Reactive-ion etching (RIE) is an etching technology used in microfabrication. RIE is a type of dry etching which has different characteristics than wet etching. RIE uses chemically reactive plasma to remove material deposited on wafers. The plasma is generated under low pressure (vacuum) by an electromagnetic field. High-energy ions from the plasma attack the wafer surface and react with it.
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - Gravat d'ions reactius (ca)
- Plasma-unterstütztes Ätzen (de)
- Gravure ionique réactive (fr)
- 反応性イオンエッチング (ja)
- Reactive-ion etching (en)
- Реактивное ионное травление (ru)
- Реактивне іонне травлення (uk)
- 反应离子刻蚀 (zh)
|
| rdfs:comment
| - Plasma-unterstütztes Ätzen (physikalisch-chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum nasschemischen Ätzen dar. Der Materialabtrag z. B. von Siliziumdioxid auf Silizium-Wafern erfolgt dabei mithilfe plasmaaktivierter Gase und beschleunigter Ionen (z. B. Argonionen). (de)
- La gravure ionique réactive - ou gravure par ions réactifs - très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive-Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi-conducteurs. Il s'agit d'une technique similaire, dans la mise en œuvre, à une gravure au plasma de type pulvérisation cathodique (sputtering). Cependant, dans cette technique, le plasma réagit, non seulement physiquement, mais aussi chimiquement avec la surface d'un wafer, ce qui en retire une partie ou certaines des substances qui y ont été déposées. Le plasma est généré sous basse pression (10−2 à 10−1 torr) par un ou plusieurs champs électriques voire magnétique. Les ions de haute énergie du plasma attaquent la surface du wafer et réagissent avec. (fr)
- Reactive-ion etching (RIE) is an etching technology used in microfabrication. RIE is a type of dry etching which has different characteristics than wet etching. RIE uses chemically reactive plasma to remove material deposited on wafers. The plasma is generated under low pressure (vacuum) by an electromagnetic field. High-energy ions from the plasma attack the wafer surface and react with it. (en)
- 反応性イオンエッチング (はんのうせいイオンエッチング、Reactive Ion Etching; RIE) はドライエッチングに分類される微細加工技術の一つである。 原理としては、反応室内でにマイクロ波等の電磁波を照射することによりプラズマ化し、同時に試料を置く陰極に高周波電圧を印加する。すると試料とプラズマの間に電位が生じ、プラズマ中のイオン種やラジカル種が試料方向に加速されて衝突する。その際、イオンによるスパッタリングと、エッチングガスの化学反応が同時に起こり、微細加工に適した高い精度でのエッチングが行える。 通常のドライエッチングと違い、異方性エッチングも出来ることが特徴である。 磁性体は反応性イオンエッチングの難しい遷移金属元素を主成分としており、さらに多くは多結晶体であるため、化学的組成や結晶構造の違いを問題としない汎用プロセスの開発が難しく実用化への障壁となっていた。一酸化炭素（CO）ガスを用いたプラズマにアンモニア（NH3）ガスを加えたことでCOプラズマで鉄のエッチングを試みると不均化反応によってCOがCとCO2に分かれて鉄と反応することで蒸発しにくいが生成されるが、NH3ガスを加えるとCOのまま鉄と反応するため、蒸発しやすい鉄カルボニルが生成され、エッチングが可能になる。 (ja)
- Реакти́вное ио́нное травле́ние (РИТ) — технология удаления материала с поверхности подложки (травление), используемая в микроэлектронике, где химически активная плазма используется для удаления материала с подложки. Плазма создаётся при низком давлении при помощи газового разряда. Возникающие в плазме ионы ускоряются разностью потенциалов между ней и обрабатываемой подложкой. Совместное действие физического процесса ионного распыления, и химических реакций , приводит к разрушению материала подложки, либо слоя на подложке с образованием летучих соединений и десорбции их с поверхности. (ru)
- Реакти́вне іо́нне тра́влення (РІТ) — технологія видалення матеріалу з поверхні підкладки (травлення), використовувана в мікроелектроніці, де для видалення матеріалу використовують хімічно активну плазму. Плазма створюється за низького тиску за допомогою газового розряду. Іони, що виникають у плазмі, прискорюються різницею потенціалів між нею і оброблюваною підкладкою. Спільна дія фізичного процесу іонного розпилення, і хімічних реакцій іонної активації, призводить до руйнування матеріалу підкладки, або шару на підкладці з утворенням летких сполук і десорбції їх із поверхні. (uk)
- 反应离子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或简写为RIE）是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。 (zh)
|
| foaf:depiction
| |
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| thumbnail
| |
| has abstract
| - Plasma-unterstütztes Ätzen (physikalisch-chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum nasschemischen Ätzen dar. Der Materialabtrag z. B. von Siliziumdioxid auf Silizium-Wafern erfolgt dabei mithilfe plasmaaktivierter Gase und beschleunigter Ionen (z. B. Argonionen). (de)
- La gravure ionique réactive - ou gravure par ions réactifs - très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive-Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi-conducteurs. Il s'agit d'une technique similaire, dans la mise en œuvre, à une gravure au plasma de type pulvérisation cathodique (sputtering). Cependant, dans cette technique, le plasma réagit, non seulement physiquement, mais aussi chimiquement avec la surface d'un wafer, ce qui en retire une partie ou certaines des substances qui y ont été déposées. Le plasma est généré sous basse pression (10−2 à 10−1 torr) par un ou plusieurs champs électriques voire magnétique. Les ions de haute énergie du plasma attaquent la surface du wafer et réagissent avec. (fr)
- Reactive-ion etching (RIE) is an etching technology used in microfabrication. RIE is a type of dry etching which has different characteristics than wet etching. RIE uses chemically reactive plasma to remove material deposited on wafers. The plasma is generated under low pressure (vacuum) by an electromagnetic field. High-energy ions from the plasma attack the wafer surface and react with it. (en)
- 反応性イオンエッチング (はんのうせいイオンエッチング、Reactive Ion Etching; RIE) はドライエッチングに分類される微細加工技術の一つである。 原理としては、反応室内でにマイクロ波等の電磁波を照射することによりプラズマ化し、同時に試料を置く陰極に高周波電圧を印加する。すると試料とプラズマの間に電位が生じ、プラズマ中のイオン種やラジカル種が試料方向に加速されて衝突する。その際、イオンによるスパッタリングと、エッチングガスの化学反応が同時に起こり、微細加工に適した高い精度でのエッチングが行える。 通常のドライエッチングと違い、異方性エッチングも出来ることが特徴である。 磁性体は反応性イオンエッチングの難しい遷移金属元素を主成分としており、さらに多くは多結晶体であるため、化学的組成や結晶構造の違いを問題としない汎用プロセスの開発が難しく実用化への障壁となっていた。一酸化炭素（CO）ガスを用いたプラズマにアンモニア（NH3）ガスを加えたことでCOプラズマで鉄のエッチングを試みると不均化反応によってCOがCとCO2に分かれて鉄と反応することで蒸発しにくいが生成されるが、NH3ガスを加えるとCOのまま鉄と反応するため、蒸発しやすい鉄カルボニルが生成され、エッチングが可能になる。 (ja)
- Реакти́вное ио́нное травле́ние (РИТ) — технология удаления материала с поверхности подложки (травление), используемая в микроэлектронике, где химически активная плазма используется для удаления материала с подложки. Плазма создаётся при низком давлении при помощи газового разряда. Возникающие в плазме ионы ускоряются разностью потенциалов между ней и обрабатываемой подложкой. Совместное действие физического процесса ионного распыления, и химических реакций , приводит к разрушению материала подложки, либо слоя на подложке с образованием летучих соединений и десорбции их с поверхности. (ru)
- Реакти́вне іо́нне тра́влення (РІТ) — технологія видалення матеріалу з поверхні підкладки (травлення), використовувана в мікроелектроніці, де для видалення матеріалу використовують хімічно активну плазму. Плазма створюється за низького тиску за допомогою газового розряду. Іони, що виникають у плазмі, прискорюються різницею потенціалів між нею і оброблюваною підкладкою. Спільна дія фізичного процесу іонного розпилення, і хімічних реакцій іонної активації, призводить до руйнування матеріалу підкладки, або шару на підкладці з утворенням летких сполук і десорбції їх із поверхні. (uk)
- 反应离子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或简写为RIE）是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。 (zh)
|
| gold:hypernym
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
.svg)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
