In semiconductor manufacturing, the 2 nm process is the next MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) die shrink after the 3 nm process node. As of May 2022, TSMC plans to begin risk 2 nm production at the end of 2024 and mass production in 2025; Intel forecasts production in 2024, and South Korean chipmaker Samsung in 2025.
| Attributes | Values |
|---|
| rdfs:label
| - 2 nanòmetres (ca)
- 2 nm process (en)
- Processo 2 nm (pt)
- 2 нм техпроцес (uk)
- 2纳米制程 (zh)
|
| rdfs:comment
| - 在半导体产业中，2納米制程是在3纳米制程水准之后的下一个微缩制程。到2020年，台积电和英特尔都已经在他们的路线图上有2nm的产品，最早的生产计划将不会早于2023年。 (zh)
- 2 nanòmetres (2 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 2 nm. És una millora de la tecnologia de 3 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 4 àtoms de llargada. (ca)
- In semiconductor manufacturing, the 2 nm process is the next MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) die shrink after the 3 nm process node. As of May 2022, TSMC plans to begin risk 2 nm production at the end of 2024 and mass production in 2025; Intel forecasts production in 2024, and South Korean chipmaker Samsung in 2025. (en)
- Na fabricação de semicondutores, o processo 2 nm é a próxima redução do tamanho de MOSFETs (transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor) após o . Em maio de 2022, a TSMC anunciou planos para iniciar a pré-produção com o processo 2 nm no final de 2024 e produção em massa em 2025; A Intel prevê a produção em seu processo competidor (20A) para 2024, e a fabricante de chips sul-coreana Samsung (2nm) para 2025. (pt)
- У виробництві напівпровідників 2 нм процес є наступним МДН-транзистором (транзистором метал-діелектрик-напівпровідником), який наступним після 3 нм техпроцесу. Станом на 2021 рік очікується, що TSMC почне виробництво 2 нм десь після 2023 року; Intel також прогнозує виробництво до 2024 року. (uk)
|
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| list
| - MOSFET semiconductor device fabrication process (en)
|
| next
| |
| prev
| |
| has abstract
| - 2 nanòmetres (2 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 2 nm. És una millora de la tecnologia de 3 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 4 àtoms de llargada. L'any 2019 l'empresa TSMC va començar la recerca en la tecnologia de 2nm i espera implementar la transició cap al transistor GAAFET de 2nm, tot començant la producció primerenca el 2023-2024. L'empresa Intel també té previst aquesta tecnologia entre 2025 i 2027. (ca)
- In semiconductor manufacturing, the 2 nm process is the next MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) die shrink after the 3 nm process node. As of May 2022, TSMC plans to begin risk 2 nm production at the end of 2024 and mass production in 2025; Intel forecasts production in 2024, and South Korean chipmaker Samsung in 2025. The term "2 nanometer" or alternatively "20 angstrom" (a term used by Intel) has no relation to any actual physical feature (such as gate length, metal pitch or gate pitch) of the transistors. According to the projections contained in the 2021 update of the International Roadmap for Devices and Systems published by IEEE Standards Association Industry Connection, a "2.1 nm node range label" is expected to have a contacted gate pitch of 45 nanometers and a tightest metal pitch of 20 nanometers. However, in real world commercial practice, "2 nm" is used primarily as a marketing term by the semiconductor chip fabrication industry to refer to a new, improved generation of silicon semiconductor chips in terms of increased transistor density (i.e. a higher degree of miniaturization), increased speed and reduced power consumption compared to the previous 3 nm node. (en)
- Na fabricação de semicondutores, o processo 2 nm é a próxima redução do tamanho de MOSFETs (transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor) após o . Em maio de 2022, a TSMC anunciou planos para iniciar a pré-produção com o processo 2 nm no final de 2024 e produção em massa em 2025; A Intel prevê a produção em seu processo competidor (20A) para 2024, e a fabricante de chips sul-coreana Samsung (2nm) para 2025. O termo "2 nanômetros" ou, alternativamente, "20 angstrom" (um termo usado pela Intel) não tem relação com nenhuma característica física real (como comprimento de porta lógica, distância entre contatos ou distância entre portas lógicas) dos transistores. É um termo comercial ou de marketing usado pela indústria de fabricação de chips semicondutores para se referir a uma nova geração aprimorada de chips semicondutores de silício em termos de aumento na densidade de transistores (ou seja, um maior grau de miniaturização), aumento de velocidade e redução do consumo de energia. (pt)
- 在半导体产业中，2納米制程是在3纳米制程水准之后的下一个微缩制程。到2020年，台积电和英特尔都已经在他们的路线图上有2nm的产品，最早的生产计划将不会早于2023年。 (zh)
- У виробництві напівпровідників 2 нм процес є наступним МДН-транзистором (транзистором метал-діелектрик-напівпровідником), який наступним після 3 нм техпроцесу. Станом на 2021 рік очікується, що TSMC почне виробництво 2 нм десь після 2023 року; Intel також прогнозує виробництво до 2024 року. Термін "2 нанометри" або альтернативний "20 ангстрем" (термін, використовуваний Intel) не має відношення до будь-якої фактичної фізичної характеристики транзисторів. Це комерційний термін, використовуваний в напівпровідниковій промисловості для позначення нового, покращеного покоління кремнієвих напівпровідникових чіпів з точки зору збільшення щільності транзисторів, підвищення швидкості та зниження енергоспоживання. (uk)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is Wikipage redirect
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)