About: 22 nm process

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- Rule:
- Inverse Functional Properties:
- "Same As":

About: 22 nm process Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : owl:Thing, within Data Space : dbpedia.demo.openlinksw.com associated with source document(s)
QRcode icon

http://dbpedia.demo.openlinksw.com/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2F22_nm_process

The 22 nm node is the process step following 32 nm in CMOS MOSFET semiconductor device fabrication. The typical half-pitch (i.e., half the distance between identical features in an array) for a memory cell using the process is around 22 nm. It was first demonstrated by semiconductor companies for use in RAM memory in 2008. In 2010, Toshiba began shipping 24 nm flash memory chips, and Samsung Electronics began mass-producing 20 nm flash memory chips. The first consumer-level CPU deliveries using a 22 nm process started in April 2012 with the Intel Ivy Bridge processors.

Attributes	Values
rdfs:label	22 nanòmetres (ca) 22 nanometrů (cs) 22 nm process (en) 22 nanómetros (es) 22 nm (fr) 22 nm (it) 22 nm 공정 (ko) 22 nanômetros (pt) 22纳米制程 (zh)
rdfs:comment	22 nanòmetres (22 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 22 nm. És una millora de la tecnologia de 32 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 40 àtoms de llargada. (ca) 22 nanómetros (22nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 22 milmillonésima parte de un metro. (es) 22 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 32 nm de fabrication par CMOS. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en avril 2012. Les processeurs POWER8 sont produits dans cette technologie, ainsi que les processeurs Intel Ivy Bridge et Haswell. Selon la feuille de route de l'ITRS le successeur du 22 nm est la technologie 14 nm. * Portail de l’électricité et de l’électronique * Portail des micro et nanotechnologies (fr) 22 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 22 nm인 반도체를 다루는 이다. (ko) 22纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。相比先前的制程，自22纳米制程开始，沟道长度不再成为最为重要的因素。台積電研發出了20nmFinFET製程後，將其更名為16nm製程；比較Apple A9晶片的表現，台積電16nm的省電性，確實明顯優於三星的14nm。 22纳米的后继制程是14纳米。 (zh) 22 nanometrů (zkráceně 22 nm) je označení technologie výroby polovodičových součástek typu CMOS. Označení 22 nm odkazuje na typickou poloviční rozteč (tj. poloviční vzdálenost mezi identickými strukturami v poli) jedné paměťové buňky v počítačové paměti. Technologie 22 nm byla poprvé představena v roce 2008 jako technologie pro výrobu počítačových pamětí, avšak první mikroprocesory vyrobené touto technologií byly na trh dodány až v dubnu 2012. Podle plánu ITRS bude po technologii 22 nm následovat technologie 14 nm. (cs) The 22 nm node is the process step following 32 nm in CMOS MOSFET semiconductor device fabrication. The typical half-pitch (i.e., half the distance between identical features in an array) for a memory cell using the process is around 22 nm. It was first demonstrated by semiconductor companies for use in RAM memory in 2008. In 2010, Toshiba began shipping 24 nm flash memory chips, and Samsung Electronics began mass-producing 20 nm flash memory chips. The first consumer-level CPU deliveries using a 22 nm process started in April 2012 with the Intel Ivy Bridge processors. (en) Il processo costruttivo a 22 nm (22 nanometri) è l'evoluzione del processo a 32 nm utilizzato per i microprocessori Intel e AMD (oltre che per altri tipi di circuiti realizzati da altre società del settore) ed è stato introdotto fra il 2011 e il 2012. Il termine "22 nm" indica la dimensione media della lunghezza di canale di ogni singolo transistor Mosfet. Per avere un'idea di cosa voglia dire "22 nm" basti considerare che il virus dell'HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm. (it)
dcterms:subject	International Technology Roadmap for Semiconductors lithography nodes Taiwanese inventions American inventions Japanese inventions
Wikipage page ID	7542898 (xsd:integer)
Wikipage revision ID	1086598539 (xsd:integer)
Link from a Wikipage to another Wikipage	Samsung Electronics Hitachi University of California, Berkeley Intel Developer Forum International Technology Roadmap for Semiconductors 14 nm process International Technology Roadmap for Semiconductors lithography nodes Taiwanese inventions STMicroelectronics NAND gate Moore's law POWER8 American inventions MOSFET Toshiba Tsu-Jae King Liu Wafer (electronics) College of Nanoscale Science and Engineering AMD 32 nm process FinFET Flash memory Central processing unit Die shrink Semiconductor device fabrication Gibibit Japanese inventions Haswell (microarchitecture) Atom Ivy Bridge (microarchitecture) Jeffrey Bokor Static Random Access Memory Chenming Hu TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Transistor CMOS IBM Intel Intel Core Micrometre Micron Technology Nanometre Random-access memory Silicon on insulator Silicon Immersion lithography Semiconductor company NAND flash Tri-gate Freescale Semiconductor node Hynix
sameAs	22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process 22 nm process
dbp:wikiPageUsesTemplate	dbt:Cn dbt:Nbsp dbt:Reflist dbt:Semiconductor_manufacturing_processes dbt:Sequence dbt:Short_description dbt:Use_mdy_dates
list	MOSFET Semiconductor device fabrication
next	14.0 (nanometre)
prev	32.0 (nanometre)
has abstract	22 nanòmetres (22 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 22 nm. És una millora de la tecnologia de 32 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 40 àtoms de llargada. (ca) 22 nanometrů (zkráceně 22 nm) je označení technologie výroby polovodičových součástek typu CMOS. Označení 22 nm odkazuje na typickou poloviční rozteč (tj. poloviční vzdálenost mezi identickými strukturami v poli) jedné paměťové buňky v počítačové paměti. Technologie 22 nm byla poprvé představena v roce 2008 jako technologie pro výrobu počítačových pamětí, avšak první mikroprocesory vyrobené touto technologií byly na trh dodány až v dubnu 2012. Dokument (International Technology Roadmap for Semiconductors) z roku 2006 tvrdí, že ekvivalentní fyzická tloušťka oxidu nebude v měřítku pod 0,5 nm (asi dvojnásobek průměru atomu křemíku), což je očekávaná hodnota použitá v uzlu technologie 22 nm. To je známkou toho, že možnosti škálování technologie CMOS zde dosáhly stropu a představují tak bariéru pro další vývoj podle Mooreova zákona. Podle plánu ITRS bude po technologii 22 nm následovat technologie 14 nm. (cs)

Faceted Search & Find service v1.17_git139 as of Feb 29 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 08.03.3330 as of Mar 19 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (378 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software