This HTML5 document contains 203 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dbpedia-dahttp://da.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
yago-reshttp://yago-knowledge.org/resource/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
n5http://dbpedia.org/resource/File:
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
n20http://hi.dbpedia.org/resource/
n19https://global.dbpedia.org/id/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
n26http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
dbphttp://dbpedia.org/property/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/
n12http://d-nb.info/gnd/

Statements

Subject Item
dbr:Power_MOSFET
rdf:type
yago:Instrumentality103575240 yago:Device103183080 yago:Conductor103088707 owl:Thing yago:WikicatTransistors yago:Control103096960 yago:Artifact100021939 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Switch104372370 yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Mechanism103738472 yago:Whole100003553 yago:Object100002684 yago:Transistor104471632 yago:WikicatSolidStateSwitches
rdfs:label
功率MOSFET パワーMOSFET Leistungs-MOSFET موسفت عالي الاستطاعة 전력 MOSFET MOSFET di potenza MOSFET de potència Power MOSFET
rdfs:comment
전력 모스펫(Power MOSFET)은 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)의 특정 종류이다. 다른 전력 반도체 소자 (절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT), 사이리스터들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르고 효율이 좋다는 것이다. 이것은 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 격리된 게이트와 공유되어 신호인가를 쉽게 한다. 이것은 시모스 기술이 발전함에 따라 제조가 가능했으며 1970년대 후반에 집적회로 제조가 개발되었다. 전력 모스펫은 저전력 중 하나인 측면 모스펫의 동작법칙을 공유한다. 전력 모스펫은 저전력 (대충 200 V 이하) 스위치로 가장 널리 사용된다. 이것은 대부분의 전원 공급장치, , 저전압 에서 찾아볼 수 있다. パワーMOSFET（英: Power MOSFET）は、大電力を取り扱うように設計されたMOSFETのこと。他のパワーデバイスと比較するとスイッチング速度が速く、低電圧領域での変換効率が高い為、200V以下の領域で、スイッチング電源や、等に用いられる。 A power MOSFET is a specific type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designed to handle significant power levels. Compared to the other power semiconductor devices, such as an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) or a thyristor, its main advantages are high switching speed and good efficiency at low voltages. It shares with the IGBT an isolated gate that makes it easy to drive. They can be subject to low gain, sometimes to a degree that the gate voltage needs to be higher than the voltage under control. Ein Leistungs-MOSFET (englisch power MOSFET, power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter). 功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是的一種。和其他功率半導體（例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體，因此在驅動上比較容易。功率MOSFET的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。 MOSFET及互補式金屬氧化物半導體（CMOS）技術持續的演進，自1960年起已用在集成电路上，這也是功率MOSFET的設計得以實現的原因。功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在电力电子学，是源自信號級的MOSFET，自1970年代開始有商品販售。 功率MOSFET是最常見的，原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度、容易實施的並聯技術、高頻寬、堅固性、偏壓簡單、容易使用、也容易維修。在低壓（200V以下）的應用中，功率MOSFET是最常見的功率半導體。功率MOSFET可以用在許多不同的領域中，包括大部份的電源供應器、直流-直流轉換器、低電壓电机控制器等，以及。 موسفت عالي الاستطاعة هو نوع محدد من ترانزستور التأثير الميداني لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات المصممة للتعامل مع مستويات طاقة كبيرة. مقارنة بأجهزة أشباه موصلات الطاقة الأخرى، مثل بوابة الترانزستور ثنائي القطب المعزولة (IGBT) أو الثايرستور فإن مزاياه الرئيسية هي سرعة التبديل العالية وسرعة جيدة الكفاءة في الفولتية المنخفضة. تشترك مع IGBT في بوابة معزولة تجعل من السهل القيادة. يمكن أن تكون عرضة لمكاسب منخفضة، لدرجة أن جهد البوابة يحتاج أحيانًا إلى أن يكون أعلى من الجهد تحت السيطرة. In elettronica, il MOSFET di potenza è usato nelle applicazioni ad alti valori di tensione e corrente. Rispetto agli altri dispositivi di potenza a semiconduttore (IGBT, Tiristori,...) i suoi principali vantaggi sono l'elevata velocità di commutazione e la buona efficienza a basse tensioni; come l'IGBT possiede un gate isolato che lo rende semplice da pilotare.
rdfs:seeAlso
dbr:LDMOS dbr:MOSFET
dbp:name
Power MOSFET
foaf:depiction
n26:Asus_Zenbook_UX32V_-_motherboard_-_NXP_7030AL-0152.jpg n26:Mosfet_capacitances.svg n26:Nedap_ESD1_-_power_supply_board_2_-_International_Rectifier_IRLZ24N-91538.jpg n26:D2PAK.jpg n26:Vdmos_cross_section_en.svg n26:Umos_cross_section_en.svg n26:VMOS_cross_section_en.png n26:Power_mos_strip_layout.svg n26:Mosfet_equivalent_circuit.svg n26:Mosfet_resistances.svg n26:Power_mos_cell_layout.svg n26:Bv_rdson.png
dcterms:subject
dbc:Power_electronics dbc:Japanese_inventions dbc:MOSFETs dbc:Solid_state_switches
dbo:wikiPageID
2659918
dbo:wikiPageRevisionID
1103994258
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Electromigration dbr:Power_semiconductor_device dbr:National_Institute_of_Advanced_Industrial_Science_and_Technology n5:Mosfet_equivalent_circuit.svg dbr:Audio_power_amplifier dbr:DMOS n5:Mosfet_resistances.svg dbr:Automotive_electronics n5:Mosfet_capacitances.svg dbr:Semiconductor dbr:Alex_Lidow dbr:Epitaxy dbr:Avalanche_breakdown dbr:Self-aligned_gate dbr:Toshiba dbr:Joule_heating dbr:Metal–oxide–semiconductor_field-effect_transistor dbc:Power_electronics dbr:3G dbr:Charge_carrier dbr:Foster's_reactance_theorem dbr:DC-to-DC_converter dbr:Amplifier dbr:Infineon_Technologies dbr:Thyristor dbr:Capacitor dbr:Breakdown_voltage dbr:Transportation dbr:Jun-ichi_Nishizawa n5:Power_mos_strip_layout.svg dbr:John_L._Moll dbr:Automotive_industry dbr:Latch-up dbr:Integrated_circuit dbr:JVC dbr:High_fidelity dbc:Japanese_inventions dbr:Safe_operating_area dbr:Radio dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Ampere dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Surface-mount_technology dbr:HH_Electronics dbr:CMOS dbr:Radio-frequency dbr:MOSFET dbr:Buck_converter dbr:Pioneer_Corporation dbr:H_bridge dbr:Datasheet dbr:Hitachi dbr:2G dbr:P-N_junction n5:Power_mos_cell_layout.svg dbr:Power_electronics dbr:Tohoku_University dbr:Gate_driver dbc:MOSFETs dbr:Synchronous_rectification dbr:Dawon_Kahng dbr:Public_address_system dbr:Yamaha_Corporation dbr:Thermal_mass dbr:Motor_controller dbr:Electron_mobility dbr:Volt dbr:Switch dbr:Ashly_Audio dbr:RF_power_amplifier dbr:Junction_temperature dbr:Consumer_electronics dbr:Thermal_resistance dbr:Depletion_region dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Osaka_University dbr:Vehicles dbc:Solid_state_switches n5:Bv_rdson.png dbr:Wire_bonding dbr:International_Rectifier dbr:Electronic_oscillator dbr:HP_Labs dbr:Electron n5:Vdmos_cross_section_en.svg dbr:Power_supply dbr:Flyback_diode dbr:VMOS n5:VMOS_cross_section_en.png dbr:STMicroelectronics dbr:Electrical_resistivity_and_conductivity dbr:TO-263 dbr:Diffusion dbr:Feedback dbr:Bell_Labs dbr:Stanford_University dbr:General_Electric dbr:Sony dbr:Permittivity dbr:Cellular_network n5:Asus_Zenbook_UX32V_-_motherboard_-_NXP_7030AL-0152.jpg n5:Umos_cross_section_en.svg dbr:LDMOS dbr:B._Jayant_Baliga dbr:4G n5:Nedap_ESD1_-_power_supply_board_2_-_International_Rectifier_IRLZ24N-91538.jpg dbr:Insulated-gate_bipolar_transistor dbr:Operating_temperature dbr:Diode dbr:Renesas_Electronics dbr:JFET
owl:sameAs
wikidata:Q570553 freebase:m.07v_py n12:4200169-9 dbpedia-zh:功率MOSFET yago-res:Power_MOSFET dbpedia-ko:전력_MOSFET dbpedia-de:Leistungs-MOSFET n19:4m3TA n20:शक्ति_मॉसफेट dbpedia-ca:MOSFET_de_potència dbpedia-it:MOSFET_di_potenza dbpedia-ja:パワーMOSFET dbpedia-da:Effekt_MOSFET dbpedia-fa:ماسفت_قدرت dbpedia-ar:موسفت_عالي_الاستطاعة
dbp:workingPrinciple
dbr:Semiconductor
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:See_also dbt:Authority_control dbt:Main dbt:Infobox_electronic_component dbt:Short_description dbt:Reflist dbt:As_of dbt:Electronic_components dbt:Clear dbt:Commons_category_multi dbt:Cite_book dbt:Citation_needed
dbo:thumbnail
n26:D2PAK.jpg?width=300
dbp:caption
Two power MOSFETs in the surface-mount package D2PAK. Each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts and a continuous current of 30 amperes with appropriate heatsinking.
dbo:abstract
موسفت عالي الاستطاعة هو نوع محدد من ترانزستور التأثير الميداني لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات المصممة للتعامل مع مستويات طاقة كبيرة. مقارنة بأجهزة أشباه موصلات الطاقة الأخرى، مثل بوابة الترانزستور ثنائي القطب المعزولة (IGBT) أو الثايرستور فإن مزاياه الرئيسية هي سرعة التبديل العالية وسرعة جيدة الكفاءة في الفولتية المنخفضة. تشترك مع IGBT في بوابة معزولة تجعل من السهل القيادة. يمكن أن تكون عرضة لمكاسب منخفضة، لدرجة أن جهد البوابة يحتاج أحيانًا إلى أن يكون أعلى من الجهد تحت السيطرة. أصبح تصميم وحدات موسفت القوية ممكنًا بفضل تطور تقنية «موسفت وسيموس» المستخدمة في تصنيع الدارات المتكاملة منذ الستينيات. تشترك موسفت في مبدأ التشغيل مع نظيرتها منخفضة الطاقة، موسفت الجانبي. تم تكييف الطاقة موسفت، التي تُستخدم بشكل شائع في الإلكترونيات الصناعية، من موسفت القياسي وتم تقديمها تجاريًا في السبعينيات. تعد موسفت الطاقة من أكثر الأجهزة أشباه موصلات الطاقة شيوعًا في العالم، نظرًا لقوة محرك البوابة المنخفضة، وسرعة التحويل السريع، وإمكانية الموازاة المتقدمة السهلة، عرض النطاق الترددي العريض، والصلابة، والقيادة السهلة، والإنحياز البسيط وسهولة التطبيق والإصلاح. على وجه الخصوص، هو مفتاح الجهد المنخفض الأكثر استخدامًا (أقل من 200 فولت). يمكن العثور عليها في مجموعة واسعة من التطبيقات، مثل معظم مصادر الطاقة، ومبدل جهد مستمر، وحدات تحكم المحرك ذات الجهد المنخفض، والعديد من التطبيقات الأخرى. 전력 모스펫(Power MOSFET)은 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)의 특정 종류이다. 다른 전력 반도체 소자 (절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT), 사이리스터들에 비해 주요한 장점은 낮은 전압에서 통신 속도가 빠르고 효율이 좋다는 것이다. 이것은 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 격리된 게이트와 공유되어 신호인가를 쉽게 한다. 이것은 시모스 기술이 발전함에 따라 제조가 가능했으며 1970년대 후반에 집적회로 제조가 개발되었다. 전력 모스펫은 저전력 중 하나인 측면 모스펫의 동작법칙을 공유한다. 전력 모스펫은 저전력 (대충 200 V 이하) 스위치로 가장 널리 사용된다. 이것은 대부분의 전원 공급장치, , 저전압 에서 찾아볼 수 있다. In elettronica, il MOSFET di potenza è usato nelle applicazioni ad alti valori di tensione e corrente. Rispetto agli altri dispositivi di potenza a semiconduttore (IGBT, Tiristori,...) i suoi principali vantaggi sono l'elevata velocità di commutazione e la buona efficienza a basse tensioni; come l'IGBT possiede un gate isolato che lo rende semplice da pilotare. Il MOSFET di potenza è stato introdotto alla fine degli anni '70 grazie all'evoluzione della tecnologia CMOS, e condivide lo stesso principio di funzionamento del tradizionale MOSFET. È usato principalmente come interruttore all'interno di alimentatori e convertitori di potenza. A power MOSFET is a specific type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designed to handle significant power levels. Compared to the other power semiconductor devices, such as an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) or a thyristor, its main advantages are high switching speed and good efficiency at low voltages. It shares with the IGBT an isolated gate that makes it easy to drive. They can be subject to low gain, sometimes to a degree that the gate voltage needs to be higher than the voltage under control. The design of power MOSFETs was made possible by the evolution of MOSFET and CMOS technology, used for manufacturing integrated circuits since the 1960s. The power MOSFET shares its operating principle with its low-power counterpart, the lateral MOSFET. The power MOSFET, which is commonly used in power electronics, was adapted from the standard MOSFET and commercially introduced in the 1970s. The power MOSFET is the most common power semiconductor device in the world, due to its low gate drive power, fast switching speed, easy advanced paralleling capability, wide bandwidth, ruggedness, easy drive, simple biasing, ease of application, and ease of repair. In particular, it is the most widely used low-voltage (less than 200 V) switch. It can be found in a wide range of applications, such as most power supplies, DC-to-DC converters, low-voltage motor controllers, and . Ein Leistungs-MOSFET (englisch power MOSFET, power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter). Leistungs-MOSFETs unterscheiden sich von bipolaren Leistungstransistoren sowohl in der Funktionsweise als auch in der Effizienz. Einige Vorteile von Leistungs-MOSFETs sind die schnelle Schaltzeit, kein zweiter Durchbruch und stabile Verstärkungs- und Antwortzeiten. Ab einer Strombelastbarkeit von etwa 1 A wird ein MOSFET den Leistungs-MOSFETs zugeordnet. パワーMOSFET（英: Power MOSFET）は、大電力を取り扱うように設計されたMOSFETのこと。他のパワーデバイスと比較するとスイッチング速度が速く、低電圧領域での変換効率が高い為、200V以下の領域で、スイッチング電源や、等に用いられる。 功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是的一種。和其他功率半導體（例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體，因此在驅動上比較容易。功率MOSFET的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。 MOSFET及互補式金屬氧化物半導體（CMOS）技術持續的演進，自1960年起已用在集成电路上，這也是功率MOSFET的設計得以實現的原因。功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在电力电子学，是源自信號級的MOSFET，自1970年代開始有商品販售。 功率MOSFET是最常見的，原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度、容易實施的並聯技術、高頻寬、堅固性、偏壓簡單、容易使用、也容易維修。在低壓（200V以下）的應用中，功率MOSFET是最常見的功率半導體。功率MOSFET可以用在許多不同的領域中，包括大部份的電源供應器、直流-直流轉換器、低電壓电机控制器等，以及。
gold:hypernym
dbr:Type
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Power_MOSFET?oldid=1103994258&ns=0
dbo:wikiPageLength
40480
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Power_MOSFET