Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS (Russian: Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН) is a research institute in Akademgorodok of Novosibirsk, Russia. It was founded in 1964.
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - Rzhanov Institute of Semiconductor Physics (en)
- Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН (ru)
|
| rdfs:comment
| - Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS (Russian: Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН) is a research institute in Akademgorodok of Novosibirsk, Russia. It was founded in 1964. (en)
- Институ́т фи́зики полупроводнико́в им. А. В. Ржанова — один из крупнейших институтов Новосибирского научного центра Сибирского отделения РАН. Основан в 1964 году. У истоков создания ИФП стоял крупный учёный академик Анатолий Васильевич Ржанов. В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования — ЦКП «Наноструктуры». (ru)
|
| foaf:homepage
| |
| name
| - Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS (en)
|
| foaf:depiction
| |
| dct:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| thumbnail
| |
| address
| - Lavrentyev Prospekt 13, Novosibirsk, 630090, Russia (en)
|
| city
| |
| country
| |
| established
| |
| founder
| |
| head
| |
| owner
| |
| website
| |
| has abstract
| - Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the RAS (Russian: Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН) is a research institute in Akademgorodok of Novosibirsk, Russia. It was founded in 1964. (en)
- Институ́т фи́зики полупроводнико́в им. А. В. Ржанова — один из крупнейших институтов Новосибирского научного центра Сибирского отделения РАН. Основан в 1964 году. У истоков создания ИФП стоял крупный учёный академик Анатолий Васильевич Ржанов. В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования — ЦКП «Наноструктуры». В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» — около 220 человек. Общее число научных сотрудников — 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук. В 2022 году институт был включен в санкционные списки США на фоне вторжения России на Украину (ru)
|
| head label
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is Wikipage redirect
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
