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Model híbrid-pi ハイブリッドπモデル Modello di Giacoletto Hybrid-pi model
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The hybrid-pi model is a popular circuit model used for analyzing the small signal behavior of bipolar junction and field effect transistors. Sometimes it is also called Giacoletto model because it was introduced by L.J. Giacoletto in 1969. The model can be quite accurate for low-frequency circuits and can easily be adapted for higher frequency circuits with the addition of appropriate inter-electrode capacitances and other parasitic elements. ハイブリッドπモデルは、バイポーラトランジスタおよび電界効果トランジスタの小信号解析に使用される一般的な回路モデルである。 1969年にLJ Giacolettoによって導入されたため、 Giacolettoモデルとも呼ばれる 。 このモデルは、低周波回路の動作を非常に正確に表すことができる。また、適切な電極間容量や他の寄生要素を追加することで、高周波回路にも容易に適応できる。 Il modello di Giacoletto, chiamato così perché proposto per la prima volta dall'ingegnere Lawrence Joseph Giacoletto nel 1969, è un modello del circuito di piccolo segnale per un transistor BJT alle alte frequenze. Vengono implementate due capacità parassite date dagli effetti di svuotamento e diffusione del transistor: Cμ tra base e collettore, Cπ tra base ed emettitore. Il circuito è facilmente studiabile applicando il teorema di Miller, per cui Zf=Zcμ : Zf’=Cμ(1-k) e Zf” trascurabile, con k amplificazione del BJT. Lo zero è individuabile alla frequenza f=gm/(2π*Cμ).
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ハイブリッドπモデルは、バイポーラトランジスタおよび電界効果トランジスタの小信号解析に使用される一般的な回路モデルである。 1969年にLJ Giacolettoによって導入されたため、 Giacolettoモデルとも呼ばれる 。 このモデルは、低周波回路の動作を非常に正確に表すことができる。また、適切な電極間容量や他の寄生要素を追加することで、高周波回路にも容易に適応できる。 The hybrid-pi model is a popular circuit model used for analyzing the small signal behavior of bipolar junction and field effect transistors. Sometimes it is also called Giacoletto model because it was introduced by L.J. Giacoletto in 1969. The model can be quite accurate for low-frequency circuits and can easily be adapted for higher frequency circuits with the addition of appropriate inter-electrode capacitances and other parasitic elements. Il modello di Giacoletto, chiamato così perché proposto per la prima volta dall'ingegnere Lawrence Joseph Giacoletto nel 1969, è un modello del circuito di piccolo segnale per un transistor BJT alle alte frequenze. Vengono implementate due capacità parassite date dagli effetti di svuotamento e diffusione del transistor: Cμ tra base e collettore, Cπ tra base ed emettitore. L'effetto dei condensatori è quindi quello non solo di avere una retroazione tra collettore e base, ma di apportare un polo e uno zero nella funzione di trasferimento hfe(S), quindi una diminuzione dell'amplificazione alle alte frequenze. Il circuito è facilmente studiabile applicando il teorema di Miller, per cui Zf=Zcμ : Zf’=Cμ(1-k) e Zf” trascurabile, con k amplificazione del BJT. Lo zero è individuabile alla frequenza f=gm/(2π*Cμ). Il polo invece è ricavabile mediante la resistenza equivalente vista ai capi del condensatore parallelo tra Cμ’ e Cπ: Req=Rs||(rπ + (1+hfe)Re), con Rs resistenza d’ingresso alla base, Re resistenza di emettitore, rπ invece è la resistenza in base nel modello di piccolo segnale.
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