| rdfs:comment
| - ثنائي قن (بالإنجليزية: Gunn diode) و على عكس ما يوحي الاسم فهو ليس ثنائيا مثل الثنائي الضوئي أو الثنائي المشع و لكن يسمى بهذا الاسم لانه ثنائي الأطراف أولا و مصنوع من مادة شبه موصلة ثانيا. يستعمل هذا الثنائي لتوليد موجات كهرومغناطيسية بترددات تتراوح ما بين 1 جيجا و 100 جيجا و حتى نطاق التيراهرتز. يستهلك هذا الثنائي ما بين 1 إلى 5 واط وكفائته تتراوح من 0.2 % إلى 20 % و بقية الطاقة تتبدد على شكل حرارة و لذلك يقتضي استعمال لامتصاص الحرارة التي يمكن لها أن تتلف الثنائي. يعتمد الثنائي في عمله على ظاهرة قن. (ar)
- Die Gunndiode oder Gunnelement ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement, das für die Mikrowellenerzeugung eingesetzt wird. Es handelt sich um keine Halbleiterdiode im eigentlichen Sinn, jedoch hat es sich bei diesem Bauelement etabliert, von Anode und Kathode zu sprechen, um zwischen dem positiven und negativen Kontakt zu unterscheiden. Grundlage der Funktion ist der 1963 von John Battiscombe Gunn entdeckte Gunneffekt. (de)
- Gunn diodoa goi-frekuentziako zirkuituetan erabiltzen den diodo mota bat da. Diodo arruntak ez bezala, ez du P motako dopaketarik, eta N motako material erdieroalez egina dago. Gunn diodoak hiru eskualde ditu: horietatik bik N motako dopaketa handia dute eta eskualde horien artean N motako dopaketa txikiko geruza bat jartzen da, bi eskualde horiek bereizteko. Gunn diodoek erresistentzia diferentzial negatiboko eskualde bat dute. egindako Gunn diodoak 200 GHz arte dabiltza. berriz, 3 THz arte. (eu)
- ガン・ダイオード（英: Gunn diode）は、マイクロ波発振器などに使われるダイオードの一種。通常のダイオードがP型半導体とN型半導体から構成されるのに対し、ガン・ダイオードはN型半導体のみにより構成される。物理学者の名に由来する。 素子に電圧をかけていくにつれて素子内部の電子の速度が増加するが、ある臨界値になると結晶格子により電子の速度エネルギーが吸収され、電子の速度が減少する。この臨界値より大きい電圧を結晶にかけると、結晶の中の負電極の近くに電界の高い領域が発生し、この領域が素子の内部を正電極に向けて移動する。この現象が高速で連続することにより、マイクロ波が発生する。出力は小さく、主に通信用のマイクロ波発振器で利用される。 研究レベルでは、テラヘルツを超える周波数のガン・ダイオードも報告されている。 (ja)
- 건 다이오드(Gunn Diode)는 반도체 다이오드의 일종으로 고주파 발진기 등에 활용된다. 1963년 미국 IBM사의 John Battiscombe Gunn에 의해 발명되었으며 일반 다이오드처럼 PN 접합 구조가 아니라 갈륨비소(GaAs),인화인듐(InP) 또는 텔루륨화카드뮴(CdTe) 등의 N형 반도체 양면에 평행으로 전극을 붙여 만들어진다. 에사키 다이오드와 유사하게 부성저항 특성을 나타내며 이를 이용해 마이크로파 대역의 발진소자로 이용된다. 10V내외의 직류전원만 인가하면 발진하므로 회로 구성이 매우 간단한 장점이 있으나 주파수가 온도나 전압에 민감하므로 안정적인 발진을 위해 공동공진기(cavity resonator)나 PLL회로를 구성하여 규격화된 모듈이 통신용에서 사용된다. 진공관 기반의 클라이스트론에 비해 효율이 매우 높으며 소형화에 유리하다. (ko)
- De Gunn-diode is een diode die wordt gebruikt in low noise hoogfrequent toepassingen. Hierbij is het een uitdaging om vermogen te leveren bij hoge frequenties. Hoewel er gesproken wordt van een diode, is er geen pn-junctie aanwezig. Er zijn echter wel twee elektroden. Als symbool wordt soms een gewone diode gebruikt, maar er kan ook gebruik worden gemaakt van twee gevulde driehoeken waarbij de toppen elkaar raken. (nl)
- Діо́д Га́нна (також відомий, як англ. transferred electron device (TED)) — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника. Названий на честь винахідника Джона Ганна. (uk)
- El diodo Gunn es un tipo de diodo usado en la electrónica de potencia y de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa. (es)
- A Gunn diode, also known as a transferred electron device (TED), is a form of diode, a two-terminal semiconductor electronic component, with negative resistance, used in high-frequency electronics. It is based on the "Gunn effect" discovered in 1962 by physicist J. B. Gunn. Its largest use is in electronic oscillators to generate microwaves, in applications such as radar speed guns, microwave relay data link transmitters, and automatic door openers. (en)
- Une diode Gunn est un type de diode utilisée en électronique supra haute fréquence et extrêmement haute fréquence. Cette diode exploite l’effet Gunn se produisant dans des semi-conducteurs, en particulier le GaAs. Contrairement à la diode P-N constituée de deux parties semi-conductrices, l'une dopée en accepteur (dopage de type P) et l'autre en donneur d'électron (type N), la diode Gunn ne nécessite qu'un seul type de dopage de type N. Dans une diode Gunn, trois régions existent, deux d'entre elles, proches des connexions, sont fortement dopées (N++), la fine partie centrale est quant à elle faiblement dopée (N-). (fr)
- Un diodo Gunn, detto anche TED (transferred electron device), è una sorta di diodo usato nell'elettronica ad alta frequenza. Il suo funzionamento è basato sull' (Gunn effect), scoperto nel 1962 dal fisico . Consiste solo di semiconduttore drogato N, mentre solitamente i diodi consistono della giunzione di entrambe le regioni drogate P ed N. Nel diodo Gunn esistono 3 regioni: 2 drogate pesantemente N su entrambi i terminali e, all'interno, uno strato sottile e debolmente drogato. Quando viene applicata una tensione al dispositivo il gradiente elettrico sarà maggiore attraverso lo strato più sottile. La conduzione ha luogo come in ogni semiconduttore, con la corrente proporzionale alla tensione applicata. Alla fine, a valori di campo maggiori, le proprietà conduttive dello strato centrale ve (it)
- Dioda Gunna – półprzewodnikowy lub próżniowy rodzaj diody mikrofalowej przeznaczony do pracy w zakresie częstotliwości mikrofalowych od wartości pojedynczych gigaherców do pojedynczych teraherców. W 1963 roku John Battiscombe Gunn (J.B. Gunn), jako pierwszy zauważył, że w płytkach z arsenku galu niewielkiej grubości, po dostarczeniu im wystarczająco dużego napięcia generowane są bardzo wysokie częstotliwości drgań. Na co dzień diody Gunna wykorzystywane są: (pl)
- Дио́д Га́нна — тип полупроводниковых диодов, не имеющих в структуре p-n-переходов, используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Основан на эффекте Ганна — явлении осцилляций тока в многодолинном проводнике при приложении к нему сильного электрического поля, открытом Джоном Ганном в 1963 году. На основе эффекта Ганна созданы генераторные и усилительные диоды, применяемые в качестве генераторов накачки в параметрических усилителях, гетеродинов в супергетеродинных приемниках, генераторов в маломощных передатчиках и в измерительной технике. (ru)
- En Gunndiod (döpt efter fysikern , på engelska även kallad Transferred Electron Device eller TED) är en form av diod som används i högfrekvenssammanhang. Galliumarsenid (GaAs) tillåter användning i svängningskretsar upp till 200 GHz medan galliumnitrid (GaN) tillåter användning i högre frekvenser - upp till flera THz. Den skiljer sig från andra dioder genom att den bara består av N-dopat material medan de flesta andra typer av dioder består av både P- och N-dopade regioner. (sv)
- 耿氏二极管（英語：Gunn diode，香港作耿氏二極體，台湾作甘恩二極體、剛氏二極體），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，類似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的进一步增加，电流会开始下降。这意味着耿氏二极管具有负阻（Negative resistance）效应，或称负微分电阻（Negative differential resistance）。 用砷化镓（GaAs）材料制造的耿氏二极管可以达到200 GHz的频率，而氮化镓的耿氏二极管可以获得高达3 THz的频率。 耿氏效应及其与的联系，在1970年的一些专著（例如转移电子器件、以及后来电荷传输非线性波动方法等领域的书籍）中被展现。其他一些涉及耿氏二极管的书籍在研究过程中出版，这些资料可以在图书馆等文献机构查阅到。 (zh)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)