. . . . . . "Charge trap flash (CTF) is a semiconductor memory technology used in creating non-volatile NOR and NAND flash memory. It is a type of floating-gate MOSFET memory technology, but differs from the conventional floating-gate technology in that it uses a silicon nitride film to store electrons rather than the doped polycrystalline silicon typical of a floating-gate structure. This approach allows memory manufacturers to reduce manufacturing costs five ways: 1. \n* Fewer process steps are required to form a charge storage node 2. \n* Smaller process geometries can be used (therefore reducing chip size and cost) 3. \n* Multiple bits can be stored on a single flash memory cell 4. \n* Improved reliability 5. \n* Higher yield since the charge trap is less susceptible to point defects in the tunnel oxide layer While the charge-trapping concept was around earlier, it wasn't until 2002 that AMD and Fujitsu produced high-volume charge-trapping flash memory. They began the commercial production of charge-trapping flash memory with the introduction of the GL NOR flash memory family. The same business, now operating under the Spansion name, has produced charge trapping devices in high volume since that time. Charge trapping flash accounted for 30% of 2008's $2.5 billion NOR flash market. Saifun Semiconductors, who licensed a large charge trapping technology portfolio to several companies, was acquired by Spansion in March 2008. From the late 2000s, CTF became a core component of 3D V-NAND flash memory developed by Toshiba and Samsung Electronics."@en . . . . . . . . . . "Charge trap flash"@en . . . . . "Charge-Trapping-Speicher"@de . "Charge-Trapping-Speicher, englisch charge-trap flash, CTF ist eine Halbleiterspeichertechnik, die prim\u00E4r bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtfl\u00FCchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird. Im Unterschied zu der alternativen Floating-Gate-Flashspeichern werden bei CT-Speichern die Ladungen (engl. charge) nicht auf einem elektrisch isolierten Gate aus Polysilizium zwischen dem Kanal und dem Kontroll-Gate gespeichert, sondern die Elektronen und Defektelektronen werden an (engl. trapping center) einer Schicht aus Siliciumnitrid, die vom Kanal durch eine d\u00FCnne Tunneloxidschicht getrennt ist, gehalten."@de . "Charge-Trapping-Speicher, englisch charge-trap flash, CTF ist eine Halbleiterspeichertechnik, die prim\u00E4r bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtfl\u00FCchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird. Im Unterschied zu der alternativen Floating-Gate-Flashspeichern werden bei CT-Speichern die Ladungen (engl. charge) nicht auf einem elektrisch isolierten Gate aus Polysilizium zwischen dem Kanal und dem Kontroll-Gate gespeichert, sondern die Elektronen und Defektelektronen werden an (engl. trapping center) einer Schicht aus Siliciumnitrid, die vom Kanal durch eine d\u00FCnne Tunneloxidschicht getrennt ist, gehalten. Der Vorteil von Charge-Trapping-Flashspeichern gegen\u00FCber Floating-Gate-Flashspeichern besteht in einer h\u00F6heren Speicherdichte pro Chipfl\u00E4che, das hei\u00DFt einer h\u00F6heren Ausbeute, weniger Prozessschritte bei der Herstellung des Speicherchips, der leichteren Integrationsm\u00F6glichkeit von Flashspeicher mit anderen Halbleiterschaltungen wie beispielsweise einem Mikrocontroller in einem Chip, und einer h\u00F6heren Anzahl an Schreibzyklen. Charge-Trapping-Speicher wurden bis Anfang der 2000er-Jahre vor allem bei kleineren EEPROM-Speichern eingesetzt, w\u00E4hrend die auf hohe Speicherkapazit\u00E4ten ausgelegten NAND-Flash zun\u00E4chst prim\u00E4r mit kosteng\u00FCnstigeren Floating-Gate-Transistoren realisiert wurden. Aufgrund der Vorteile von Charge-Trapping-Flashspeichern werden seit Mitte der 2000er-Jahre auch zunehmend NAND-Flash im oberen Speichersegment mittels Charge-Trapping-Speicher ausgef\u00FChrt."@de . . . "34597"^^ . . "Charge Trap Flash"@ru . . "Charge trap flash (CTF) is a semiconductor memory technology used in creating non-volatile NOR and NAND flash memory. It is a type of floating-gate MOSFET memory technology, but differs from the conventional floating-gate technology in that it uses a silicon nitride film to store electrons rather than the doped polycrystalline silicon typical of a floating-gate structure. This approach allows memory manufacturers to reduce manufacturing costs five ways:"@en . . "Charge Trap Flash (CTF, \u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u044C \u0441 \u043B\u043E\u0432\u0443\u0448\u043A\u043E\u0439 \u0437\u0430\u0440\u044F\u0434\u0430) \u2014 \u0442\u0435\u0445\u043D\u043E\u043B\u043E\u0433\u0438\u044F \u043A\u043E\u043C\u043F\u044C\u044E\u0442\u0435\u0440\u043D\u043E\u0439 \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438, \u0438\u0437\u0432\u0435\u0441\u0442\u043D\u0430\u044F \u0441 1967 \u0433\u043E\u0434\u0430 \u0438 \u0438\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u0443\u0435\u043C\u0430\u044F \u0434\u043B\u044F \u0441\u043E\u0437\u0434\u0430\u043D\u0438\u044F NOR \u0438 NAND \u043D\u0430\u043A\u043E\u043F\u0438\u0442\u0435\u043B\u0435\u0439 \u0441 2002 \u0438 2008 \u0433\u043E\u0434\u043E\u0432, \u0441\u043E\u043E\u0442\u0432\u0435\u0442\u0441\u0442\u0432\u0435\u043D\u043D\u043E. \u041E\u043D\u0430 \u043E\u0442\u043B\u0438\u0447\u0430\u0435\u0442\u0441\u044F \u043E\u0442 \u0448\u0438\u0440\u043E\u043A\u043E \u0438\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u043E\u0432\u0430\u0432\u0448\u0435\u0439\u0441\u044F \u0434\u043E 2010 \u0433\u043E\u0434\u0430 \u0442\u0435\u0445\u043D\u043E\u043B\u043E\u0433\u0438\u0438 \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 \u043D\u0430 MOSFET-\u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430\u0445 \u0441 \u043F\u043B\u0430\u0432\u0430\u044E\u0449\u0438\u043C \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C \u0442\u0435\u043C, \u0447\u0442\u043E \u0438\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u0443\u0435\u0442 \u0434\u043B\u044F \u0445\u0440\u0430\u043D\u0435\u043D\u0438\u044F \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043E\u0432 \u043F\u043B\u0451\u043D\u043A\u0443 \u043D\u0438\u0442\u0440\u0438\u0434\u0430 \u043A\u0440\u0435\u043C\u043D\u0438\u044F, \u0430 \u043D\u0435 \u043F\u043E\u043B\u0438\u043A\u0440\u0435\u043C\u043D\u0438\u0439 \u0441 \u0434\u043E\u043F\u0438\u0440\u0443\u044E\u0449\u0438\u043C\u0438 \u044D\u043B\u0435\u043C\u0435\u043D\u0442\u0430\u043C\u0438. \u0417\u0430 \u0441\u0447\u0451\u0442 \u043F\u0435\u0440\u0435\u0445\u043E\u0434\u0430 \u043D\u0430 CTF \u043F\u0440\u043E\u0438\u0437\u0432\u043E\u0434\u0438\u0442\u0435\u043B\u0438 \u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 \u0441\u043C\u043E\u0433\u043B\u0438 \u0441\u043D\u0438\u0437\u0438\u0442\u044C \u0441\u0442\u043E\u0438\u043C\u043E\u0441\u0442\u044C \u043F\u0440\u043E\u0438\u0437\u0432\u043E\u0434\u0441\u0442\u0432\u0430 \u0437\u0430 \u0441\u0447\u0451\u0442:"@ru . . . . . . . "6973208"^^ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "Charge Trap Flash (CTF, \u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u044C \u0441 \u043B\u043E\u0432\u0443\u0448\u043A\u043E\u0439 \u0437\u0430\u0440\u044F\u0434\u0430) \u2014 \u0442\u0435\u0445\u043D\u043E\u043B\u043E\u0433\u0438\u044F \u043A\u043E\u043C\u043F\u044C\u044E\u0442\u0435\u0440\u043D\u043E\u0439 \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438, \u0438\u0437\u0432\u0435\u0441\u0442\u043D\u0430\u044F \u0441 1967 \u0433\u043E\u0434\u0430 \u0438 \u0438\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u0443\u0435\u043C\u0430\u044F \u0434\u043B\u044F \u0441\u043E\u0437\u0434\u0430\u043D\u0438\u044F NOR \u0438 NAND \u043D\u0430\u043A\u043E\u043F\u0438\u0442\u0435\u043B\u0435\u0439 \u0441 2002 \u0438 2008 \u0433\u043E\u0434\u043E\u0432, \u0441\u043E\u043E\u0442\u0432\u0435\u0442\u0441\u0442\u0432\u0435\u043D\u043D\u043E. \u041E\u043D\u0430 \u043E\u0442\u043B\u0438\u0447\u0430\u0435\u0442\u0441\u044F \u043E\u0442 \u0448\u0438\u0440\u043E\u043A\u043E \u0438\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u043E\u0432\u0430\u0432\u0448\u0435\u0439\u0441\u044F \u0434\u043E 2010 \u0433\u043E\u0434\u0430 \u0442\u0435\u0445\u043D\u043E\u043B\u043E\u0433\u0438\u0438 \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 \u043D\u0430 MOSFET-\u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430\u0445 \u0441 \u043F\u043B\u0430\u0432\u0430\u044E\u0449\u0438\u043C \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C \u0442\u0435\u043C, \u0447\u0442\u043E \u0438\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u0443\u0435\u0442 \u0434\u043B\u044F \u0445\u0440\u0430\u043D\u0435\u043D\u0438\u044F \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043E\u0432 \u043F\u043B\u0451\u043D\u043A\u0443 \u043D\u0438\u0442\u0440\u0438\u0434\u0430 \u043A\u0440\u0435\u043C\u043D\u0438\u044F, \u0430 \u043D\u0435 \u043F\u043E\u043B\u0438\u043A\u0440\u0435\u043C\u043D\u0438\u0439 \u0441 \u0434\u043E\u043F\u0438\u0440\u0443\u044E\u0449\u0438\u043C\u0438 \u044D\u043B\u0435\u043C\u0435\u043D\u0442\u0430\u043C\u0438. \u0417\u0430 \u0441\u0447\u0451\u0442 \u043F\u0435\u0440\u0435\u0445\u043E\u0434\u0430 \u043D\u0430 CTF \u043F\u0440\u043E\u0438\u0437\u0432\u043E\u0434\u0438\u0442\u0435\u043B\u0438 \u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 \u0441\u043C\u043E\u0433\u043B\u0438 \u0441\u043D\u0438\u0437\u0438\u0442\u044C \u0441\u0442\u043E\u0438\u043C\u043E\u0441\u0442\u044C \u043F\u0440\u043E\u0438\u0437\u0432\u043E\u0434\u0441\u0442\u0432\u0430 \u0437\u0430 \u0441\u0447\u0451\u0442: \n* \u043C\u0435\u043D\u044C\u0448\u0435\u0433\u043E \u043A\u043E\u043B\u0438\u0447\u0435\u0441\u0442\u0432\u0430 \u0442\u0435\u0445\u043D\u043E\u043B\u043E\u0433\u0438\u0447\u0435\u0441\u043A\u0438\u0445 \u044D\u0442\u0430\u043F\u043E\u0432 \u0434\u043B\u044F \u0444\u043E\u0440\u043C\u0438\u0440\u043E\u0432\u0430\u043D\u0438\u044F \u044F\u0447\u0435\u0439\u043A\u0438 \n* \u0432\u043E\u0437\u043C\u043E\u0436\u043D\u043E\u0441\u0442\u0438 \u0438\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u043E\u0432\u0430\u043D\u0438\u044F \u0431\u043E\u043B\u0435\u0435 \u0442\u043E\u043D\u043A\u0438\u0445 \u0442\u0435\u0445\u043D\u043E\u043B\u043E\u0433\u0438\u0447\u0435\u0441\u043A\u0438\u0445 \u043F\u0440\u043E\u0446\u0435\u0441\u0441\u043E\u0432 (30, 20 \u043D\u043C \u0438 \u043D\u0435\u043C\u043D\u043E\u0433\u043E \u043C\u0435\u043D\u044C\u0448\u0435) \n* \u0443\u043F\u0440\u043E\u0449\u0435\u043D\u0438\u044F \u0445\u0440\u0430\u043D\u0435\u043D\u0438\u044F \u043D\u0435\u0441\u043A\u043E\u043B\u044C\u043A\u0438\u0445 \u0431\u0438\u0442 \u0432 \u043E\u0434\u043D\u043E\u0439 \u044F\u0447\u0435\u0439\u043A\u0435 (\u043D\u0430\u043F\u0440\u0438\u043C\u0435\u0440, MLC \u2014 \u0445\u0440\u0430\u043D\u0435\u043D\u0438\u0435 2 \u0431\u0438\u0442 \u0432 \u0432\u0438\u0434\u0435 4 \u0432\u043E\u0437\u043C\u043E\u0436\u043D\u044B\u0445 \u0443\u0440\u043E\u0432\u043D\u0435\u0439 \u0437\u0430\u0440\u044F\u0434\u0430) \n* \u043F\u043E\u0432\u044B\u0448\u0435\u043D\u0438\u044F \u043D\u0430\u0434\u0435\u0436\u043D\u043E\u0441\u0442\u0438 \n* \u0431\u043E\u043B\u0435\u0435 \u0432\u044B\u0441\u043E\u043A\u043E\u0433\u043E \u0432\u044B\u0445\u043E\u0434\u0430 \u0433\u043E\u0434\u043D\u044B\u0445, \u043F\u043E\u0441\u043A\u043E\u043B\u044C\u043A\u0443 \u0442\u0435\u0445\u043D\u043E\u043B\u043E\u0433\u0438\u044F \u043C\u0435\u043D\u044C\u0448\u0435 \u043F\u043E\u0434\u0432\u0435\u0440\u0436\u0435\u043D\u0430 \u0442\u043E\u0447\u0435\u0447\u043D\u044B\u043C \u0434\u0435\u0444\u0435\u043A\u0442\u0430\u043C \u0432 \u0442\u0443\u043D\u043D\u0435\u043B\u044C\u043D\u043E\u043C \u0441\u043B\u043E\u0435 \u043E\u043A\u0441\u0438\u0434\u0430. \u041F\u0440\u043E\u0438\u0437\u0432\u043E\u0434\u0441\u0442\u0432\u043E \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 \u043D\u0430 \u043E\u0441\u043D\u043E\u0432\u0435 CTF \u0431\u044B\u043B\u043E \u043E\u0441\u0432\u043E\u0435\u043D\u043E AMD \u0432 \u043F\u0430\u0440\u0442\u043D\u0451\u0440\u0441\u0442\u0432\u0435 \u0441 Fujitsu \u0435\u0449\u0451 \u0432 2002 \u0433\u043E\u0434\u0443 (\u0441\u0435\u043C\u0435\u0439\u0441\u0442\u0432\u043E \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 GL NOR, \u043D\u044B\u043D\u0435 \u043F\u0440\u0438\u043D\u0430\u0434\u043B\u0435\u0436\u0438\u0442 \u043A\u043E\u043C\u043F\u0430\u043D\u0438\u0438 ). \u0412 2008 \u0433\u043E\u0434\u0443 CTF \u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u044C \u0441\u043E\u0441\u0442\u0430\u0432\u043B\u044F\u043B\u0430 \u043E\u043A\u043E\u043B\u043E 30 % \u043E\u0442 \u0440\u044B\u043D\u043A\u0430 NOR \u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438, \u043E\u0431\u0449\u0438\u043C \u043E\u0431\u044A\u0451\u043C\u043E\u043C \u0432 2,5 \u043C\u043B\u0440\u0434 \u0434\u043E\u043B\u043B\u0430\u0440\u043E\u0432 \u0421\u0428\u0410. \u041C\u043D\u043E\u0433\u0438\u0435 \u043F\u0440\u043E\u0438\u0437\u0432\u043E\u0434\u0438\u0442\u0435\u043B\u0438 NAND \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 \u043F\u0435\u0440\u0435\u0448\u043B\u0438 \u0441 \u043F\u043B\u0430\u0432\u0430\u044E\u0449\u0438\u0445 \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u0432 \u043D\u0430 CTF \u0432 2008\u20142010 \u0433\u043E\u0434\u0430\u0445, \u043A\u043E\u0433\u0434\u0430 \u0442\u0435\u0445\u043F\u0440\u043E\u0446\u0435\u0441\u0441 \u0441\u0442\u0430\u043B \u043F\u0440\u0438\u0431\u043B\u0438\u0436\u0430\u0442\u044C\u0441\u044F \u043A 20 \u043D\u043C. \u0412\u043E \u0432\u0441\u0435\u0445 \u0432\u0430\u0440\u0438\u0430\u043D\u0442\u0430\u0445 \u0442\u0440\u0435\u0445\u043C\u0435\u0440\u043D\u043E\u0439 \u043A\u043E\u043C\u043F\u043E\u043D\u043E\u0432\u043A\u0438 \u044F\u0447\u0435\u0435\u043A \u0444\u043B\u0435\u0448-\u043F\u0430\u043C\u044F\u0442\u0438 (3D NAND), \u0432\u043A\u043B\u044E\u0447\u0430\u044F V-NAND (Samsung), \u043F\u0440\u0438\u043C\u0435\u043D\u044F\u0435\u0442\u0441\u044F CTF."@ru . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "1124167105"^^ .