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| - ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد (بالإنجليزية: 1T-SRAM) وهي ذاكرة شبيه بالساكن تم تصميمها من قبل شركة (MoSys)، وهي أكثر كثافة من ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة. فهي تستخدم مقحلا واحد لتخزين كل بت مثل لكنها تحيط هذا المقحل بدائرة تحكم لتعمل مثل ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة. (ar)
- La 1T-SRAM (1-Transistor Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive développée par . Elle a un temps de latence de 1 ns, et elle est utilisée dans la GameCube de Nintendo, ainsi que dans son successeur, la Wii. Le '1T' fait référence à 'un transistor' alors que le bit d'une SRAM est généralement composé de 6 transistors.
* Portail de l’électricité et de l’électronique
* Portail de l’informatique (fr)
- 1T-SRAM(1トランジスタSRAM)はMoSys社が開発した擬似SRAM技術である。 (ja)
- 1T-SRAM is a pseudo-static random-access memory (PSRAM) technology introduced by MoSys, Inc. in September 1998, which offers a high-density alternative to traditional static random-access memory (SRAM) in embedded memory applications. Mosys uses a single-transistor storage cell (bit cell) like dynamic random-access memory (DRAM), but surrounds the bit cell with control circuitry that makes the memory functionally equivalent to SRAM (the controller hides all DRAM-specific operations such as precharging and refresh). 1T-SRAM (and PSRAM in general) has a standard single-cycle SRAM interface and appears to the surrounding logic just as an SRAM would. (en)
- 1T-SRAM es una tecnología de memoria de acceso aleatorio pseudoestático (PSRAM) introducida por MoSys, Inc., que ofrece una alternativa de alta densidad a la memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) tradicional en aplicaciones de memoria integradas. Mosys utiliza una celda de almacenamiento de un solo transistor (celda de bits) como la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero rodea la celda de bits con circuitos de control que hacen que la memoria sea funcionalmente equivalente a SRAM (el controlador oculta todas las operaciones específicas de DRAM, como la precarga y actualizar). 1T-SRAM (y PSRAM en general) tiene una interfaz SRAM estándar de ciclo único y aparece ante la lógica circundante como lo haría una SRAM. (es)
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| - ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد (بالإنجليزية: 1T-SRAM) وهي ذاكرة شبيه بالساكن تم تصميمها من قبل شركة (MoSys)، وهي أكثر كثافة من ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة. فهي تستخدم مقحلا واحد لتخزين كل بت مثل لكنها تحيط هذا المقحل بدائرة تحكم لتعمل مثل ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة. (ar)
- 1T-SRAM is a pseudo-static random-access memory (PSRAM) technology introduced by MoSys, Inc. in September 1998, which offers a high-density alternative to traditional static random-access memory (SRAM) in embedded memory applications. Mosys uses a single-transistor storage cell (bit cell) like dynamic random-access memory (DRAM), but surrounds the bit cell with control circuitry that makes the memory functionally equivalent to SRAM (the controller hides all DRAM-specific operations such as precharging and refresh). 1T-SRAM (and PSRAM in general) has a standard single-cycle SRAM interface and appears to the surrounding logic just as an SRAM would. Due to its one-transistor bit cell, 1T-SRAM is smaller than conventional (six-transistor, or "6T") SRAM, and closer in size and density to embedded DRAM (eDRAM). At the same time, 1T-SRAM has performance comparable to SRAM at multi-megabit densities, uses less power than eDRAM and is manufactured in a standard CMOS logic process like conventional SRAM. MoSys markets 1T-SRAM as physical IP for embedded (on-die) use in System-on-a-chip (SOC) applications. It is available on a variety of foundry processes, including Chartered, SMIC, TSMC, and UMC. Some engineers use the terms 1T-SRAM and "embedded DRAM" interchangeably, as some foundries provide MoSys's 1T-SRAM as "eDRAM". However, other foundries provide 1T-SRAM as a distinct offering. (en)
- 1T-SRAM es una tecnología de memoria de acceso aleatorio pseudoestático (PSRAM) introducida por MoSys, Inc., que ofrece una alternativa de alta densidad a la memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) tradicional en aplicaciones de memoria integradas. Mosys utiliza una celda de almacenamiento de un solo transistor (celda de bits) como la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), pero rodea la celda de bits con circuitos de control que hacen que la memoria sea funcionalmente equivalente a SRAM (el controlador oculta todas las operaciones específicas de DRAM, como la precarga y actualizar). 1T-SRAM (y PSRAM en general) tiene una interfaz SRAM estándar de ciclo único y aparece ante la lógica circundante como lo haría una SRAM. Debido a su celda de bit de un transistor, 1T-SRAM es más pequeña que la SRAM convencional (seis transistores o "6T"), y más cercana en tamaño y densidad a la DRAM incorporada (eDRAM). Al mismo tiempo, 1T-SRAM tiene un rendimiento comparable al SRAM en densidades de varios megabits, utiliza menos energía que eDRAM y se fabrica en un proceso lógico CMOS estándar como SRAM convencional. MoSys comercializa 1T-SRAM como IP física para uso integrado (en la matriz) en aplicaciones System-on-a-chip (SOC). Está disponible en una variedad de procesos de fundación, incluidos Chartered, SMIC, TSMC y UMC. Algunos ingenieros usan los términos 1T-SRAM y "DRAM embebida" indistintamente, ya que algunas fundación es proporcionan 1T-SRAM de MoSys como "eDRAM". Sin embargo, otras fundaciónes ofrecen 1T-SRAM como oferta distinta. (es)
- La 1T-SRAM (1-Transistor Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive développée par . Elle a un temps de latence de 1 ns, et elle est utilisée dans la GameCube de Nintendo, ainsi que dans son successeur, la Wii. Le '1T' fait référence à 'un transistor' alors que le bit d'une SRAM est généralement composé de 6 transistors.
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