| rdfs:comment
| - Avalanche-Dioden oder Lawinendiode sind Z-Dioden, die den Lawineneffekt (Avalanche-Effekt) ausnutzen. Durch entsprechende Dotierungsprofile können in Avalanche-Dioden Bereiche hoher elektrischer Feldstärke erzeugt werden (Multiplikationszone), in denen sich die Anzahl der freien Ladungsträger im Leitungs- oder Valenzband durch Stoßionisation vervielfältigt, und oberhalb der Durchbruchspannung lawinenartig ansteigt. Dieser Effekt hat vielfältige Anwendungsbereiche und zu den Avalanche-Dioden gehören u. a. die (Lawinen-)Laufzeit-Dioden (IMPATT- und TRAPATT-Diode), die Suppressordiode und die Avalanche-Photodioden. Zener-Dioden mit hohen Durchbruchsspannungen, bei denen der Lawinendurchbruch überwiegt, können auch als Avalanche-Dioden angesehen werden. (de)
- アバランシェダイオード（英語：avalanche breakdown diode、略称：ABD）は ダイオードの一種（通常シリコン（珪素）だが、他の半導体から作られることもある）で、特定の逆電圧にてアバランシェ降伏を起こすことにより、として用いられるよう設計されたものである。 ツェナーダイオードは明らかに似た効果を持つが、こちらはツェナー降伏という別の動作メカニズムに依っている。実際にはどのダイオードにも両方の効果が存在するが、ふつうはどちらかが優勢である。典型的には、ツェナーダイオードは数十Vの最大電圧に限定されるが、シリコンアバランシェダイオードには4000Vを超える降伏電圧をもつものもある[1]。 主な特徴としてはマイクロ波及びミリ波において発振や増幅が可能である、雑音が多い、10GHz以上で高出力が得られる、大きな熱損失を生じる、などの点がある。 (ja)
- Een lawinediode of avalanchediode is een diode die berust op het lawine-effect (avalanche breakdown effect). (nl)
- Dioda lawinowa, odmiana diody, która po przekroczeniu napięcia przebicia nie ulega uszkodzeniu i zaczyna przewodzić prąd, używana jest w telekomunikacji do tłumienia przepięć. Stosowana jest również w detekcji promieniowania jako fotodioda. Dzięki dużemu wzmocnieniu możliwa jest detekcja pojedynczych fotonów. (pl)
- 雪崩二極管（avalanche diode）是設計在特定反向電壓下，會突崩潰的二極管，其材料會用矽或是其他半导体材料。雪崩二極管的接合面會經特別設計，避免電流集中及所產生高溫熱點，因此在崩潰時不會破壞二極管。突崩潰是因為少數載子加速到足以使晶格電離的程度，因此產生更多的載子，也造成更進一步的電離。因為突崩潰是在接面上均勻發生的，相較於非雪崩的二極管，雪崩二極管的崩潰電壓不會隨電流而變化，大致呈一定值。 稽納二極體除了外，也會有類似的效應。任何一個二極體都會有這二種效應，但一般會有一個效應明顯較強。雪崩二極管針對突崩潰進行最佳化，因此在崩潰條件下會有很小，但明顯的電壓差。而稽納二極體會維持在高過崩潰電壓的一個電壓下。此特性比較類似氣體放電管，比稽納二極體的保護效果要好。雪崩二極管的電壓有小的正溫度係數，而稽納二極體則是負溫度係數。 (zh)
- فِي الْإِلِكْتِرُونِيَّاتِ، الصِّمَامُ الثُّنَائِيُّ الِانْهِيَارِيُّ هُوَ صِمَامٌ ثُنَائِيٌّ (مَصْنُوعٌ مِنْ السِّيلِيكُونِ أَوْ غَيْرِهِ مِنْ أَشْبَاهِ الْمُوَصِّلَاتِ) مُصَمِّمٍ لِتَجْرِبَةِ الِانْهِيَارِ الِانْهِمَارِيِّ عِنْدَ جُهْدِ انْحِيَازٍ عَكْسِيٍّ مُحَدَّدٍ. تَمَّ تَصْمِيمُ تَقَاطُعِ الصِّمَامِ الثُّنَائِيِّ الِانْهِيَارُ لِمَنْعِ التَّرْكِيزِ الْحَالِيِّ وَالنِّقَاطِ السَّاخِنَةِ النَّاتِجَةِ، بِحَيْثُ لَا يَتَضَرَّرُ الصِّمَامُ الثُّنَائِيُّ بِسَبَبِ الِانْهِيَارِ. يَرْجِعُ الِانْهِيَارُ الِانْهِمَارِيُّ إِلَى تَسَارُعِ نَاقِلَاتِ الْأَقَلِّيَّةِ بِمَا يَكْفِي لِإِنْشَاءِ تَأَيُّنٍ فِي الشَّبَكَةِ الْبَلُّورِيَّةِ، مِمَّا يَنْتِجُ عَنْهُ الْمَزِيدُ مِنْ النَّاقِلَاتِ الَّتِي بِدَوْرِهَا تَخْلُقُ الْمَزِيدَ مِنْ التَّأَيُّنِ. نَظَرًا لِأَنَّ الِانْهِيَارَ الِانْهِمَارِيَّ مُنْ (ar)
- Un díode d'allau, és un díode semiconductor dissenyat especialment per a treballar en inversa. En estos díodes, poc dopats, quan la tensió en polarització inversa abasta el valor de la tensió de ruptura, els electrons que han botat a la banda de conducció per efecte de la temperatura s'acceleren a causa del camp elèctric incrementant la seua energia cinètica, de forma que al col·lidir amb electrons de valència els alliberen; estos al seu torn, s'acceleren i col·lidixen amb altres electrons de valència alliberant-los també, produint-se una allau d'electrons l'efecte del qual és incrementar el corrent conduït pel díode sense a penes increment de la tensió. (ca)
- In electronics, an avalanche diode is a diode (made from silicon or other semiconductor) that is designed to experience avalanche breakdown at a specified reverse bias voltage. The junction of an avalanche diode is designed to prevent current concentration and resulting hot spots, so that the diode is undamaged by the breakdown. The avalanche breakdown is due to minority carriers accelerated enough to create ionization in the crystal lattice, producing more carriers, which in turn create more ionization. Because the avalanche breakdown is uniform across the whole junction, the breakdown voltage is nearly constant with changing current when compared to a non-avalanche diode. (en)
- Un diodo avalancha es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión. (es)
- Лави́нный дио́д — электронный прибор, полупроводниковый диод, разновидность стабилитрона, обычно изготавливаемый из кремния, работа которого основана на обратимом лавинном пробое p-n перехода при обратном включении, то есть при подаче на слой полупроводника с p-типом проводимости (анода) отрицательного относительно n-слоя (катода) напряжения. Таким образом, любые стабилитроны с напряжением стабилизации более 5,1 В можно считать лавинными диодами. Лавинный механизм обратного пробоя используется также в лавинных фотодиодах и диодных генераторах шума. (ru)
- En Avalanchediod är en diod som leder i motsatt riktning när motsatt polaritet närmar sig break-down-spänningen. Dessa är elektroniskt väldigt lika zenerdioder och kallas ofta oegentligt för zenerdioder men de börjar leda av helt andra anledningar dvs lavin-effekten. Detta uppstår när det motsatta fältet över pn-övergången orsakar en våg av jonifiering som man kallar lavin, vilka leder till en stor ström. Lavin-dioder är designade för att bryta ihop vid en väldefinierad motsatt spänning utan att gå sönder. Skillnaden mellan lavin-dioden (som bryter ihop vid 6.2V) och zenerdioden är att kanallängden av den föregående överstiger "medelvägslängden" hos elektronerna så att det finns kollisioner mellan dom i det fria. Den enda praktiska skillnaden mellan dessa och zenerdioder är att deras tempe (sv)
- Лави́нний діо́д — напівпровідниковий діод, різновид стабілітрона, зазвичай виготовляється з кремнію, робота якого заснована на оборотному лавинному пробої p-n переходу при зворотному включенні, тобто при подачі на шар напівпровідника з p-типом провідності (аноду) негативного щодо n-шару (катоду) напруги. Напруга пробою залежить від ступеня легування напівпровідника, чим слабкіше легування, тим більша напруга початку пробою (тобто стабілізації, для стабілітронів). (uk)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
