| rdfs:comment
| - Charge trap flash (CTF) is a semiconductor memory technology used in creating non-volatile NOR and NAND flash memory. It is a type of floating-gate MOSFET memory technology, but differs from the conventional floating-gate technology in that it uses a silicon nitride film to store electrons rather than the doped polycrystalline silicon typical of a floating-gate structure. This approach allows memory manufacturers to reduce manufacturing costs five ways: (en)
- Charge-Trapping-Speicher, englisch charge-trap flash, CTF ist eine Halbleiterspeichertechnik, die primär bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtflüchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird. Im Unterschied zu der alternativen Floating-Gate-Flashspeichern werden bei CT-Speichern die Ladungen (engl. charge) nicht auf einem elektrisch isolierten Gate aus Polysilizium zwischen dem Kanal und dem Kontroll-Gate gespeichert, sondern die Elektronen und Defektelektronen werden an (engl. trapping center) einer Schicht aus Siliciumnitrid, die vom Kanal durch eine dünne Tunneloxidschicht getrennt ist, gehalten. (de)
- Charge Trap Flash (CTF, память с ловушкой заряда) — технология компьютерной флеш-памяти, известная с 1967 года и используемая для создания NOR и NAND накопителей с 2002 и 2008 годов, соответственно. Она отличается от широко использовавшейся до 2010 года технологии флеш-памяти на MOSFET-транзисторах с плавающим затвором тем, что использует для хранения электронов плёнку нитрида кремния, а не поликремний с допирующими элементами. За счёт перехода на CTF производители памяти смогли снизить стоимость производства за счёт: (ru)
|
| has abstract
| - Charge-Trapping-Speicher, englisch charge-trap flash, CTF ist eine Halbleiterspeichertechnik, die primär bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtflüchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird. Im Unterschied zu der alternativen Floating-Gate-Flashspeichern werden bei CT-Speichern die Ladungen (engl. charge) nicht auf einem elektrisch isolierten Gate aus Polysilizium zwischen dem Kanal und dem Kontroll-Gate gespeichert, sondern die Elektronen und Defektelektronen werden an (engl. trapping center) einer Schicht aus Siliciumnitrid, die vom Kanal durch eine dünne Tunneloxidschicht getrennt ist, gehalten. Der Vorteil von Charge-Trapping-Flashspeichern gegenüber Floating-Gate-Flashspeichern besteht in einer höheren Speicherdichte pro Chipfläche, das heißt einer höheren Ausbeute, weniger Prozessschritte bei der Herstellung des Speicherchips, der leichteren Integrationsmöglichkeit von Flashspeicher mit anderen Halbleiterschaltungen wie beispielsweise einem Mikrocontroller in einem Chip, und einer höheren Anzahl an Schreibzyklen. Charge-Trapping-Speicher wurden bis Anfang der 2000er-Jahre vor allem bei kleineren EEPROM-Speichern eingesetzt, während die auf hohe Speicherkapazitäten ausgelegten NAND-Flash zunächst primär mit kostengünstigeren Floating-Gate-Transistoren realisiert wurden. Aufgrund der Vorteile von Charge-Trapping-Flashspeichern werden seit Mitte der 2000er-Jahre auch zunehmend NAND-Flash im oberen Speichersegment mittels Charge-Trapping-Speicher ausgeführt. (de)
- Charge trap flash (CTF) is a semiconductor memory technology used in creating non-volatile NOR and NAND flash memory. It is a type of floating-gate MOSFET memory technology, but differs from the conventional floating-gate technology in that it uses a silicon nitride film to store electrons rather than the doped polycrystalline silicon typical of a floating-gate structure. This approach allows memory manufacturers to reduce manufacturing costs five ways: 1.
* Fewer process steps are required to form a charge storage node 2.
* Smaller process geometries can be used (therefore reducing chip size and cost) 3.
* Multiple bits can be stored on a single flash memory cell 4.
* Improved reliability 5.
* Higher yield since the charge trap is less susceptible to point defects in the tunnel oxide layer While the charge-trapping concept was around earlier, it wasn't until 2002 that AMD and Fujitsu produced high-volume charge-trapping flash memory. They began the commercial production of charge-trapping flash memory with the introduction of the GL NOR flash memory family. The same business, now operating under the Spansion name, has produced charge trapping devices in high volume since that time. Charge trapping flash accounted for 30% of 2008's $2.5 billion NOR flash market. Saifun Semiconductors, who licensed a large charge trapping technology portfolio to several companies, was acquired by Spansion in March 2008. From the late 2000s, CTF became a core component of 3D V-NAND flash memory developed by Toshiba and Samsung Electronics. (en)
- Charge Trap Flash (CTF, память с ловушкой заряда) — технология компьютерной флеш-памяти, известная с 1967 года и используемая для создания NOR и NAND накопителей с 2002 и 2008 годов, соответственно. Она отличается от широко использовавшейся до 2010 года технологии флеш-памяти на MOSFET-транзисторах с плавающим затвором тем, что использует для хранения электронов плёнку нитрида кремния, а не поликремний с допирующими элементами. За счёт перехода на CTF производители памяти смогли снизить стоимость производства за счёт:
* меньшего количества технологических этапов для формирования ячейки
* возможности использования более тонких технологических процессов (30, 20 нм и немного меньше)
* упрощения хранения нескольких бит в одной ячейке (например, MLC — хранение 2 бит в виде 4 возможных уровней заряда)
* повышения надежности
* более высокого выхода годных, поскольку технология меньше подвержена точечным дефектам в туннельном слое оксида. Производство флеш-памяти на основе CTF было освоено AMD в партнёрстве с Fujitsu ещё в 2002 году (семейство флеш-памяти GL NOR, ныне принадлежит компании ). В 2008 году CTF память составляла около 30 % от рынка NOR памяти, общим объёмом в 2,5 млрд долларов США. Многие производители NAND флеш-памяти перешли с плавающих затворов на CTF в 2008—2010 годах, когда техпроцесс стал приближаться к 20 нм. Во всех вариантах трехмерной компоновки ячеек флеш-памяти (3D NAND), включая V-NAND (Samsung), применяется CTF. (ru)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
