HTML Microdata document

This HTML5 document contains 206 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dbt	http://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-no	http://no.dbpedia.org/resource/
dbpedia-sv	http://sv.dbpedia.org/resource/
wikipedia-en	http://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-fi	http://fi.dbpedia.org/resource/
dbr	http://dbpedia.org/resource/
dbpedia-hr	http://hr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ar	http://ar.dbpedia.org/resource/
dbpedia-et	http://et.dbpedia.org/resource/
dbpedia-he	http://he.dbpedia.org/resource/
n19	http://ml.dbpedia.org/resource/
n41	http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fr	http://fr.dbpedia.org/resource/
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
dbpedia-cs	http://cs.dbpedia.org/resource/
rdfs	http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
dbpedia-kk	http://kk.dbpedia.org/resource/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n26	http://d-nb.info/gnd/
n10	http://dbpedia.org/resource/File:
dbp	http://dbpedia.org/property/
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-id	http://id.dbpedia.org/resource/
dbpedia-uk	http://uk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-la	http://la.dbpedia.org/resource/
dbo	http://dbpedia.org/ontology/
dbpedia-sr	http://sr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-vi	http://vi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-pt	http://pt.dbpedia.org/resource/
dbpedia-sk	http://sk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-sq	http://sq.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ja	http://ja.dbpedia.org/resource/
dbc	http://dbpedia.org/resource/Category:
dbpedia-pl	http://pl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-de	http://de.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ru	http://ru.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ro	http://ro.dbpedia.org/resource/
wikidata	http://www.wikidata.org/entity/
dbpedia-nl	http://nl.dbpedia.org/resource/
gold	http://purl.org/linguistics/gold/
n38	http://dbpedia.org/resource/Talk:
n30	https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-it	http://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ca	http://ca.dbpedia.org/resource/
prov	http://www.w3.org/ns/prov#
foaf	http://xmlns.com/foaf/0.1/
n14	http://bs.dbpedia.org/resource/
dbpedia-simple	http://simple.dbpedia.org/resource/
dbpedia-zh	http://zh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ko	http://ko.dbpedia.org/resource/
dbpedia-gl	http://gl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-tr	http://tr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fa	http://fa.dbpedia.org/resource/
freebase	http://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-es	http://es.dbpedia.org/resource/
owl	http://www.w3.org/2002/07/owl#

Statements

Subject Item: dbr:Static_random-access_memory
rdf:type: dbo:Company owl:Thing
rdfs:label: Static random-access memory Statiskt minne SRAM (память) Static random-access memory SRAM SRAM Static Random Access Memory Static Random Access Memory SRAM SRAM SRAM SRAM Static random-access memory 정적 램 Memori akses acak statik Pamięć statyczna 静态随机存取存储器 ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة
rdfs:comment: Статична оперативна пам'ять з довільним доступом (SRAM, static random access memory) — напівпровідникова оперативна пам'ять з довільним доступом, в якій кожен двійковий розряд зберігається в схемі з додатним зворотним зв'язком, що не потребує регенерації, необхідної в динамічній пам'яті (DRAM). Але зберігати дані без перезапису SRAM можливо тільки поки є живлення, тобто SRAM залишається енергозалежним типом пам'яті (як і DRAM). Перевага SRAM у тому, що вона працює швидше. Однак, оскільки вона дорожча у виробництві, то використовується насамперед для кешу процесорів. Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。読み書き可能という意味で慣用的に名前にRAM（ランダムアクセスメモリ、Random Access Memory）が入っているが、厳密には本来の意味とは異なるため、当該項目を参照されたい。これはDRAMも同様である。 ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (بالإنجليزية: Static random access memory )‏ واختصاراً (SRAM) وهي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي تصنع من مواد نصف ناقلة حيث أن تسميتها بالساكنة تعني أنها ليست بحاجة إلى إعادة إنعاشها بشكل دوري مثل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية حيث أنها تستخدم دائرة مغلاق لتخزين البيانات. تقوم بتخزين البيانات على وحدات تخزين مؤلفة من ترانزستور (له حالتين إما عبور أو عدم عبور) ومن صفات هذا النوع أنه يستهلك طاقة أقل من نوع (D RAM) وأسرع بكثير وأغلى منه. Static random-access memory (static RAM or SRAM) is a type of random-access memory (RAM) that uses latching circuitry (flip-flop) to store each bit. SRAM is volatile memory; data is lost when power is removed. Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Zusammen mit dem dynamischen RAM (DRAM) bildet es die Gruppe der flüchtigen (volatil; engl. volatile) Speicher, das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Im Gegensatz zu DRAM benötigt der SRAM kein periodisches (dynamisches) Auffrischen (engl. refresh) zur Vermeidung von Datenverlust in jeder Datenzelle, sondern behält seine Dateninformation, solange die Betriebsspannung anliegt. Memori akses acak statik (bahasa Inggris: Static Random Access Memory, SRAM) adalah sejenis memori semikonduktor. Kata "statik" menandakan bahwa memori memegang isinya selama listrik tetap berjalan, tidak seperti RAM dinamik (DRAM) yang membutuhkan untuk "disegarkan" ("refreshed") secara periodik. Hal ini dikarenakan SRAM didesain menggunakan transistor tanpa kapasitor. Tidak adanya kapasitor membuat tidak ada daya yang bocor sehingga SRAM tidak membutuhkan refresh periodik. SRAM juga didesain menggunakan desain cluster enam transistor untuk menyimpan setiap bit informasi. Desain ini membuat SRAM lebih mahal tetapi juga lebih cepat jika dibandingkan dengan DRAM. Secara fisik chip, biaya pemanufakturan chip SRAM kira kira tiga puluh kali lebih besar dan lebih mahal daripada DRAM. Tetapi SRA La mémoire vive statique (ou SRAM de l'anglais Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive utilisant des bascules pour mémoriser les données. Mais contrairement à la mémoire dynamique, elle n'a pas besoin de rafraîchir périodiquement son contenu. Comme la mémoire dynamique, elle est volatile : elle ne peut se passer d'alimentation sous peine de voir les informations effacées irrémédiablement. Static random-access memory (SRAM) is een RAM-geheugen waarvan de inhoud in tegenstelling met een DRAM (Dynamic random-access memory) niet periodiek ververst hoeft te worden. Ook bij een SRAM wordt elke bit opgeslagen in een individuele bitcel die echter complexer is. De opgeslagen data in een SRAM kunnen te allen tijde en in elke volgorde worden uitgelezen en wijzigt enkel als deze data worden overschreven of als het spanningsloos wordt. Het is dus een vluchtig geheugen. Statiskt minne eller Statiskt RAM (engelska: Static Random Access Memory (SRAM)) är en snabb typ av läs- och skrivbart datorminne som bland annat används som cacheminne i högpresterande mikroprocessorer. Det har då relativt hög strömförbrukning. Statiskt RAM avsett för lägre hastigheter har å andra sidan möjlighet till extremt låg strömförbrukning (i storleken några μA), särskilt då det skrives och läses mer infrekvent. Det används därför som bland annat arbetsminne för processorer i strömsnåla lågprestanda-applikationer (olika typer av inbyggda system). 정적 램(靜的 RAM, Static RAM) 또는 에스램(SRAM)은 반도체 기억 장치의 한 종류이다. 주기적으로 내용을 갱신해 주어야 하는 디램(DRAM, 동적 램)과는 달리 기억 장치에 전원이 공급되는 한 그 내용이 계속 보존된다. SRAM은 임의 접근 기억 장치(램, random access memory)이므로 데이터의 쓰고 읽기가 이루어지는 주소와 관계없이 입출력에 걸리는 시간이 일정하다. SRAM은 DRAM의 일종인 SDRAM과는 전혀 다른 기억 소자이므로 서로 구별되어야 한다. SRAM에서 각각의 비트들은 네 개의 트랜지스터로 이루어진 두 쌍의 인버터에 저장된다. 두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두 개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행한다. 따라서 한 개의 비트를 저장하기 위해 일반적으로 여덟 개의 트랜지스터를 필요로 한다. 오른쪽 그림에서도 보이는 것처럼 SRAM은 회로의 대칭 구조로 인해 DRAM보다 훨씬 빠른 입출력을 가능하게 한다. 또한, 메모리 주소에 접근할 때 상위 비트와 하위 비트 순서로 두 번 접근해야 하는 DRAM과 달리 SRAM은 한번에 접근할 수 있는 장점이 있다. SRAM (statická paměť, anglicky Static Random Access Memory) je v informatice označení polovodičové paměti typu RAM realizované bistabilním klopným obvodem. Označení statická se vztahuje k tomu, že SRAM nepotřebuje periodickou obnovu uložených dat (na rozdíl od paměti typu DRAM). SRAM je velmi rychlá, ale kvůli vyšší složitosti i drahá, a proto je v počítačích používána například jako hardwarová cache v mikroprocesoru (tj. její velikost je výrazně menší než velikost operační paměti RAM). SRAM (ang. Static Random Access Memory), statyczna pamięć o dostępie swobodnym – typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach, służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem. Słowo „statyczna” oznacza, że pamięć SRAM przechowuje dane tak długo, jak długo włączone jest zasilanie, w odróżnieniu od pamięci dynamicznej (DRAM), która wymaga okresowego odświeżania. SRAM (de l'anglès, Static Random Access Memory) és un tipus de memòria d'ordinador primària que normalment s'utilitza en la implementació de la memòria cau dels ordinadors. Les memòries SRAM no només s'utilitzen en les memòries cau de l'ordinador sinó que tenen altres àmbits d'ús com els mòdems router, les impressores, càmeres de fotografia digital o aplicacions de sistemes electrònics, ja que la seva velocitat millora el rendiment d'aquestes aplicacions. Статическая память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее сохранять данные без перезаписи SRAM может, только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ (RAM — random access memory) — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов (чаще — байтов, зависит от особенностей конструкции), в отличие от памяти с последовательным доступом (SAM, англ. sequential access memory). La memoria ad accesso casuale statica, o SRAM (acronimo di static random access memory), è un tipo di RAM volatile che non necessita di memory refresh. I banchi di memoria SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle DRAM. 靜態隨機存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是隨機存取存储器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存储器只要保持通電，裡面儲存的数据就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取記憶體（DRAM）裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的数据還是會消失（被称为易失性存储器），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。 SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas.
foaf:depiction: n41:Hyundai_RAM_HY6116AP-10.jpg n41:STM32F103VGT6-SRAM.jpg n41:STM32-SEM-HD.jpg n41:SRAM_Cell_(4_Transistors).svg n41:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg
dcterms:subject: dbc:Types_of_RAM dbc:Computer_memory
dbo:wikiPageID: 63915
dbo:wikiPageRevisionID: 1124149822
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Dual-ported_RAM n10:SRAM_Cell_(4_Transistors).svg dbr:DDR_SDRAM dbr:Ternary_computer n10:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg dbr:Minimum_feature_size dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Zero_bus_turnaround n10:Hyundai_RAM_HY6116AP-10.jpg dbr:Computer_printer dbr:Flash_memory dbr:Random-access_memory dbr:Data_remanence dbc:Types_of_RAM dbr:Hard_disk dbr:Resistor dbr:Quad_Data_Rate_SRAM dbr:LCD_screen dbr:Main_memory dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:CPU dbr:Bit dbr:Power_(physics) dbr:Burst_mode_(computing) dbr:Synchronous_dynamic_random-access_memory dbr:Digital_signal_processing dbr:Field-programmable_gate_array dbr:X86 dbr:Embedded_system dbr:Silicon_on_insulator dbr:Noise_margin dbr:Complex_programmable_logic_device dbr:TRS-80_Model_100 dbr:6264 dbr:Application-specific_integrated_circuit dbr:Miniature_Card dbr:Charge_sharing dbr:NvSRAM dbr:Router_(computing) dbr:1T-SRAM dbr:Differential_signaling dbr:Pipeline_(computing) dbr:DDR_SRAM dbr:FIFO_(computing_and_electronics) dbr:Tunnel_diode dbr:Industrial_electronics dbr:Transistor-transistor_logic dbc:Computer_memory dbr:Video_memory dbr:Measurement_system n38:Static_random-access_memory dbr:Pseudostatic_RAM dbr:Parasitic_capacitance dbr:SyncBurst dbr:Virtual_ground dbr:FinFET dbr:Kibi_(binary_prefix) dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:F-RAM dbr:STT-MRAM dbr:Integrated_circuit dbr:CMOS dbr:Synchronization dbr:CPU_cache dbr:Emitter_coupled_logic dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:VIC-20 dbr:Memory_refresh dbr:Internet_of_things dbr:Volatile_memory dbr:Polysilicon dbr:Transistor dbr:Latch_(electronic) dbr:CPU_register dbr:Memory_cell_(computing) dbr:Register_file dbr:Asynchronous_circuit dbr:In-memory_processing dbr:ZX80 dbr:Kilobyte dbr:MOSFET n10:STM32-SEM-HD.jpg n10:STM32F103VGT6-SRAM.jpg
owl:sameAs: dbpedia-sq:Kujtesë_hyrëse_ndenjëse_e_rastësishme dbpedia-ar:ذاكرة_الوصول_العشوائي_الساكنة dbpedia-ro:SRAM n14:SRAM dbpedia-fr:Static_Random_Access_Memory dbpedia-kk:Статикалық_жад n19:സ്റ്റാറ്റിക്_റാൻഡം-ആക്സസ്_മെമ്മറി dbpedia-vi:RAM_tĩnh dbpedia-uk:SRAM dbpedia-he:SRAM dbpedia-hr:SRAM dbpedia-simple:Static_random-access_memory dbpedia-la:Memoria_volatilis_statica n26:4381052-4 dbpedia-it:SRAM dbpedia-no:Static_Random_Access_Memory_(SRAM) n30:2WZxy dbpedia-gl:SRAM dbpedia-es:SRAM dbpedia-zh:静态随机存取存储器 dbpedia-ko:정적_램 dbpedia-sr:Статички_RAM dbpedia-et:SRAM dbpedia-fa:حافظه_دسترسی_تصادفی_ایستا dbpedia-nl:Static_random-access_memory dbpedia-cs:SRAM wikidata:Q267416 dbpedia-fi:SRAM dbpedia-sk:SRAM dbpedia-de:Static_random-access_memory dbpedia-tr:SRAM dbpedia-pt:SRAM dbpedia-ca:SRAM dbpedia-ru:SRAM_(память) freebase:m.05jj76 dbpedia-sv:Statiskt_minne freebase:m.0h43y dbpedia-ja:Static_Random_Access_Memory dbpedia-pl:Pamięć_statyczna dbpedia-id:Memori_akses_acak_statik
dbp:wikiPageUsesTemplate: dbt:Mvar dbt:= dbt:Anchor dbt:Short_description dbt:Math dbt:More_citations_needed dbt:Reflist dbt:Authority_control dbt:Distinguish dbt:Clear dbt:Commons_category_multi dbt:Memory_types dbt:Abr dbt:Citation_needed dbt:Snd
dbo:thumbnail: n41:Hyundai_RAM_HY6116AP-10.jpg?width=300
dbo:abstract: Статична оперативна пам'ять з довільним доступом (SRAM, static random access memory) — напівпровідникова оперативна пам'ять з довільним доступом, в якій кожен двійковий розряд зберігається в схемі з додатним зворотним зв'язком, що не потребує регенерації, необхідної в динамічній пам'яті (DRAM). Але зберігати дані без перезапису SRAM можливо тільки поки є живлення, тобто SRAM залишається енергозалежним типом пам'яті (як і DRAM). Перевага SRAM у тому, що вона працює швидше. Однак, оскільки вона дорожча у виробництві, то використовується насамперед для кешу процесорів. Довільний доступ (RAM — random access memory) — можливість вибирати для запису/зчитування будь-який з бітів (частіше байтів, залежить від особливостей конструкції), на відміну від пам'яті з послідовним доступом (SAM — sequential access memory). La memoria ad accesso casuale statica, o SRAM (acronimo di static random access memory), è un tipo di RAM volatile che non necessita di memory refresh. I banchi di memoria SRAM consentono di mantenere le informazioni per un tempo teoricamente infinito, hanno bassi tempi di lettura e bassi consumi, specialmente in condizioni statiche. La necessità di usare molti componenti per cella le rende però più costose delle DRAM. Statiskt minne eller Statiskt RAM (engelska: Static Random Access Memory (SRAM)) är en snabb typ av läs- och skrivbart datorminne som bland annat används som cacheminne i högpresterande mikroprocessorer. Det har då relativt hög strömförbrukning. Statiskt RAM avsett för lägre hastigheter har å andra sidan möjlighet till extremt låg strömförbrukning (i storleken några μA), särskilt då det skrives och läses mer infrekvent. Det används därför som bland annat arbetsminne för processorer i strömsnåla lågprestanda-applikationer (olika typer av inbyggda system). Statiskt RAM är dyrare än dynamiskt RAM eftersom det har lägre lagringstäthet. Det beror på att varje minnescell måste vara en bistabil vippa (typiskt 6 transistorer). Dessa vippor gör att data ligger kvar statiskt så länge strömförsörjningen fungerar, utan att någon periodisk återskrivning krävs. (I ett dynamiskt minne lagras istället varje bit i en speciell sorts transistor med hög egenkapacitans som passivt håller laddningen i de millisekunder som förflyter mellan återskrivningarna.) Memori akses acak statik (bahasa Inggris: Static Random Access Memory, SRAM) adalah sejenis memori semikonduktor. Kata "statik" menandakan bahwa memori memegang isinya selama listrik tetap berjalan, tidak seperti RAM dinamik (DRAM) yang membutuhkan untuk "disegarkan" ("refreshed") secara periodik. Hal ini dikarenakan SRAM didesain menggunakan transistor tanpa kapasitor. Tidak adanya kapasitor membuat tidak ada daya yang bocor sehingga SRAM tidak membutuhkan refresh periodik. SRAM juga didesain menggunakan desain cluster enam transistor untuk menyimpan setiap bit informasi. Desain ini membuat SRAM lebih mahal tetapi juga lebih cepat jika dibandingkan dengan DRAM. Secara fisik chip, biaya pemanufakturan chip SRAM kira kira tiga puluh kali lebih besar dan lebih mahal daripada DRAM. Tetapi SRAM tidak boleh dibingungkan dengan dan memori flash, karena ia merupakan dan memegang data hanya bila listrik terus diberikan. Akses acak menandakan bahwa lokasi dalam memori dapat diakses, dibaca atau ditulis dalam waktu yang tetap tidak memperdulikan lokasi alamat data tersebut dalam memori. Chip SRAM lazimnya digunakan sebagai chace memori, hal ini terutama karena kecepatannya. Saat ini SRAM dapat diperoleh dengan waktu akses dua nano detik atau kurang, kira-kira mampu mengimbangi kecepatan processor 500 MHz atau lebih. Статическая память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее сохранять данные без перезаписи SRAM может, только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ (RAM — random access memory) — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов (чаще — байтов, зависит от особенностей конструкции), в отличие от памяти с последовательным доступом (SAM, англ. sequential access memory). Static random-access memory (static RAM or SRAM) is a type of random-access memory (RAM) that uses latching circuitry (flip-flop) to store each bit. SRAM is volatile memory; data is lost when power is removed. The term static differentiates SRAM from DRAM (dynamic random-access memory) — SRAM will hold its data permanently in the presence of power, while data in DRAM decays in seconds and thus must be periodically refreshed. SRAM is faster than DRAM but it is more expensive in terms of silicon area and cost; it is typically used for the cache and internal registers of a CPU while DRAM is used for a computer's main memory. Static random-access memory (SRAM) is een RAM-geheugen waarvan de inhoud in tegenstelling met een DRAM (Dynamic random-access memory) niet periodiek ververst hoeft te worden. Ook bij een SRAM wordt elke bit opgeslagen in een individuele bitcel die echter complexer is. De opgeslagen data in een SRAM kunnen te allen tijde en in elke volgorde worden uitgelezen en wijzigt enkel als deze data worden overschreven of als het spanningsloos wordt. Het is dus een vluchtig geheugen. SRAM (ang. Static Random Access Memory), statyczna pamięć o dostępie swobodnym – typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach, służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem. Słowo „statyczna” oznacza, że pamięć SRAM przechowuje dane tak długo, jak długo włączone jest zasilanie, w odróżnieniu od pamięci dynamicznej (DRAM), która wymaga okresowego odświeżania. Każdy bit przechowywany jest w pamięci SRAM w układzie zbudowanym z czterech tranzystorów, które tworzą przerzutnik, oraz z dwóch tranzystorów sterujących. Taka struktura umożliwia znacznie szybsze odczytanie bitu niż w pamięci typu DRAM, oraz w przeciwieństwie do pamięci DRAM nie wymaga odświeżania. Pamięci SRAM wykorzystywane są w szybkich pamięciach podręcznych cache, gdyż nie wymagają one dużych pojemności (gęstość danych w SRAM jest 4 razy mniejsza niż w DRAM), ale prędkość dostępu jest około 7 razy szybsza od DRAM (1 cykl SRAM wynosi około 10 ns, natomiast w DRAM około 70 ns). Szybkość ta dotyczy dostępu swobodnego (czyli kolejne odczytywane dane są ulokowane pod różnymi adresami), w przypadku odczytu danych z sąsiednich komórek adresowych szybkość pamięci SRAM i DRAM jest jednak porównywalna. 靜態隨機存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）是隨機存取存储器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存储器只要保持通電，裡面儲存的数据就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取記憶體（DRAM）裡面所儲存的数据就需要週期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的数据還是會消失（被称为易失性存储器），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。 La mémoire vive statique (ou SRAM de l'anglais Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive utilisant des bascules pour mémoriser les données. Mais contrairement à la mémoire dynamique, elle n'a pas besoin de rafraîchir périodiquement son contenu. Comme la mémoire dynamique, elle est volatile : elle ne peut se passer d'alimentation sous peine de voir les informations effacées irrémédiablement. SRAM (de l'anglès, Static Random Access Memory) és un tipus de memòria d'ordinador primària que normalment s'utilitza en la implementació de la memòria cau dels ordinadors. Les memòries SRAM no només s'utilitzen en les memòries cau de l'ordinador sinó que tenen altres àmbits d'ús com els mòdems router, les impressores, càmeres de fotografia digital o aplicacions de sistemes electrònics, ja que la seva velocitat millora el rendiment d'aquestes aplicacions. Una cel·la de memòria SRAM està normalment formada per sis transistors, tecnologia anomenada 6T memory cells, en contrast de les memòries DRAM que només contenen un transistor, per tant són 1T memory cells. El fet de tenir tants transistors permet afegir registres o ports addicionals que permeten augmentar més la velocitat. Les memòries SRAM estan fabricades amb la tecnologia CMOS que redueixen els nivells de consum, ja que estan fetes de forma que l'única energia que fan despendre dels xips són les interferències elèctriques passatgeres. SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en oposición al de memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de sus cargas. Existen dos tipos: volátiles y no volátiles, cuya diferencia estriba en si los datos permanecen o se volatilizan en ausencia de alimentación eléctrica. SRAM (statická paměť, anglicky Static Random Access Memory) je v informatice označení polovodičové paměti typu RAM realizované bistabilním klopným obvodem. Označení statická se vztahuje k tomu, že SRAM nepotřebuje periodickou obnovu uložených dat (na rozdíl od paměti typu DRAM). SRAM je velmi rychlá, ale kvůli vyšší složitosti i drahá, a proto je v počítačích používána například jako hardwarová cache v mikroprocesoru (tj. její velikost je výrazně menší než velikost operační paměti RAM). Termín SRAM obvykle označuje volatilní paměť (po odpojení zapomene svůj obsah). Paměť SRAM má v klidovém stavu velmi nízkou spotřebu, takže pokud potřebujeme nevolatilní RAM, lze toho dosáhnout malou pomocnou baterií, která napájí RAM po odpojení počítače od zdroje. Nevýhodou je, že baterii bývá nutné po několika letech vyměnit, zatímco životnost SRAM je mnohem delší. V současnosti (2016) již existují technologie pro nevolatilní RAM, ale zatím nejsou příliš rozšířené. Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。読み書き可能という意味で慣用的に名前にRAM（ランダムアクセスメモリ、Random Access Memory）が入っているが、厳密には本来の意味とは異なるため、当該項目を参照されたい。これはDRAMも同様である。 Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein. Zusammen mit dem dynamischen RAM (DRAM) bildet es die Gruppe der flüchtigen (volatil; engl. volatile) Speicher, das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren. Im Gegensatz zu DRAM benötigt der SRAM kein periodisches (dynamisches) Auffrischen (engl. refresh) zur Vermeidung von Datenverlust in jeder Datenzelle, sondern behält seine Dateninformation, solange die Betriebsspannung anliegt. 정적 램(靜的 RAM, Static RAM) 또는 에스램(SRAM)은 반도체 기억 장치의 한 종류이다. 주기적으로 내용을 갱신해 주어야 하는 디램(DRAM, 동적 램)과는 달리 기억 장치에 전원이 공급되는 한 그 내용이 계속 보존된다. SRAM은 임의 접근 기억 장치(램, random access memory)이므로 데이터의 쓰고 읽기가 이루어지는 주소와 관계없이 입출력에 걸리는 시간이 일정하다. SRAM은 DRAM의 일종인 SDRAM과는 전혀 다른 기억 소자이므로 서로 구별되어야 한다. SRAM에서 각각의 비트들은 네 개의 트랜지스터로 이루어진 두 쌍의 인버터에 저장된다. 두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두 개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행한다. 따라서 한 개의 비트를 저장하기 위해 일반적으로 여덟 개의 트랜지스터를 필요로 한다. 오른쪽 그림에서도 보이는 것처럼 SRAM은 회로의 대칭 구조로 인해 DRAM보다 훨씬 빠른 입출력을 가능하게 한다. 또한, 메모리 주소에 접근할 때 상위 비트와 하위 비트 순서로 두 번 접근해야 하는 DRAM과 달리 SRAM은 한번에 접근할 수 있는 장점이 있다. ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (بالإنجليزية: Static random access memory )‏ واختصاراً (SRAM) وهي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي تصنع من مواد نصف ناقلة حيث أن تسميتها بالساكنة تعني أنها ليست بحاجة إلى إعادة إنعاشها بشكل دوري مثل ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية حيث أنها تستخدم دائرة مغلاق لتخزين البيانات. تقوم بتخزين البيانات على وحدات تخزين مؤلفة من ترانزستور (له حالتين إما عبور أو عدم عبور) ومن صفات هذا النوع أنه يستهلك طاقة أقل من نوع (D RAM) وأسرع بكثير وأغلى منه.
gold:hypernym: dbr:Memory
prov:wasDerivedFrom: wikipedia-en:Static_random-access_memory?oldid=1124149822&ns=0
dbo:wikiPageLength: 22604
foaf:isPrimaryTopicOf: wikipedia-en:Static_random-access_memory