This HTML5 document contains 202 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-svhttp://sv.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
n31http://www.semiconductorblog.com/2006/08/08/freescale-mram-an-in-depth-examination/
dbpedia-fihttp://fi.dbpedia.org/resource/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
n43https://web.archive.org/web/20080821214144/http:/wired.com/news/technology/
n4https://web.archive.org/web/20061206192444/http:/www.tfot.info/content/view/95/59/
dbpedia-ethttp://et.dbpedia.org/resource/
n42http://www.research.ibm.com/thinkresearch/pages/2001/
dbpedia-mrhttp://mr.dbpedia.org/resource/
n8http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
n22http://dbpedia.org/resource/Wikt:
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n40http://dbpedia.org/resource/File:
dbphttp://dbpedia.org/property/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-idhttp://id.dbpedia.org/resource/
dbpedia-srhttp://sr.dbpedia.org/resource/
n41https://web.archive.org/web/20080925021347/http:/thefutureofthings.com/news/5401/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
n21http://news.bbc.co.uk/1/hi/technology/
n46https://www.wired.com/news/technology/
dbpedia-vihttp://vi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-pthttp://pt.dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dbpedia-plhttp://pl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
n38https://web.archive.org/web/20081020075408/http:/www.bama.ua.edu/~tmewes/Java/dynamics/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbpedia-nlhttp://nl.dbpedia.org/resource/
n28https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
n30http://www.nec.co.jp/press/en/0602/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#

Statements

Subject Item
dbr:Magnetoresistive_RAM
rdfs:label
MRAM MRAM Магніторезистивна оперативна пам'ять Magnetic Random Access Memory 磁気抵抗メモリ MRAM Magnetoresistive Random Access Memory Magnetoresistive Random Access Memory MRAM 자기 저항 메모리 MRAM 磁阻式隨機存取記憶體 Magnetoresistive RAM MRAM Магниторезистивная оперативная память MRAM
rdfs:comment
MRAM of Magnetoresistive Random Access Memory is een opslagmedium dat werkt met magnetisme. La mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire non volatile de type magnétique. En développement depuis les années 1990, cette technologie n'a jusqu'à présent jamais été commercialisée à grande échelle, notamment à cause de la concurrence des mémoires flash et DRAM. Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a type of non-volatile random-access memory which stores data in magnetic domains. Developed in the mid-1980s, proponents have argued that magnetoresistive RAM will eventually surpass competing technologies to become a dominant or even universal memory. Currently, memory technologies in use such as flash RAM and DRAM have practical advantages that have so far kept MRAM in a niche role in the market. Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird. La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias.​ 자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다. 현재의 메모리, 특히 플래시 램과 디램의 밀도가 꾸준히 늘어나면서, 시장에서 MRAM은 틈새 제품이라는 위치를 벗어나지 못하였다. 그러나 MRAM을 지지하는 사람들은 MRAM의 뛰어난 이점 때문에 MRAM이 결국 시장을 지배하여 가 될 것으로 믿고 있다. 에서 생산 중이며 글로벌파운드리와 삼성을 포함한 다른 기업들은 제품 계획을 발표하였다. MRAM en minnestyp som bygger på lagring av digital information i form av magnetiska fält. Minnestypen har varit under utveckling sedan 90-talet, en första prototyp demonstrerades av det tyska företaget Infineon år 2003. 磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、STT-MRAM（Spin Transfer Torque MRAM）、SOT-MRAM（Spin Orbit Torque MRAM）などの種類がある。 La Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) è una tipologia di memoria non volatile in sviluppo dagli anni novanta che sfrutta l'effetto magnetoresistivo. Il continuo incremento di densità delle memorie flash e delle DRAM hanno relegato le memorie MRAM in un mercato di nicchia, ma i suoi proponenti sono convinti che i vantaggi di questa tecnologia siano così significativi da garantire, in futuro, un'adozione diffusa delle MRAM in ogni campo applicativo. Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Преимущество этого типа памяти — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию (например, программные контексты задач в системе и состояние всей системы) при отсутствии внешнего питания. В России массовый выпуск микросхем и встраиваемых ячеек MRAM-памяти с 2013 года производится в Москве на заводе «Крокус наноэлектроника». La MRAM (RAM magnetorresistiva) és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90. El desenvolupament de la tecnologia existent, principalment Memòria flaix i DRAM han evitat la generalització del seu ús, encara que els seus defensors creuen que els seus avantatges són tan evidents que abans o després arribarà a un ús molt elevat. Магніторезисти́вна операти́вна па́м'ять (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запам'ятовуючий пристрій з довільним доступом, який зберігає інформацію за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів. Найважливіша перевага цього типу пам'яті — енергонезалежність, тобто здатність зберігати записануінформацію (наприклад, програмні контексти задач в системі і стан всієї системи) при відсутності зовнішнього живлення. MRAM (acrônimo para Magneto-resistive Random Access Memory) é um não volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho. O desenvolvimento se baseia em uma nova célula de memória que reduz pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita de dados, uma nova arquitetura com características de alta velocidade e excelente desempenho. Os dois avanços permitirão o desenvolvimento de dispositivos de alta densidade baseados na tecnologia magneto-resistiva. Outras tecnologia parecidas até agora consumiam muita energia e eram baseadas em células - as unidades individuais de armazenamento dos dados. MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji. 磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於DRAM，成為真正的（Universal memory）。它目前由公司生产，其他公司，包括格羅方德(GlobalFoundries)和三星集团已经宣布产品计划。 MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal", yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak , dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrem. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang.
foaf:depiction
n8:MRAM-Cell-Simplified.svg n8:200mm_1_Mb_MRAM_-_D60_Symposium_-_Defense_Advanced_Research_Projects_Agency_-_DSC05568.jpg
dcterms:subject
dbc:Spintronics dbc:Types_of_RAM dbc:Non-volatile_memory dbc:Emerging_technologies
dbo:wikiPageID
315008
dbo:wikiPageRevisionID
1115209192
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Spin_valve dbr:Ball_grid_array dbr:3D_XPoint dbr:Magnetoresistance dbr:NEC dbr:Everspin_Technologies dbr:Central_processing_unit dbr:ReRAM dbr:EEPROM dbr:Motorola dbr:90_nm_process dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Toshiba dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:Low-power_electronics dbr:Magnetic-core_memory dbr:Peter_Grünberg dbr:Avalanche_Technology dbr:NXP_Semiconductors dbr:Spin-Torque_Transfer dbr:Electron dbr:International_Electron_Devices_Meeting dbr:United_Microelectronics_Corporation dbr:Laptop dbr:Ferromagnetism dbr:CPU_cache dbr:Samsung dbr:Sony_Semiconductor_Manufacturing dbr:Spin_torque_transfer dbr:Non-volatile_random-access_memory dbr:Crocus_Technology dbr:Memory_refresh dbr:The_Future_of_Things dbr:Digital_camera dbr:Hynix dbr:Electrical_resistance_and_conductance dbr:Electric_charge n22:roadmap dbr:Aerospace dbr:Sony dbc:Spintronics dbr:Transistor dbc:Non-volatile_memory dbc:Types_of_RAM dbr:NvSRAM dbr:TSMC dbr:Giant_magnetoresistance dbr:Electric_current dbr:Charge_pump dbr:Phase-change_memory dbr:Tunnel_magnetoresistance dbr:Random-access_memory dbr:Physikalisch-Technische_Bundesanstalt dbr:Memristor dbr:Flash_memory dbr:Ramtron_International dbr:Capacitor dbc:Emerging_technologies dbr:Giant_magnetoresistive_effect dbr:Universal_memory dbr:Personal_computer dbr:Flight_data_recorder dbr:MOSFET dbr:Cypress_Semiconductor dbr:Freescale_Semiconductor dbr:Honeywell dbr:Grandis_(company) dbr:Mobile_telephone dbr:Smart_card dbr:Freescale dbr:Bubble_memory dbr:Nano-RAM dbr:Electromagnetic_induction dbr:Infineon dbr:SBIR dbr:Renesas_Technology dbr:GlobalFoundries dbr:Spin-transfer_torque dbr:Albert_Fert n40:MRAM-Cell-Simplified.svg dbr:Static_random-access_memory dbr:Taiwan_Semiconductor_Research_Institute dbr:University_of_California,_Los_Angeles dbr:Buffalo_Technology dbr:SONOS dbr:Bit dbr:Ferroelectric_RAM dbr:Magnetic_domain n40:200mm_1_Mb_MRAM_-_D60_Symposium_-_Defense_Advanced_Research_Projects_Agency_-_DSC05568.jpg dbr:Magnetism dbr:Inston dbr:Thermal_Assisted_Switching
dbo:wikiPageExternalLink
n4: n21:5164110.stm n30:0702.html n31: n38:MagnetizationDynamics2.shtml n41:new-speed-record-for-magnetic-memories.html n42:20010202_mram.shtml n43:0,70190-0.html n46:0,70190-0.html
owl:sameAs
dbpedia-zh:磁阻式隨機存取記憶體 dbpedia-ko:자기_저항_메모리 dbpedia-it:Magnetoresistive_Random_Access_Memory wikidata:Q1061546 dbpedia-fr:Magnetic_Random_Access_Memory dbpedia-sv:MRAM dbpedia-ja:磁気抵抗メモリ dbpedia-ru:Магниторезистивная_оперативная_память dbpedia-vi:Bộ_nhớ_RAM_từ_điện_trở dbpedia-uk:Магніторезистивна_оперативна_пам'ять dbpedia-ca:MRAM n28:8fxA dbpedia-mr:एमरॅम dbpedia-nl:MRAM dbpedia-es:MRAM dbpedia-id:MRAM dbpedia-fi:MRAM dbpedia-de:Magnetoresistive_Random_Access_Memory dbpedia-pl:MRAM dbpedia-sr:Магнетоотпорни_RAM dbpedia-et:MRAM dbpedia-pt:MRAM
dbp:topics
yes
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Short_description dbt:Nbsp dbt:Citation_needed dbt:Memory_types dbt:Cite_journal dbt:Reflist dbt:Cite_web dbt:Use_American_English dbt:Prose dbt:Emerging_technologies dbt:Redirect dbt:Magnetic_storage_media dbt:Div_col dbt:Div_col_end dbt:Webarchive
dbo:thumbnail
n8:MRAM-Cell-Simplified.svg?width=300
dbp:date
2008-08-21
dbp:url
n43:0,70190-0.html
dbo:abstract
磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、STT-MRAM（Spin Transfer Torque MRAM）、SOT-MRAM（Spin Orbit Torque MRAM）などの種類がある。 Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a type of non-volatile random-access memory which stores data in magnetic domains. Developed in the mid-1980s, proponents have argued that magnetoresistive RAM will eventually surpass competing technologies to become a dominant or even universal memory. Currently, memory technologies in use such as flash RAM and DRAM have practical advantages that have so far kept MRAM in a niche role in the market. 磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於DRAM，成為真正的（Universal memory）。它目前由公司生产，其他公司，包括格羅方德(GlobalFoundries)和三星集团已经宣布产品计划。 Магніторезисти́вна операти́вна па́м'ять (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запам'ятовуючий пристрій з довільним доступом, який зберігає інформацію за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів. Найважливіша перевага цього типу пам'яті — енергонезалежність, тобто здатність зберігати записануінформацію (наприклад, програмні контексти задач в системі і стан всієї системи) при відсутності зовнішнього живлення. Технологія магніторезистивної пам'яті розробляється з 1990-х років. В порівнянні зі зростаючим об'ємом виробництва інших типів комп'ютерної пам'яті, особливо флеш-пам'яті і пам'яті типу DRAM, вона поки не так широко розповсюджена. Однак її прихильники вірять, що завдяки ряду переваг, вона зрештою замінить всі типи комп'ютерної пам'яті, і стане по-справжньому «універсальною» комп'ютерною пам'яттю. Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Преимущество этого типа памяти — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию (например, программные контексты задач в системе и состояние всей системы) при отсутствии внешнего питания. Технология магниторезистивной памяти разрабатывается с 1990-х годов. В сравнении с растущим объемом производства других типов компьютерной памяти, особенно флэш-памятью и памятью типа DRAM, она пока широко не представлена на рынке. Однако её сторонники верят, что благодаря ряду преимуществ она может заменить другие типы компьютерной памяти и станет по-настоящему «универсальной» основой запоминающих устройств.Современные варианты магниторезистивной памяти – выпускаемый в настоящее время STT-MRAM (spin-transfer torque MRAM, запись данных с помощью переноса спинового момента) и перспективный SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM, запись данных с помощью спин-орбитального вращательного момента). В России массовый выпуск микросхем и встраиваемых ячеек MRAM-памяти с 2013 года производится в Москве на заводе «Крокус наноэлектроника». MRAM (acrônimo para Magneto-resistive Random Access Memory) é um não volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto desempenho. O desenvolvimento se baseia em uma nova célula de memória que reduz pela metade o consumo de energia durante o processo de escrita de dados, uma nova arquitetura com características de alta velocidade e excelente desempenho. Os dois avanços permitirão o desenvolvimento de dispositivos de alta densidade baseados na tecnologia magneto-resistiva. Outras tecnologia parecidas até agora consumiam muita energia e eram baseadas em células - as unidades individuais de armazenamento dos dados. As empresas Nec e Toshiba conseguiram reduzir o consumo de energia criando um novo formato para a junção de tunelamento magnético que armazena a informação. Ao invés de ser retangular, a nova junção possui saliências laterais em arco no centro. A corrente necessária para a escrita foi reduzida, além de proporcionar a redução no número de erros de escrita, mesmo se houver flutuações nas características de chaveamento de cada célula. As pesquisas até hoje produziram duas propostas básicas para as estruturas das MRAM. A primeira acopla cada célula a um transistor, o que melhora o tempo de leitura, mas aumenta o tamanho da célula. Na segunda proposta, chamada de estrutura de ponto cruzado, o transistor é retirado de cada célula individual, o que reduz o tamanho da célula, mas aumenta o tempo de leitura e o número de erros, devido à geração de correntes de ladrão, que se dirigem para células não desejadas. A nova MRAM utiliza uma estrutura de ponto cruzado na qual um transistor controla quatro células. Com isto as células têm o mesmo tamanho que as células das memórias RAM convencionais, e o tempo de leitura ficou em torno de 250ns, quatro vezes mais rápido do que as MRAM com a estrutura convencional. Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird. MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji. Pierwsze prace nad pamięciami MRAM dokonał IBM. Obecnie najbardziej zaawansowani w tej technologii są i Freescale Semiconductor (dawniej dział półprzewodników firmy Motorola). MRAM en minnestyp som bygger på lagring av digital information i form av magnetiska fält. Minnestypen har varit under utveckling sedan 90-talet, en första prototyp demonstrerades av det tyska företaget Infineon år 2003. MRAM of Magnetoresistive Random Access Memory is een opslagmedium dat werkt met magnetisme. La MRAM (RAM magnetorresistiva) és un tipus de memòria no volàtil desenvolupada des dels anys 90. El desenvolupament de la tecnologia existent, principalment Memòria flaix i DRAM han evitat la generalització del seu ús, encara que els seus defensors creuen que els seus avantatges són tan evidents que abans o després arribarà a un ús molt elevat. La Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM memoria ad accesso casuale magnetoresistiva) è una tipologia di memoria non volatile in sviluppo dagli anni novanta che sfrutta l'effetto magnetoresistivo. Il continuo incremento di densità delle memorie flash e delle DRAM hanno relegato le memorie MRAM in un mercato di nicchia, ma i suoi proponenti sono convinti che i vantaggi di questa tecnologia siano così significativi da garantire, in futuro, un'adozione diffusa delle MRAM in ogni campo applicativo. La mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire non volatile de type magnétique. En développement depuis les années 1990, cette technologie n'a jusqu'à présent jamais été commercialisée à grande échelle, notamment à cause de la concurrence des mémoires flash et DRAM. MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal", yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak , dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrem. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang. La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias.​ 자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다. 현재의 메모리, 특히 플래시 램과 디램의 밀도가 꾸준히 늘어나면서, 시장에서 MRAM은 틈새 제품이라는 위치를 벗어나지 못하였다. 그러나 MRAM을 지지하는 사람들은 MRAM의 뛰어난 이점 때문에 MRAM이 결국 시장을 지배하여 가 될 것으로 믿고 있다. 에서 생산 중이며 글로벌파운드리와 삼성을 포함한 다른 기업들은 제품 계획을 발표하였다.
dbp:infocom
yes
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Magnetoresistive_RAM?oldid=1115209192&ns=0
dbo:wikiPageLength
46369
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Magnetoresistive_RAM