This HTML5 document contains 139 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dbpedia-de	http://de.dbpedia.org/resource/
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
dbo	http://dbpedia.org/ontology/
n17	http://dbpedia.org/resource/File:
foaf	http://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-ca	http://ca.dbpedia.org/resource/
n8	http://news.bbc.co.uk/1/hi/technology/
n19	https://global.dbpedia.org/id/
yago	http://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ru	http://ru.dbpedia.org/resource/
dbt	http://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-uk	http://uk.dbpedia.org/resource/
rdfs	http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
dbpedia-et	http://et.dbpedia.org/resource/
freebase	http://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-fi	http://fi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fa	http://fa.dbpedia.org/resource/
n10	http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n28	https://www.nytimes.com/2007/01/27/technology/
dbpedia-ar	http://ar.dbpedia.org/resource/
owl	http://www.w3.org/2002/07/owl#
n27	https://dx.doi.org/10.1063/
dbpedia-fr	http://fr.dbpedia.org/resource/
wikipedia-en	http://en.wikipedia.org/wiki/
dbc	http://dbpedia.org/resource/Category:
dbp	http://dbpedia.org/property/
prov	http://www.w3.org/ns/prov#
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18	https://web.archive.org/web/20060627213641/http:/www.crcpress.com/shopping_cart/products/
dbpedia-id	http://id.dbpedia.org/resource/
wikidata	http://www.wikidata.org/entity/
dbr	http://dbpedia.org/resource/
dbpedia-ja	http://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item

dbr:High-κ_dielectric

rdf:type

yago:Instrumentality103575240 yago:WikicatTransistors yago:Artifact100021939 yago:Device103183080 yago:Object100002684 yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Material114580897 yago:WikicatHigh-kDielectrics yago:PhysicalEntity100001930 yago:Conductor103088707 yago:Substance100019613 yago:Part113809207 yago:Whole100003553 yago:Abstraction100002137 yago:Matter100020827 yago:Insulator114821590 yago:Transistor104471632 yago:WikicatSemiconductorDeviceMaterials yago:Relation100031921

rdfs:label

High-k High-κ dielectric High-κ絶縁体 Dielèctric high-k High-k діелектрик عازل كهربائي هاي كي Dielektrik Tinggi-κ Diélectrique high-k High-k-Dielektrikum

rdfs:comment

Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl aufweist als herkömmliches Siliciumdioxid (εr = 3,9) oder (εr < 6). Die Bezeichnung „high-k“ ist dem Englischen entlehnt, wo die Dielektrizitätszahl häufig mit (Kappa), bei Fehlen dieses Symbols auch mit k, bezeichnet wird. Un diélectrique high-κ (high-κ dielectric) est un matériau avec une constante diélectrique κ élevée (comparée à celle du dioxyde de silicium) utilisé dans la fabrication de composants semi-conducteur en remplacement de la grille habituellement en dioxyde de silicium. L'utilisation de ce type de matériau constitue l'une des stratégies de développement permettant la miniaturisation des composés en microélectronique, afin de permettre de continuer à suivre la Loi de Moore. High-k діелектрик — термін, що окреслює групу діелектриків у яких діелектрична проникність більша, ніж у діоксиду кремнію. Також, під High-k розуміють технологію виробництва МОП напівпровідникових транзисторів з підзатворним діелектриком, що виконаний з High-k діелектрика. Назва High-k є комбінацією слова англ. high (високий) та грецької літери (грец. Κάππα), якою позначають діелектричну проникність. Istilah dielektrik tinggi-κ mengacu pada bahan dengan konstanta dielektrik tinggi (κ, kapa), dibandingkan dengan silikon dioksida. Dielektrik tinggi digunakan dalam proses manufaktur semikonduktor di mana mereka biasanya digunakan untuk menggantikan dielektrik gerbang silikon dioksida atau lapisan dielektrik perangkat lainnya. Implementasi dielektrik gerbang tinggi adalah salah satu dari beberapa strategi yang dikembangkan untuk memungkinkan miniaturisasi lebih lanjut dari komponen mikroelektronika, bahasa sehari-hari disebut sebagai perluasan Hukum Moore. Terkadang bahan ini disebut "high-k" (diucapkan "high kay"), bukan "high-κ" (high kappa). Dielèctric high-k (en anglès alta k) fa referència a un material d'alt valor de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr). Els materials dielèctrics amb alta k s'empren en la fabricació de semiconductors on usualment remplacen el diòxid de silici (K=3,7-3,9). Els materials dielèctrics high-k és una de les tecnologies que permeten de continuar la miniaturització dels components electrònics segons la llei de Moore. High-κ絶縁体（はいかっぱぜつえんたい）とは、（二酸化ケイ素と比べて）高い比誘電率 κ を持つ材料に対する呼称である。半導体製造プロセスでHigh-κ絶縁体は、二酸化ケイ素やその他の絶縁膜を置き換えるために用いられる。high-κゲート絶縁体は、ムーアの法則と呼ばれるマイクロ電子部品のさらなる微細化の戦略の一つである。 "high-κ"(high Κ)の代わりに"high-k"と呼ばれる時もある。 High-k — технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (3,9). Реально применяющиеся в электронике материалы с высокой проницаемостью получили наименование «альтернативных диэлектриков», среди них диоксид циркония и диоксид гафния (для обоих проницаемость около 25). Название «high-k» происходит от не совсем стандартного обозначения диэлектрической проницаемости буквой (каппа), которая из-за не всеобщей распространённости греческих шрифтов заменилась латинской . Правильное произношение: «хай-кэй», но нередко произносят «хай-ка». Традиционно для проницаемости используется символ (эпсилон), но термин «high-» не прижился. The term high-κ dielectric refers to a material with a high dielectric constant (κ, kappa), as compared to silicon dioxide. High-κ dielectrics are used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric or another dielectric layer of a device. The implementation of high-κ gate dielectrics is one of several strategies developed to allow further miniaturization of microelectronic components, colloquially referred to as extending Moore's Law. Sometimes these materials are called "high-k" (pronounced "high kay"), instead of "high-κ" (high kappa). في تقنية أشباه الموصلات، يعد العازل الكهربائي عالي k مادة تحتوي على ثابت عزل أعلى من لثاني أكسيد السيليكون التقليدي ( 3.9= εr) أو أكسيد نيتريد السيليكون (εr < 6). المصطلح «هاي كي» high-k مستعار من اللغة الإنجليزية، حيث غالبًا ما يستخدم ثابت العزل (kappa)، وفي حالة عدم وجود هذا الرمز يشار إليه أيضًا بـ k .

foaf:depiction

n10:High-k.svg n10:FET_cross_section.png

dcterms:subject

dbc:Transistors dbc:Semiconductor_fabrication_materials dbc:High-κ_dielectrics dbc:Electronic_engineering dbc:MOSFETs

dbo:wikiPageID

2332464

dbo:wikiPageRevisionID

1099419750

dbo:wikiPageWikiLink

dbr:Thin_film dbr:Reliability_engineering dbr:John_Robertson_(physicist) dbr:Dielectric_constant dbr:Threshold_voltage dbr:Zirconium_silicate dbc:Transistors dbr:International_Technology_Roadmap_for_Semiconductors dbr:Vacuum_permittivity dbr:Gate_oxide dbr:Inelastic_electron_tunneling_spectroscopy dbr:Capacitor dbr:Semiconductor_memory dbr:Hafnium_silicate dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Atomic_layer_deposition dbr:Thermal_oxidation dbr:Metal-oxide-semiconductor_field-effect_transistor n17:High-k.svg dbr:Subthreshold_leakage dbr:Capacitance dbr:Kappa dbr:Gurtej_Sandhu dbr:Hafnium n17:FET_cross_section.png dbr:Dark_current_spectroscopy dbr:Silicon–germanium dbr:Hafnium_dioxide dbr:MOSFET dbr:45_nanometer dbr:Penryn_(microarchitecture) dbr:Journal_of_Applied_Physics dbr:Quantum_tunneling dbr:Semiconductor_node dbr:Electron_mobility dbr:Silicon_on_insulator dbr:90_nanometer dbr:IBM dbr:Intel dbr:Silicon dbr:Nanometer dbr:NEC dbc:High-κ_dielectrics dbr:Subthreshold_conduction dbr:Semiconductor_manufacturing dbr:Electronic_band_structure dbr:Moore's_Law dbc:Electronic_engineering dbr:Silicon_oxynitride dbc:Semiconductor_fabrication_materials dbr:Gate_capacitance dbc:MOSFETs dbr:Micron_Technology dbr:Silicon_dioxide dbr:Low-κ_dielectric dbr:Zirconium_dioxide

dbo:wikiPageExternalLink

n8:6299147.stm n18:product_detail.asp%3Fsku=IP365 n27:1.1361065 n28:27chip.html

owl:sameAs

dbpedia-id:Dielektrik_Tinggi-κ dbpedia-fa:دی‌الکتریک_با_کاپای_زیاد dbpedia-de:High-k-Dielektrikum n19:LTLc freebase:m.074drv wikidata:Q132013 dbpedia-et:Kõrge-k-dielektrik dbpedia-ja:High-κ絶縁体 dbpedia-fr:Diélectrique_high-k dbpedia-ar:عازل_كهربائي_هاي_كي dbpedia-fi:High-k-eriste dbpedia-uk:High-k_діелектрик dbpedia-ru:High-k dbpedia-ca:Dielèctric_high-k

dbp:wikiPageUsesTemplate

dbt:ISBN dbt:Portal dbt:Chem2 dbt:Math dbt:Doi dbt:Reflist

dbo:thumbnail

n10:High-k.svg?width=300

dbo:abstract

Un diélectrique high-κ (high-κ dielectric) est un matériau avec une constante diélectrique κ élevée (comparée à celle du dioxyde de silicium) utilisé dans la fabrication de composants semi-conducteur en remplacement de la grille habituellement en dioxyde de silicium. L'utilisation de ce type de matériau constitue l'une des stratégies de développement permettant la miniaturisation des composés en microélectronique, afin de permettre de continuer à suivre la Loi de Moore. The term high-κ dielectric refers to a material with a high dielectric constant (κ, kappa), as compared to silicon dioxide. High-κ dielectrics are used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric or another dielectric layer of a device. The implementation of high-κ gate dielectrics is one of several strategies developed to allow further miniaturization of microelectronic components, colloquially referred to as extending Moore's Law. Sometimes these materials are called "high-k" (pronounced "high kay"), instead of "high-κ" (high kappa). Dielèctric high-k (en anglès alta k) fa referència a un material d'alt valor de constant dielèctrica o també permitivitat relativa (εr). Els materials dielèctrics amb alta k s'empren en la fabricació de semiconductors on usualment remplacen el diòxid de silici (K=3,7-3,9). Els materials dielèctrics high-k és una de les tecnologies que permeten de continuar la miniaturització dels components electrònics segons la llei de Moore. High-κ絶縁体（はいかっぱぜつえんたい）とは、（二酸化ケイ素と比べて）高い比誘電率 κ を持つ材料に対する呼称である。半導体製造プロセスでHigh-κ絶縁体は、二酸化ケイ素やその他の絶縁膜を置き換えるために用いられる。high-κゲート絶縁体は、ムーアの法則と呼ばれるマイクロ電子部品のさらなる微細化の戦略の一つである。 "high-κ"(high Κ)の代わりに"high-k"と呼ばれる時もある。 High-k — технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (3,9). Реально применяющиеся в электронике материалы с высокой проницаемостью получили наименование «альтернативных диэлектриков», среди них диоксид циркония и диоксид гафния (для обоих проницаемость около 25). Название «high-k» происходит от не совсем стандартного обозначения диэлектрической проницаемости буквой (каппа), которая из-за не всеобщей распространённости греческих шрифтов заменилась латинской . Правильное произношение: «хай-кэй», но нередко произносят «хай-ка». Традиционно для проницаемости используется символ (эпсилон), но термин «high-» не прижился. Istilah dielektrik tinggi-κ mengacu pada bahan dengan konstanta dielektrik tinggi (κ, kapa), dibandingkan dengan silikon dioksida. Dielektrik tinggi digunakan dalam proses manufaktur semikonduktor di mana mereka biasanya digunakan untuk menggantikan dielektrik gerbang silikon dioksida atau lapisan dielektrik perangkat lainnya. Implementasi dielektrik gerbang tinggi adalah salah satu dari beberapa strategi yang dikembangkan untuk memungkinkan miniaturisasi lebih lanjut dari komponen mikroelektronika, bahasa sehari-hari disebut sebagai perluasan Hukum Moore. Terkadang bahan ini disebut "high-k" (diucapkan "high kay"), bukan "high-κ" (high kappa). Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl aufweist als herkömmliches Siliciumdioxid (εr = 3,9) oder (εr < 6). Die Bezeichnung „high-k“ ist dem Englischen entlehnt, wo die Dielektrizitätszahl häufig mit (Kappa), bei Fehlen dieses Symbols auch mit k, bezeichnet wird. في تقنية أشباه الموصلات، يعد العازل الكهربائي عالي k مادة تحتوي على ثابت عزل أعلى من لثاني أكسيد السيليكون التقليدي ( 3.9= εr) أو أكسيد نيتريد السيليكون (εr < 6). المصطلح «هاي كي» high-k مستعار من اللغة الإنجليزية، حيث غالبًا ما يستخدم ثابت العزل (kappa)، وفي حالة عدم وجود هذا الرمز يشار إليه أيضًا بـ k . High-k діелектрик — термін, що окреслює групу діелектриків у яких діелектрична проникність більша, ніж у діоксиду кремнію. Також, під High-k розуміють технологію виробництва МОП напівпровідникових транзисторів з підзатворним діелектриком, що виконаний з High-k діелектрика. Назва High-k є комбінацією слова англ. high (високий) та грецької літери (грец. Κάππα), якою позначають діелектричну проникність.

prov:wasDerivedFrom

wikipedia-en:High-κ_dielectric?oldid=1099419750&ns=0

dbo:wikiPageLength

12370

foaf:isPrimaryTopicOf

wikipedia-en:High-κ_dielectric