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Naoki Yokoyama (横山 直樹, Yokoyama Naoki) (March 28, 1949 - ) is a Japanese electrical engineer, active in the fields of nanotechnology and electronic and photonic devices, best known for his success in fabricating and invention of .

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  • 横山 直樹（よこやま なおき、1949年3月28日 -）は、日本の電気工学者。ナノテクノロジーや電子デバイス、フォトニックデバイスの分野で活躍し、ホットエレクトロントランジスタの製造と共鳴トンネルトランジスタの発明に成功したことで最も有名。 大阪生まれ。1971年に大阪市立大学理学部物理学科を卒業し、1973年に大阪大学大学院基礎工学研究科物性物理学専攻修士課程修了（1984年に同大学から博士を取得）。1973年に富士通研究所の半導体デバイス研究所に入所し、2000年にはナノテクノロジー研究センターのフェローおよびゼネラルマネージャーに任命された。東京大学の客員教授でもある。 1987年にGaAsシンポジウム若手科学者賞、1998年にモーリス・N・リーブマン記念賞を「セルフアライメント高融点ゲートガリウムヒ素MESFET集積回路の開発に対する貢献とリーダーシップ」により受賞した。2000年にIEEEフェロー、2003年に電子情報通信学会フェロー、2007年に応用物理学会のフェローに選ばれた。 (ja)
  • Naoki Yokoyama (横山 直樹, Yokoyama Naoki) (March 28, 1949 - ) is a Japanese electrical engineer, active in the fields of nanotechnology and electronic and photonic devices, best known for his success in fabricating and invention of . (en)
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  • Naoki Yokoyama (横山 直樹, Yokoyama Naoki) (March 28, 1949 - ) is a Japanese electrical engineer, active in the fields of nanotechnology and electronic and photonic devices, best known for his success in fabricating and invention of . Yokoyama born in Osaka, Japan, received his bachelor's degree in Physics from Osaka City University (1971), and master's (1973) and PhD (1984) degrees in Engineering from the Graduate School of Engineering Science at Osaka University. He joined the Semiconductor Devices Laboratory of Fujitsu Laboratories Ltd. in 1973, where he was subsequently named a Fellow and General Manager of its Nanotechnology Research Center in 2000. He is also Visiting Professor of the University of Tokyo. Yokoyama received the 1987 GaAs Symposium Young Scientist Award, and 1998 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award "for contributions to and leadership in the development of self-aligned refractory-gate gallium arsenide MESFET integrated circuits." He was elected an IEEE Fellow in 2000, Fellow of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers in 2003, and Fellow of the Applied Physics Society in 2007. (en)
  • 横山 直樹（よこやま なおき、1949年3月28日 -）は、日本の電気工学者。ナノテクノロジーや電子デバイス、フォトニックデバイスの分野で活躍し、ホットエレクトロントランジスタの製造と共鳴トンネルトランジスタの発明に成功したことで最も有名。 大阪生まれ。1971年に大阪市立大学理学部物理学科を卒業し、1973年に大阪大学大学院基礎工学研究科物性物理学専攻修士課程修了（1984年に同大学から博士を取得）。1973年に富士通研究所の半導体デバイス研究所に入所し、2000年にはナノテクノロジー研究センターのフェローおよびゼネラルマネージャーに任命された。東京大学の客員教授でもある。 1987年にGaAsシンポジウム若手科学者賞、1998年にモーリス・N・リーブマン記念賞を「セルフアライメント高融点ゲートガリウムヒ素MESFET集積回路の開発に対する貢献とリーダーシップ」により受賞した。2000年にIEEEフェロー、2003年に電子情報通信学会フェロー、2007年に応用物理学会のフェローに選ばれた。 (ja)
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