Ballistic deflection transistors (BDTs) are electronic devices, developed since 2006, for high-speed integrated circuits, which is a set of circuits bounded on semiconductor material. They use electromagnetic forces instead of a logic gate, a device used to perform solely on specified inputs, to switch the forces of electrons. The unique design of this transistor includes individual electrons bouncing from wedge-shaped obstacles called deflectors. Initially accelerated by electric field, electrons are then guided on their respective paths by electromagnetic deflection. Electrons are therefore able to travel without being scattered by atoms or defects, thus resulting in improved speed and reduced power consumption.
| Attributes | Values |
|---|
| rdfs:label
| - Transistors de deflexió balística (ca)
- Ballistic deflection transistor (en)
- Баллистический транзистор (ru)
- Балістичний транзистор (uk)
|
| rdfs:comment
| - Ballistic deflection transistors (BDTs) are electronic devices, developed since 2006, for high-speed integrated circuits, which is a set of circuits bounded on semiconductor material. They use electromagnetic forces instead of a logic gate, a device used to perform solely on specified inputs, to switch the forces of electrons. The unique design of this transistor includes individual electrons bouncing from wedge-shaped obstacles called deflectors. Initially accelerated by electric field, electrons are then guided on their respective paths by electromagnetic deflection. Electrons are therefore able to travel without being scattered by atoms or defects, thus resulting in improved speed and reduced power consumption. (en)
- Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость электронов определяется фермиевской скоростью, а не дрейфовой скоростью, связанной с подвижностью носителей тока. Для реализации такого типа транзистора необходимо исключить рассеяние на дефектах кристалла в токовом канале (включая рассеяние на фононах), что можно достичь только в очень чистых (ru)
- Балістичний транзистор — збірна назва електронних пристроїв, де носії струму рухаються без дисипації енергії і довжина вільного пробігу носіїв набагато більша розміру каналу транзистора. В теорії ці транзистори дозволять створити високочастотні (ТГц діапазон) інтегральні схеми, оскільки швидкодія транзисторів визначається часом прольоту електронів між емітером і колектором або, іншими словами, відстанню між контактами, поділеній на швидкість електронів. У балістичному транзисторі швидкість електронів визначається фермієвською, а не дрейфовою швидкістю пов'язаної з рухливістю носіїв заряду. (uk)
|
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| has abstract
| - Ballistic deflection transistors (BDTs) are electronic devices, developed since 2006, for high-speed integrated circuits, which is a set of circuits bounded on semiconductor material. They use electromagnetic forces instead of a logic gate, a device used to perform solely on specified inputs, to switch the forces of electrons. The unique design of this transistor includes individual electrons bouncing from wedge-shaped obstacles called deflectors. Initially accelerated by electric field, electrons are then guided on their respective paths by electromagnetic deflection. Electrons are therefore able to travel without being scattered by atoms or defects, thus resulting in improved speed and reduced power consumption. (en)
- Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость электронов определяется фермиевской скоростью, а не дрейфовой скоростью, связанной с подвижностью носителей тока. Для реализации такого типа транзистора необходимо исключить рассеяние на дефектах кристалла в токовом канале (включая рассеяние на фононах), что можно достичь только в очень чистых материалах, таких как гетероструктура GaAs/AlGaAs. Двумерный электронный газ, сформированный в GaAs квантовой яме, обладает высокой подвижностью при низкой температуре и соответственно большей, чем в других материалах, длиной свободного пробега, что позволяет создавать при помощи электронной литографии устройства, где траекторией электронов можно управлять с помощью затворов или зеркально рассеивающих дефектов, хотя обычный полевой транзистор тоже будет работать как баллистический (при достаточно малых размерах). Баллистические транзисторы также созданы на основе углеродных нанотрубок, где благодаря отсутствию обратного рассеяния (длина свободного пробега увеличивается до линейного размера трубки) рабочие температуры даже выше, чем в случае с GaAs. (ru)
- Балістичний транзистор — збірна назва електронних пристроїв, де носії струму рухаються без дисипації енергії і довжина вільного пробігу носіїв набагато більша розміру каналу транзистора. В теорії ці транзистори дозволять створити високочастотні (ТГц діапазон) інтегральні схеми, оскільки швидкодія транзисторів визначається часом прольоту електронів між емітером і колектором або, іншими словами, відстанню між контактами, поділеній на швидкість електронів. У балістичному транзисторі швидкість електронів визначається фермієвською, а не дрейфовою швидкістю пов'язаної з рухливістю носіїв заряду. Для реалізації такого типу транзистора необхідно виключити розсіювання носіїв на дефектах кристалу в струмовому каналі (включаючи розсіювання на фононах), що можна досягти лише в дуже чистих матеріалах, таких як гетероструктура GaAs/AlGaAs. Двовимірний електронний газ, сформований в GaAs квантовій ямі характеризується високою рухливістю при низькій температурі і відповідно більшою, ніж в інших матеріалах довжиною вільного пробігу, що дозволяє створювати за допомогою електронної літографії пристрої, де траєкторією електронів можна управляти за допомогою затворів або дзеркально розсіювальних дефектів, хоча звичайний польовий транзистор при досить малих розмірах теж буде працювати як балістичний. Балістичні транзистори також створені на основі вуглецевих нанотрубок, де завдяки відсутності зворотного розсіювання (довжина вільного пробігу збільшується до лінійного розміру трубки) робочі температури навіть вищі, ніж у випадку з GaAs. (uk)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is Wikipage redirect
of | |
| is Wikipage disambiguates
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)