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| - Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs. (de)
- Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et ceux avec un canal de type P. (fr)
- Transistor efek medan sambungan (TEMS, JFET atau JUGFET) adalah tipe paling sederhana dari transistor efek medan. Ini dapat digunakan sebagai sebuah sakelar terkendali elektronik atau resistansi terkendali tegangan. Muatan listrik mengalir melalui kanal semikonduktor di antara saluran sumber dan cerat. Dengan memberikan ke saluran gerbang, kanal dijepit, jadi arus listrik dihalangi atau dimatikan sepenuhnya. (in)
- Il transistor ad effetto di campo a giunzione o jFET (acronimo dell'inglese "junction gate Field-Effect Transistor", comunemente pronunciato "gèifet") è un tipo di transistor ad effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il transistor a giunzione bipolare e il transistor a metallo ossido semiconduttore a effetto di campo (MOSFET). (it)
- JFET ou junção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica. Esses materiais podem ser do tipo P (dopado positivamente) ou do tipo N (dopado negativamente) dependendo da dopagem de seu canal, pois eles sempre serão o oposto. Com esses materiais colocados em contato direto com o canal, cria-se uma zona de depleção que é influenciada pelas tensões injetadas no Canal, fazendo com que elas se "abram" ou "fechem" mais, influenciando assim na resistência do canal do JFET. (pt)
- JFET — польовий транзистор з керівним p-n переходом (англ. junction gate field-effect transistor). Він може бути використаний як керований перемикач або як потенціометр, керований напругою. Застосовуючи зворотню напругу зміщення до затвора, канал «затискається», так що протікання електричного струму ускладнене або його повністю вимкнено. (uk)
- 结型场效应管（JFET，英語：junction gate field-effect transistor）是单极场效应管中最简单的一种。它可以分n沟道（n-channel）或者p沟道（p-channel）两种。在下面的论述中主要以n沟道结型场效应管为例，在p沟道结型场效应管中n区和p区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒過来。 (zh)
- الترانزستور الحقلي الوصلي (بالإنجليزية: junction gate field-effect transist، اختصارًا JFET)وهو من أبسط أنواع الترانزستور الحقليّ، يوصل أحياناً بجهد كهربائي على (البوابة) Gate، وبواسطة ذلك الجهد يمكن التحكم في التيار الكهربي بين المنبع (مصدر)Source والمصب (المخرج) Drain. ويوجد نوعان من هذا الترانزستور: 1-مقحل «قناة إن» n-Kanal ، وهو مادة مشوبة «بنوع إن» من التشويب، 2-مقحل «قناة بي» p-Kanal ، وهو مكون من مادة مشوبة «بنوع بي» من التشويب. ملحوظة: الفرق بينه وبين ترانزستور ثنائي الأقطاب هو أن ثنائي الأقطاب مكون من الأجزاء NPN أو PNP . (ar)
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en català: transistor d'efecte camp d'unió) és un dispositiu electrònic, és a dir, un circuit que, segons uns valors elèctrics d'entrada, reacciona donant uns valors de sortida. En el cas dels JFET, en ser transistors d'efecte de camp elèctric, aquests valors d'entrada són les tensions elèctriques, en concret la tensió entre els terminals S (font) i G ( porta), V GS . Segons aquest valor, la sortida del transistor presentarà una corba característica que es simplifica definint-hi tres zones amb equacions definides: tall, òhmica i saturació. (ca)
- JFET, příp. JUGFET (anglicky junction gate field-effect transistor, česky polem řízený tranzistor s přechodovým hradlem), je nejjednodušším typem polem řízeného tranzistoru. Jedná se o polovodičovou součástku se třemi elektrodami označovanými G (anglicky Gate, česky hradlo nebo brána), S (anglicky Source, česky emitor nebo zdroj), a D (anglicky Drain, česky kolektor nebo odtok), kterou lze používat jako elektronicky řízený spínač, zesilovač nebo napětím řízený rezistor. (cs)
- The junction-gate field-effect transistor (JFET) is one of the simplest types of field-effect transistor. JFETs are three-terminal semiconductor devices that can be used as electronically controlled switches or resistors, or to build amplifiers. JFETs are sometimes referred to as depletion-mode devices, as they rely on the principle of a depletion region, which is devoid of majority charge carriers. The depletion region has to be closed to enable current to flow. (en)
- Loturazko eremu-efektu transistorea —ingelesez:Junction Field-Effect Transistor, JFET— hiru terminaleko gailu elektroniko bat da eta elektronikoki kontrolatutako etengailu, anplifikadore edo tentsioren bidez kontrolatutako erresistentzia gisa erabil daiteke. Hiru terminal horiei atea (G), drainatzailea (D) eta iturria (S) deritze. JFET transistoreak, transistore bipolarrak ez bezala, tentsiorekin kontrolatuta denez, ez du polarizazio-korrontearik behar. Karga elektrikoa drainatzaile eta iturriaren artean dagoen N edo P motako arteka semikonduktorearen bidez doa. Alderantzizko tentsio elektriko bat aplikatzean sarrerako terminalean, arteka estutu egiten da eta erresistentzia gehiago suposatzen dio korronteari. (eu)
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).. (es)
- Tranzystor polowy złączowy, JFET (ang. Junction Field-Effect Transistor) – jeden z rodzajów tranzystorów polowych. Tranzystor taki składa się z warstwy półprzewodnika typu n (tranzystor z kanałem typu n) lub typu p (tranzystor z kanałem typu p) oraz wbudowanej w nią, silnie domieszkowanej warstwy półprzewodnika przeciwnego typu (odpowiednio p+ i n+). W rezultacie w tranzystorze jest złącze p-n. Na zewnątrz obudowy wyprowadzone są trzy końcówki: dren (D, drain); źródło (S, source) oraz bramka (G, gate) Tranzystor polowy może działać w trzech zakresach pracy: Podstawowe parametry tranzystora JFET: (pl)
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