. Les MLC s'empra en memòries flaix tipus NAND per a permetre emmagatzemar més bits d'informació emprant el mateix nombre de transistors. En una cèl·lula d'un nivell (SCL) cada transistor només guarda dos estats (0/1). La majoria de memòries flaix tenen 2 bits per cèl·lula, per tant 4 possibles estats. L'inconvenient és la reducció del marge de separació dels estats i la major probabilitat d'error. (ca)
- 플래시 메모리 기술 분야에 있어서, 멀티 레벨 셀(Multi-level Cell, 약어 MLC)이란 멀티플 레벨(multiple level)을 활용하여 한 셀 당 1 비트 이상의 정보를 저장하는 기술을 일컫는다. 셀 당 싱글 레벨(single level)을 활용하는 싱글 레벨 셀 NAND 플래시 기술과 대조된다. 현재 상용화된 기술로는 한 셀 당 최대 4 스테이트(state)를 갖게 할 수 있다. 셀 당 2 비트의 정보를 저장하게 된다. 스테이트 간의 여유분(margin)이 줄어들면서 오류가 생길 가능성이 높아지기는 한다. 멀티 레벨 셀 NAND는, 더 저장 밀도가 높아졌기 때문에 값이 싸다. 하지만 비트 오류율(BER)을 보상하기 위해, 소프트웨어 복잡도는 증가할 수 있다. BER이 높기 때문에, 5개 까지의 불량 비트를 정정하고, 5 불량 비트 이상의 오류를 발견할 수 있는 알고리즘이 요구된다. 일반적으로 흔히 이용되는 알고리즘은 보스-차우드허리-호킹검 알고리즘이다. 싱글 레벨 셀 NAND 플래시 기술 대비, 일반적으로 셀 당 전력 소모가 조금 크나, 용량 당 제조 비용은 적다. (ko)
- 電子工学において、記憶素子当たり1ビットしか格納し得ない単値記憶素子（SLC）に対して、多値記憶素子（MLC）は単一のビットよりも多くの情報を格納し得る記憶素子である。 記憶素子は大抵単体の浮遊ゲートMOSFET（金属酸化物半導体電解効果トランジスタ）の組み合わせである、従って多値記憶素子は、単値記憶素子と同じデータの総量を必要とする場合、複数のMOSFETの個数を減らす。 (ja)
- 多层单元（英語：multi-level cell，缩写MLC）是一种存储多个位元信息的存储器元件。 MLC NAND闪存是一种在每个单元（cell）上使用多个层次的闪存技术，从而允许相同数量的晶体管存储更多位元。在单层单元（SLC）NAND闪存技术中，每个单元只能处于两种状态中的一种，即每个单元存储一个位元。很多MLC NAND闪存在每个单元中存储四个可能的状态，因此可以用每个单元存储两个位元。这减少了区分状态的余量，从而增加了发生错误的可能性。面向低错误率而设计的多层单元有时称之为企业级MLC（eMLC）。 三层单元（Triple-level cells，缩写TLC）是MLC存储器的一种子类型，并随着MLC存储器的演变而有着较混乱的命名法。記憶體階層表现为如下顺序： 1.
* SLC - （最快，極高成本） 2.
* MLC - （中上，高成本） 3.
* TLC - （中等，低成本） 4.
* QLC - （最慢，極低成本） (zh)
- Víceúrovňová buňka (MLC, anglicky multi-level cell) je v elektronice paměťový prvek schopný ukládat více než jeden bit informace, ve srovnání s jednoúrovňovou buňkou (SLC), která může uložit pouze jeden bit v paměťovém prvku. Trojúrovňové buňky (TLC) a čtyřúrovňové buňky (QLC) jsou verzí MLC paměti, která může ukládat v buňce 3 a 4 bity. Na základě konvence, označení „víceúrovňová buňka" , bývá často přirovnáváno k „dvojúrovňové buňce", což je mírně zavádějící. Hierarchie pamětí je setříděna následovně: (cs)
- MLC-Speicherzellen (MLC kurz für englisch multi-level cell) sind Speicherzellen, in denen mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert wird. Um das zu ermöglichen, wird die in einer Speicherzelle hinterlegte Ladungsmenge feiner dosiert und beim Auslesen auch genauer ausgewertet, um mehr als zwei mögliche Zustände zu unterscheiden und mehr als ein Bit abspeichern zu können. Speicher mit nur einem Bit pro Zelle wird als single-level cell (SLC) bezeichnet. (de)
- En électronique, une cellule multi-niveaux (MLC, multi-level cell en anglais) est un élément de mémoire capable de stocker plus d'un bit d'information. Le flash MLC NAND est une technologie de mémoire flash utilisant plusieurs niveaux par cellule permettant le stockage de davantage de bits avec le même nombre de transistors. Une cellule mono-niveau (SLC, single-level cell en anglais) NAND peut exister sous deux états électriques différents. Elle permet donc le stockage d'un seul bit d'information. La plupart des mémoires flash MLC NAND possède des cellules pouvant exister sous quatre états différents, de manière à pouvoir stocker deux bits d'information par cellule. Ceci réduit la marge séparant les états et résulte en l'exposition à davantage d'erreurs. Les cellules multi-niveaux conçues (fr)
- In electronics, a multi-level cell (MLC) is a memory cell capable of storing more than a single bit of information, compared to a single-level cell (SLC), which can store only one bit per memory cell. A memory cell typically consists of a single floating-gate MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor), thus multi-level cells reduce the number of MOSFETs required to store the same amount of data as single-level cells. Notice that this nomenclature can be misleading, since an "n-level cell" in fact uses 2n levels of charge to store n bits (see below). (en)
- Multi Level Cell, MLC (z ang. komórka o wielu poziomach, komórka wielostanowa) – technologia pamięci flash. Cechuje się wieloma stanami napięć w każdej komórce, co umożliwia zapisanie w niej więcej niż jednego bitu, w przeciwieństwie do pamięci typu SLC (ang. single-level cell), której komórka może znajdować się tylko w dwóch różnych stanach logicznych, przechowując jeden bit informacji. (pl)
- Na eletrônica, uma célula de vários níveis (MLC) é uma célula de memória capaz de armazenar mais de um único bit de informação, em comparação com uma célula de nível único (SLC), que pode armazenar apenas um bit por célula de memória. Uma célula de memória normalmente consiste em uma única porta flutuante MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico), portanto, as células de vários níveis reduzem o número de MOSFETs necessários para armazenar a mesma quantidade de dados que as células de nível único. (pt)
|
| has abstract
| - Cèl·lula multinivell (MLC n'és l'acrònim anglès), en electrònica, és un element de memòria capaç d'emmagatzemar més d'un bit d'informació. Les MLC s'empra en memòries flaix tipus NAND per a permetre emmagatzemar més bits d'informació emprant el mateix nombre de transistors. En una cèl·lula d'un nivell (SCL) cada transistor només guarda dos estats (0/1). La majoria de memòries flaix tenen 2 bits per cèl·lula, per tant 4 possibles estats. L'inconvenient és la reducció del marge de separació dels estats i la major probabilitat d'error. (ca)
- Víceúrovňová buňka (MLC, anglicky multi-level cell) je v elektronice paměťový prvek schopný ukládat více než jeden bit informace, ve srovnání s jednoúrovňovou buňkou (SLC), která může uložit pouze jeden bit v paměťovém prvku. Trojúrovňové buňky (TLC) a čtyřúrovňové buňky (QLC) jsou verzí MLC paměti, která může ukládat v buňce 3 a 4 bity. Na základě konvence, označení „víceúrovňová buňka" , bývá často přirovnáváno k „dvojúrovňové buňce", což je mírně zavádějící. Hierarchie pamětí je setříděna následovně: 1.
* SLC (1 bit v buňce) – nejrychlejší, nejvyšší cena 2.
* MLC (2 bity v buňce) 3.
* TLC (3 bity v buňce) 4.
* QLC (4 bity v buňce) – nejpomalejší, nejlevnější MLC NAND flash je technologie flash paměti používající více úrovní pro každou buňku, která umožňuje uložení více bitů za použití stejného počtu tranzistorů. V jednoúrovňové buňce (SLC – single-level cell) NAND flash technologie může každá buňka existovat v jednom ze dvou stavů ukládající jeden informační bit v každé buňce. Většina MLC NAND flash pamětí má čtyři možné stavy na buňku, takže může uchovávat dva bity informace v každé buňce. Víceúrovňové buňky, které jsou navrženy pro nízkou míru výskytu chyb jsou někdy označovány jako enterprise MLC (eMLC). (cs)
- MLC-Speicherzellen (MLC kurz für englisch multi-level cell) sind Speicherzellen, in denen mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert wird. Um das zu ermöglichen, wird die in einer Speicherzelle hinterlegte Ladungsmenge feiner dosiert und beim Auslesen auch genauer ausgewertet, um mehr als zwei mögliche Zustände zu unterscheiden und mehr als ein Bit abspeichern zu können. Speicher mit nur einem Bit pro Zelle wird als single-level cell (SLC) bezeichnet. Das Abspeichern mehrerer Bits pro Speicherzelle hat den Nachteil, dass im Allgemeinen die Lese- und Schreibgeschwindigkeit geringer ist. Die Zellen reagieren wesentlich empfindlicher auf Ladungsverluste. Geringe Ladungsverluste von 10 Prozent, die bei SLCs keinerlei Rolle spielen, verursachen bei Zellen mit 8 möglichen Zuständen Bitfehler. Es werden die gleichen Fehlerkorrekturverfahren wie in SLCs eingesetzt, allerdings mit einem höheren Kontingent an Korrekturdaten, was den Gewinn an Kapazität wieder etwas schmälert. In der Regel kommen hier BCH-Codes (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem-Codes) zur Anwendung. (de)
|
_(MZ-77Q8T0BW)_20211008_SSD023_corr.png)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
