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45纳米制程 45 nm process 45 nm 공정 45 nm 45 nanômetros 45 nanómetros 45 nm 45 nanòmetres
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45 nanómetros (45nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 45 milmillonésima partes de un metro.​ 45 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 45 nm 인 반도체를 다루는 CMOS 반도체 제조 공정이다. 45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。 芯片制造厂商使用High-k材料来填充，目的是为了减少。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。 2020年，華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45納米晶片做起。 Per the International Technology Roadmap for Semiconductors, the 45 nm MOSFET technology node should refer to the average half-pitch of a memory cell manufactured at around the 2007–2008 time frame. Matsushita and Intel started mass-producing 45 nm chips in late 2007, and AMD started production of 45 nm chips in late 2008, while IBM, Infineon, Samsung, and Chartered Semiconductor have already completed a common 45 nm process platform. At the end of 2008, SMIC was the first China-based semiconductor company to move to 45 nm, having licensed the bulk 45 nm process from IBM. In 2008, TSMC moved on to a 40 nm process. Il processo costruttivo a 45 nm (45 nanometri) è l'evoluzione del precedente processo a 65 nm utilizzato per esempio da Intel e AMD per la produzione di microprocessori. Panasonic ha annunciato la messa in commercio per il 1º novembre 2007 di un masterizzatore Blu Ray dotato di un processore a 45 nm quindi Panasonic è stato il primo produttore a mettere in commercio un dispositivo con componenti a 45 nm. La sua introduzione nel settore dei computer è avvenuta il 12 novembre 2007 da parte di Intel con il processore Yorkfield; AMD invece ha annunciato l'arrivo sui mercati dei primi prodotti per la prima metà del 2008. 45 nanòmetres (45 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 45 nm. És una millora de la tecnologia de 65 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . 45 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 65 nm de fabrication par CMOS. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché fin 2008. Les processeurs POWER7 et Intel Nehalem sont gravés en 45 nm, tout comme les CPU et GPU des modèles slim et ultra-slim de PlayStation 3. Selon la feuille de route de l'ITRS le successeur du 45 nm est la technologie 32 nm.
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CMOS manufacturing processes
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65.0
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45 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 65 nm de fabrication par CMOS. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché fin 2008. Les processeurs POWER7 et Intel Nehalem sont gravés en 45 nm, tout comme les CPU et GPU des modèles slim et ultra-slim de PlayStation 3. Selon la feuille de route de l'ITRS le successeur du 45 nm est la technologie 32 nm. Per the International Technology Roadmap for Semiconductors, the 45 nm MOSFET technology node should refer to the average half-pitch of a memory cell manufactured at around the 2007–2008 time frame. Matsushita and Intel started mass-producing 45 nm chips in late 2007, and AMD started production of 45 nm chips in late 2008, while IBM, Infineon, Samsung, and Chartered Semiconductor have already completed a common 45 nm process platform. At the end of 2008, SMIC was the first China-based semiconductor company to move to 45 nm, having licensed the bulk 45 nm process from IBM. In 2008, TSMC moved on to a 40 nm process. Many critical feature sizes are smaller than the wavelength of light used for lithography (i.e., 193 nm and 248 nm). A variety of techniques, such as larger lenses, are used to make sub-wavelength features. Double patterning has also been introduced to assist in shrinking distances between features, especially if dry lithography is used. It is expected that more layers will be patterned with 193 nm wavelength at the 45 nm node. Moving previously loose layers (such as Metal 4 and Metal 5) from 248 nm to 193 nm wavelength is expected to continue, which will likely further drive costs upward, due to difficulties with 193 nm photoresists. 45 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 45 nm 인 반도체를 다루는 CMOS 반도체 제조 공정이다. 45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。 芯片制造厂商使用High-k材料来填充，目的是为了减少。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。 2020年，華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45納米晶片做起。 45 nanòmetres (45 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 45 nm. És una millora de la tecnologia de 65 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Il processo costruttivo a 45 nm (45 nanometri) è l'evoluzione del precedente processo a 65 nm utilizzato per esempio da Intel e AMD per la produzione di microprocessori. Panasonic ha annunciato la messa in commercio per il 1º novembre 2007 di un masterizzatore Blu Ray dotato di un processore a 45 nm quindi Panasonic è stato il primo produttore a mettere in commercio un dispositivo con componenti a 45 nm. La sua introduzione nel settore dei computer è avvenuta il 12 novembre 2007 da parte di Intel con il processore Yorkfield; AMD invece ha annunciato l'arrivo sui mercati dei primi prodotti per la prima metà del 2008. Toshiba, NEC e Sony hanno formato un'alleanza per lo sviluppo congiunto della tecnologia a 45 nanometri e puntano a produrre i primi integrati con questa tecnologia nel 2008. Il termine "45 nm" indica il nodo tecnologico del processo produttivo (definito come la metà della distanza fra celle vicine in un chip contenente memoria DRAM) e non la lunghezza di gate dei transistor (che nei dispositivi prodotti da Intel in questa tecnologia è pari a 35 nm, invariata rispetto al nodo tecnologico a 65 nm). Per avere un'idea di cosa voglia dire "45 nm" basti considerare che il virus dell'HIV è grande circa 120 nm, un globulo rosso umano circa 6000-8000 nm e un capello quasi 80000 nm. Il processo di produzione richiede che lo spessore dello strato isolante sopra al canale sia estremamente ridotto, vicino al nanometro, e questo permette a numerosi elettroni di saltare la barriera per effetto tunnel, provocando una corrente, detta di leakage, fenomeno che fino ad alcuni anni fa era di entità assolutamente irrilevante. Tale corrente provoca un aumento del consumo totale del processore e quindi anche un aumento di temperatura. Intel ha dovuto far fronte a questo problema già con il Pentium 4 Prescott, costruito a 90 nm, che scatenò subito diverse polemiche legate appunto al suo alto "leakage", poco tenuto sotto controllo, che contribuiva ad incrementare un consumo elettrico già elevato. 45 nanómetros (45nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 45 milmillonésima partes de un metro.​
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