| rdfs:comment
| - El término transistor 3D (o tridimensional), es usualmente utilizado para referirse a transistores con una arquitectura tridimensional, lo que supone añadir una dimensión adicional a los transistores actuales, los cuales están fabricados en dos dimensiones. La fabricación de transistores tridimensionales no es excesivamente novedosa, si se tiene en cuenta que desde hace alrededor de una década compañías como IBM, TSMC, Infineon e Intel entre otras, vienen desarrollando este tipo de transistores (aunque solamente haya sido en prototipos con fines de investigación). (es)
- Un Dispositivo multiporta (in inglese: multigate device) o multiple gate field-effect transistor (MuGFET) fa riferimento a un MOSFET (transistor semiconduttore metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo.Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta o come elettrodi di porta indipendenti.Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta Multiple Independent Gate Field Effect Transistor (MIGFET).I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori CMOS per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli. (it)
- マルチゲート素子 (英: multigate device、multiple gate field effect transistor、MuGFET) とは、半導体素子であるMOSFETの新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。このトランジスタの構造は、CMOS構造のマイクロプロセッサや記憶素子を製造する半導体メーカーが2011年現在も開発している次世代技術の1つであり、ゲートの配置方法などによって幾つかの形式に分かれるとともに、開発の進展状況も各社で異なる。 マルチゲートは、電気的には単一ゲートのように振舞う複数のゲート面が単一ゲート電極として制御するものや、個別のゲート電極として制御を行うものがある。マルチゲート素子が持つ個別のゲート電極は、MIGFETと呼ばれることがある。 (ja)
- 多閘極電晶體（英語：Mulitgate Device）是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）。它可以用一個電極來同時控制多个閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor（MIGFET）。多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裡摩爾定律（Moore's law）發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了超微半導體、日立、IBM、英飞凌、英特尔、台积电、飞思卡尔、加州大学伯克利分校等等，而ITRS預估多閘極電晶體將是32奈米以下重要的奠基石。實現上主要的障礙來自於製造技術，不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰，特別是顯影以及圖案化技術。其他伴隨發展的包含了通道應力、矽上絕緣（SOI）以及高介電質/金屬閘極材料。 雙閘極電晶體廣泛用於超高頻混頻器（VHF mixers）和超高頻（VHF front end amplifiers）。製造商包含Motorola、NXP和Hitachi。 (zh)
- يشير الجهاز متعدد البوابات أو موسفت متعدد البوابات أو ترانزستور التأثير الحقلي متعدد البوابات (ماغفت) إلى موسفت (ترانزستور التأثير الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات) الذي يتضمن أكثر من بوابة واحدة في جهاز واحد. يمكن التحكم في البوابات المتعددة بواسطة قطب بوابة واحد، حيث تعمل أسطح البوابات المتعددة كهربائيًا بمثابة بوابة واحدة، أو بواسطة الأقطاب الكهربائية لبوابة مستقلة. يُطلق على الجهاز متعدد البوابات الذي يستخدم الأقطاب الكهربائية للبوابة المستقلة أحيانًا ترانزستور متعدد البوابات المستقلة ذو التأثير الحقلي (ميغفت). أكثر الأجهزة متعددة البوابات استخدامًا هي فينفت (ترانزستور الزعفنة ذو التأثير الحقلي) و غافت (ترانزستور البوابة ذو التأثير الحقلي الكامل)، وهي ترانزستورات غير مستوية أو ترانزستورات ثلاثية الأبعاد. (ar)
- A multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET). The most widely used multi-gate devices are the FinFET (fin field-effect transistor) and the (gate-all-around field-effect transistor), which are non-planar transistors, or 3D transistors. (en)
- Мультизатворний польовий транзистор (MuGFET) або мультизатворний MOSFET відноситься до МДН транзисторів (польовий транзистор метал-оксид-напівпровідник), який має більше одного затвора в одному пристрої. Кілька затворів можуть керуватись одним електродом затвора, в такому виконанні кілька поверхонь затвора діють як один затвор. Мулитизатворний польовий транзистор, що має виводи незалежних затворів, іноді називають польовим транзистором із незалежним мультизатвором (MIGFET). Найпоширенішими пристроями з мультизатворами є FinFET (польовий транзистор із вертикальним затвором) та GAAFET (польовий транзистор із затвором «увесь навколо» (gate-all-around field-effect transisto)), які є непланарними транзисторами, або 3D транзисторами . (uk)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)