| rdfs:comment
| - Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat. El procés convencional és una capa de silici com a substrat. Amb la tecnologia SOI s'aconsegueix reduir les capacitat paràsites. La capa aïllant està formada per diòxid de silici o safir depenent de les prestacions requerides, safir s'utilitza en aplicacions de ràdiofreqüència. (ca)
- Der englische Begriff Silicon-on-Insulator (SOI, deutsch »Silizium auf einem Isolator«) bezeichnet einen speziellen Isolierschicht-Feldeffekttransistor, bei dem eine dünne Siliziumschicht (SOI) durch eine isolierende Schicht (meist buried-oxide, BOX, dt. »vergrabenes Oxid«, genannt) vom Silizium-Substrat getrennt ist. Dieser Aufbau ermöglicht kürzere und geringere Leistungsaufnahmen, besonders bezüglich der Leckströme. Außerdem ergibt sich eine verringerte Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung. (de)
- Silicio sur izolilo (SOI - mallogigo de angla Silicon-On-Insulator) estas teknologio de fabrikado de icoj (ekz. procesoroj). La izolilo povas esti safiro, aero aŭ silicia dioksido. La teknologio permesas atingi pli altajn frekvencojn de procesora kerno sen plia altigo de tensio, kaj penetri . La teknologion uzas ĉiuj famaj produktantoj de icoj (Intel, IBM, AMD kaj ma). (eo)
- La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro. Questa tecnica riduce le , riduce il rischio di nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati. (it)
- Silicon on insulator, SOI är en tillverkningsmetod för halvledare. Resultatet är ett chip i flera lager med omväxlande halvledande kisel och isolerande material. Detta används för att minska parasiterande kapacitans. Det isolerande materialet är oftast kiseldioxid eller safir. Denna elektronikrelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
- Silicio sobre aislante (SOI, silicon on insulator) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un sándwich de capas de semiconductor, aislante y semiconductor. Las láminas de semiconductor suelen ser de silicio, aunque se buscan nuevas alternativas para mejorar las prestaciones de los dispositivos introduciendo nuevos materiales semiconductores como silicio tenso y aleaciones de silicio/germanio. (es)
- Silizioa isolatzailearen gainean (ingelesez: Silicon on insulator edo SOI) mikroelektronikan erdieroaleak fabrikatzeko erabiltzen den teknologietako bat da. Geruzaz antolatutako silizio–isolatzaile–silizio substratuen erabileran datza, era horretan gailuaren murrizteko eta ondorioz, gailuaren funtzionamendua hobetzeko. Isolatzaile elektrikoaren materiala zirkuituaren erabileraren arabera aukeratzen da. Zafiroa errendimendu handiko (RF) eta erradiazioarekiko sentikorrak diren zirkuituetan erabiltzen da. Silizio dioxidoa, berriz, mikroelektronikako gailuetan gutxiagotzeko erabiltzen da. (eu)
- In semiconductor manufacturing, silicon on insulator (SOI) technology is fabrication of silicon semiconductor devices in a layered silicon–insulator–silicon substrate, to reduce parasitic capacitance within the device, thereby improving performance. SOI-based devices differ from conventional silicon-built devices in that the silicon junction is above an electrical insulator, typically silicon dioxide or sapphire (these types of devices are called silicon on sapphire, or SOS). The choice of insulator depends largely on intended application, with sapphire being used for high-performance radio frequency (RF) and radiation-sensitive applications, and silicon dioxide for diminished short-channel effects in other microelectronics devices. The insulating layer and topmost silicon layer also vary (en)
- Le silicium sur isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant. Cet isolant peut être du saphir (Silicon-On-Sapphire), de l'air (Silicon-On-Nothing) ou du dioxyde de silicium (SiO2). (fr)
- SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。 従来の集積回路上のMOSFETは、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していた。この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン（バルクウエハ）と呼ばれる場合がある。 浮遊容量はCMOSのMOSFETに対して、スイッチング時の遅延/電流を増加させる要因であるため、浮遊容量の低減は高速度化/低消費電力化の両方の面で有利になる。 また2次元的な素子間分離にもpn接合の逆方向バイアスによるものではなく、素子下の絶縁膜と結合させた絶縁材を形成することで、完全に分離されたMOSFETを構成できるようにしている。この場合、寄生ダイオードによって意図せず生成されるバイポーラトランジスタを抑制することができ、素子間の浮遊容量/リーク電流を低減することができる。また素子間分離のためのウェルも小さくできるため、PMOS-NMOS間の距離を小さくでき、配置密度を高めることができる。 (ja)
- Silicon-on-insulator en vaak afgekort tot SOI is binnen de halfgeleiderfabricage de methode waarmee een siliciumschakeling gemaakt wordt in de toplaag van een drie-lagen plak (silicium-isolator-silicium). Het doel om voor de SOI-technologie te kiezen is onder andere om de parasitaire capaciteit binnen het device te verkleinen, ten opzichte van het device gemaakt in bulksilicium. (nl)
- W skrócie SOI (z ang. krzem na izolatorze) - czyli podłoże półprzewodnikowe które jest zbudowane z warstwy krzemu na warstwie dielektryka. Podłoża tego typu charakteryzują się między innymi:
* niższą pojemnością pasożytniczą;
* odporność na tzw. latch-up dzięki całkowitej izolacji struktur typu p i n. Lath-up to rodzaj zwarcia występujący w układach scalonych kiedy między kontaktami tranzystora pojawia się obszar o obniżonej rezystancji.
* wysoka wydajność
* zmniejszona zależność działania od temperatury (brak domieszkowania)
* lepszy wydajność dzięki większemu upakowaniu (lepsze wykorzystanie podłoża)
* możliwość znacznego podwyższenia częstotliwości pracy układu elektronicznego
* mniejsza podatność na promieniowanie w przeciwieństwie do układów opartych np. o konstrukcję CMOS
* o (pl)
- Кре́мній на ізоля́торі (КНІ) (англ. Silicon on insulator, SOI) - технологія виготовлення напівпровідникових приладів, заснована на використанні тришарової підкладки зі структурою кремній-діелектрик-кремній замість звичайно застосовуваних монолітних кремнієвих пластин. Дана технологія дозволяє домогтися істотного підвищення швидкодії мікроелектронних схем при одночасному зниженні споживаної потужності і габаритних розмірів. Так, наприклад, максимальна частота перемикання транзисторів, виконаних по технологічному процесу 130 нм, може досягати 200 ГГц. У перспективі, при переході до технологічних процесів з меншим розміром активних елементів (вже існуючого 22 нм, або тільки розроблюваного зараз 10 нм), можливо ще більше підвищення цього показника. Крім власне найменування технології, термін « (uk)
- Кремний на изоляторе (КНИ, англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов (Ft), выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов (уже существующему 22 нм, или только разрабатываемому сейчас[когда?] 10 нм), возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме с (ru)
- SOI全名為Silicon On Insulator，是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思，原理就是在矽電晶體之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈，並減少電流成為省電的IC，在製程上還可以省略部分光罩以節省成本，因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外，在SOI晶圓（SOI wafer）本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現，因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整，達到射頻元件（Radio frequency component、RF component）特性的提升。原本應通過交換器的電子，有些會鑽入矽中造成浪費；SOI可防止電子流失，與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%，並減低耗電30%。除此之外，還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點，可以說是很多超頻玩家所感興趣的，那就是它的工作溫度可高達300°C，減少過熱的問題。 SOI行业联盟是負責推廣SOI技術，成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司，例如AMD和NVIDIA，而Intel並未加入該組織。 (zh)
|
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)