. "Il transistor Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, \u00E8 un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn). In questa maniera si evita che il dispositivo vada in saturazione e si rende pi\u00F9 veloce la commutazione; la presenza del diodo impedisce infatti che la tensione diretta applicata alla giunzione base-collettore superi il potenziale di accensione."@it . "Um Transistor Schottky \u00E9 uma combina\u00E7\u00E3o de um transistor e um diodo Schottky que previne o transistor de saturar por desviar a corrente em excesso na entrada."@pt . . . "1091085205"^^ . . . "Il transistor Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, \u00E8 un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn). In questa maniera si evita che il dispositivo vada in saturazione e si rende pi\u00F9 veloce la commutazione; la presenza del diodo impedisce infatti che la tensione diretta applicata alla giunzione base-collettore superi il potenziale di accensione."@it . "Schottky-TTL (S-TTL) ist eine Logikfamilie, die eine bestimmte Halbleitertechnologie f\u00FCr integrierte Schaltkreise (ICs) bezeichnet. Sie verwenden f\u00FCr die Transistoren der 2. Stufe (das 2.T bzw. die Push-pull-Stufe), je eine Schottky-Diode als negative R\u00FCckkopplung (vergl. Operationsverst\u00E4rker). Diese Transitoren werden n\u00E4mlich in Common-Emitter-Konfiguration verwendet. Dabei wird normalerweise die Spannung und der Strom invertiert verst\u00E4rkt. W\u00E4hrend die Transistoren f\u00FCr eine steile Flanke zwischen den TTL-Spannungsniveaus sorgen, verhindern die kleinen Dioden mit also geringer Kapazit\u00E4t, dass weit jenseits der hi oder low Spannung \u00FCbergeschwungen wird. Aufgrund der hohen Stromverst\u00E4rkung belastet die R\u00FCckkopplung den Verst\u00E4rker kaum, obwohl nat\u00FCrlich der Leistungsbedarf etwas steigt. Sie setzt sogenannte \u201ESchottky-Transistoren\u201C ein, um die Schaltzeiten und Durchlaufzeiten durch Logikgatter gegen\u00FCber der herk\u00F6mmlichen Transistor-Transistor-Logik (TTL), basierend auf Bipolartransistoren, zu reduzieren."@de . . "\u0422\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0428\u043E\u0442\u0442\u043A\u0438"@ru . "\uC1FC\uD2B8\uD0A4 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130(schottky transistor, schottky-clamped transistor\uB77C\uACE0\uB3C4 \uD568)\uB294 BJT\uC640 (schottky diode)\uB97C \uACB0\uD569\uD55C \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130\uC774\uB2E4. \uC1FC\uD2B8\uD0A4 \uB2E4\uC774\uC624\uB4DC\uC5D0 \uC758\uD574 \uACFC\uB3C4\uD55C \uD3EC\uD654\uBAA8\uB4DC\uC758 \uC804\uB958\uAC00 \uD750\uB9AC\uC9C0 \uC54A\uB3C4\uB85D \uB3D9\uC791\uD55C\uB2E4. \uB530\uB77C\uC11C \uC77C\uBC18 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130 \uBE44\uD574 \uACE0\uC18D \uB3D9\uC791\uC774 \uAC00\uB2A5\uD558\uB2E4. \uB17C\uB9AC\uAC8C\uC774\uD2B8 \uB4F1\uC5D0 \uC801\uC6A9\uD558\uC5EC \uBE60\uB978 \uC0C1\uD0DC\uBCC0\uD654\uAC00 \uAC00\uB2A5\uD558\uB3C4\uB85D \uB3D9\uC791\uD55C\uB2E4. \uC758 74S, 74LS\uC5D0 \uB110\uB9AC \uC0AC\uC6A9\uB418\uC5C8\uB2E4."@ko . . . "Schottky transistor"@en . "\u0422\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0428\u043E\u0442\u0442\u043A\u0438 \u2014 \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043D\u044B\u0439 \u043A\u043E\u043C\u043F\u043E\u043D\u0435\u043D\u0442, \u043F\u0440\u0435\u0434\u0441\u0442\u0430\u0432\u043B\u044F\u044E\u0449\u0438\u0439 \u0441\u043E\u0431\u043E\u0439 \u043A\u043E\u043C\u0431\u0438\u043D\u0430\u0446\u0438\u044E \u0438\u0437 \u0431\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u043E\u0433\u043E \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430 \u0438 \u0434\u0438\u043E\u0434\u0430 \u0428\u043E\u0442\u0442\u043A\u0438."@ru . . "Schottky-TTL"@de . . . "Tranzystor Schottky\u2019ego"@pl . "Tranzystor Schottky\u2019ego \u2013 tranzystor bipolarny w kt\u00F3rym r\u00F3wnolegle do z\u0142\u0105cza baza-kolektor umieszczono diod\u0119 Schottky\u2019ego w celu zwi\u0119kszenia szybko\u015Bci prze\u0142\u0105czania. Tranzystor bipolarny po przekroczeniu pewnego pr\u0105du bazy nasyca si\u0119. W stanie nasycenia potencja\u0142 kolektora jest ni\u017Cszy od potencja\u0142u bazy (mowa o tranzystorze npn), ponadto pr\u0105d kolektora nie wzrasta wraz ze zwi\u0119kszaniem pr\u0105du bazy lub wzrost ten jest nieznaczny \u2013 nie jest wtedy prawdziwe r\u00F3wnanie opisuj\u0105ce stan aktywny tranzystora IC = \u03B2\u00B7IB. W stanie nasycenia analogiczna zale\u017Cno\u015B\u0107 wygl\u0105da nast\u0119puj\u0105co:"@pl . . . "A Schottky transistor is a combination of a transistor and a Schottky diode that prevents the transistor from saturating by diverting the excessive input current. It is also called a Schottky-clamped transistor."@en . "\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0634\u0648\u062A\u0643\u064A \u0647\u0648 \u0645\u0632\u064A\u062C \u0645\u0646 \u0627\u0644\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0648\u0648\u0635\u0644\u0629 \u0634\u0648\u062A\u0643\u064A \u0627\u0644\u0630\u064A \u064A\u0645\u0646\u0639 \u0627\u0644\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0645\u0646 \u0627\u0644\u062A\u0634\u0628\u0639 \u0639\u0646 \u0637\u0631\u064A\u0642 \u062A\u062D\u0648\u064A\u0644 \u062A\u064A\u0627\u0631 \u0627\u0644\u0625\u062F\u062E\u0627\u0644 \u0627\u0644\u0632\u0627\u0626\u062F. \u0648\u064A\u0633\u0645\u0649 \u0623\u064A\u0636\u064B\u0627 \u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0634\u0648\u062A\u0643\u064A \u0645\u062B\u0628\u062A."@ar . "Schottky-TTL (S-TTL) ist eine Logikfamilie, die eine bestimmte Halbleitertechnologie f\u00FCr integrierte Schaltkreise (ICs) bezeichnet. Sie verwenden f\u00FCr die Transistoren der 2. Stufe (das 2.T bzw. die Push-pull-Stufe), je eine Schottky-Diode als negative R\u00FCckkopplung (vergl. Operationsverst\u00E4rker). Diese Transitoren werden n\u00E4mlich in Common-Emitter-Konfiguration verwendet. Dabei wird normalerweise die Spannung und der Strom invertiert verst\u00E4rkt. W\u00E4hrend die Transistoren f\u00FCr eine steile Flanke zwischen den TTL-Spannungsniveaus sorgen, verhindern die kleinen Dioden mit also geringer Kapazit\u00E4t, dass weit jenseits der hi oder low Spannung \u00FCbergeschwungen wird. Aufgrund der hohen Stromverst\u00E4rkung belastet die R\u00FCckkopplung den Verst\u00E4rker kaum, obwohl nat\u00FCrlich der Leistungsbedarf etwas steigt."@de . . "Transistor Schottky"@ca . . . "Tranzystor Schottky\u2019ego \u2013 tranzystor bipolarny w kt\u00F3rym r\u00F3wnolegle do z\u0142\u0105cza baza-kolektor umieszczono diod\u0119 Schottky\u2019ego w celu zwi\u0119kszenia szybko\u015Bci prze\u0142\u0105czania. Tranzystor bipolarny po przekroczeniu pewnego pr\u0105du bazy nasyca si\u0119. W stanie nasycenia potencja\u0142 kolektora jest ni\u017Cszy od potencja\u0142u bazy (mowa o tranzystorze npn), ponadto pr\u0105d kolektora nie wzrasta wraz ze zwi\u0119kszaniem pr\u0105du bazy lub wzrost ten jest nieznaczny \u2013 nie jest wtedy prawdziwe r\u00F3wnanie opisuj\u0105ce stan aktywny tranzystora IC = \u03B2\u00B7IB. W stanie nasycenia analogiczna zale\u017Cno\u015B\u0107 wygl\u0105da nast\u0119puj\u0105co: S\u00B7IC = \u03B2\u00B7IB, gdzie S > 1 jest wsp\u00F3\u0142czynnikiem nasycenia. Zjawisko nasycenia jest niekorzystne poniewa\u017C powoduje wyd\u0142u\u017Cenie czasu wy\u0142\u0105czania tranzystora. To wyd\u0142u\u017Cenie jest tym wi\u0119ksze im wi\u0119kszy jest wsp\u00F3\u0142czynnik nasycenia. Dlatego w szybkich uk\u0142adach cyfrowych d\u0105\u017Cy si\u0119 do tego, by tranzystory nie wchodzi\u0142y w stan g\u0142\u0119bokiego nasycenia. Jedn\u0105 z metod jest zastosowanie diody Schottky\u2019ego po\u0142\u0105czonej w spos\u00F3b widoczny na schemacie zast\u0119pczym zamieszczonym obok. Poniewa\u017C dioda Schottky\u2019ego ma ma\u0142e napi\u0119cie przewodzenia (ok. 0,3 V), zaczyna przewodzi\u0107 zanim tranzystor wejdzie w stan nasycenia i potencja\u0142 kolektora spadnie poni\u017Cej potencja\u0142u bazy. Przejmuje w ten spos\u00F3b pr\u0105d bazy, kt\u00F3rego wzrost spowodowa\u0142by wi\u0119ksze nasycenie. Taki uk\u0142ad nazywany jest tranzystorem Schottky\u2019ego. Tranzystor\u00F3w Schottky\u2019ego nie spotyka si\u0119 jako elementy dyskretne. S\u0105 realizowane uk\u0142adowo lub w strukturach uk\u0142ad\u00F3w scalonych (serie TTL \u2013 S, TTL \u2013 LS)."@pl . "Transistor Schottky"@it . . . . "Transistor Schottky"@pt . "\uC1FC\uD2B8\uD0A4 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130"@ko . . "\u0422\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0428\u043E\u0442\u0442\u043A\u0438 \u2014 \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043D\u044B\u0439 \u043A\u043E\u043C\u043F\u043E\u043D\u0435\u043D\u0442, \u043F\u0440\u0435\u0434\u0441\u0442\u0430\u0432\u043B\u044F\u044E\u0449\u0438\u0439 \u0441\u043E\u0431\u043E\u0439 \u043A\u043E\u043C\u0431\u0438\u043D\u0430\u0446\u0438\u044E \u0438\u0437 \u0431\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u043E\u0433\u043E \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430 \u0438 \u0434\u0438\u043E\u0434\u0430 \u0428\u043E\u0442\u0442\u043A\u0438."@ru . . . . . . "25087406"^^ . . . . . "\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0634\u0648\u062A\u0643\u064A \u0647\u0648 \u0645\u0632\u064A\u062C \u0645\u0646 \u0627\u0644\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0648\u0648\u0635\u0644\u0629 \u0634\u0648\u062A\u0643\u064A \u0627\u0644\u0630\u064A \u064A\u0645\u0646\u0639 \u0627\u0644\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0645\u0646 \u0627\u0644\u062A\u0634\u0628\u0639 \u0639\u0646 \u0637\u0631\u064A\u0642 \u062A\u062D\u0648\u064A\u0644 \u062A\u064A\u0627\u0631 \u0627\u0644\u0625\u062F\u062E\u0627\u0644 \u0627\u0644\u0632\u0627\u0626\u062F. \u0648\u064A\u0633\u0645\u0649 \u0623\u064A\u0636\u064B\u0627 \u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0634\u0648\u062A\u0643\u064A \u0645\u062B\u0628\u062A."@ar . . "Um Transistor Schottky \u00E9 uma combina\u00E7\u00E3o de um transistor e um diodo Schottky que previne o transistor de saturar por desviar a corrente em excesso na entrada."@pt . . . . "5543"^^ . "\uC1FC\uD2B8\uD0A4 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130(schottky transistor, schottky-clamped transistor\uB77C\uACE0\uB3C4 \uD568)\uB294 BJT\uC640 (schottky diode)\uB97C \uACB0\uD569\uD55C \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130\uC774\uB2E4. \uC1FC\uD2B8\uD0A4 \uB2E4\uC774\uC624\uB4DC\uC5D0 \uC758\uD574 \uACFC\uB3C4\uD55C \uD3EC\uD654\uBAA8\uB4DC\uC758 \uC804\uB958\uAC00 \uD750\uB9AC\uC9C0 \uC54A\uB3C4\uB85D \uB3D9\uC791\uD55C\uB2E4. \uB530\uB77C\uC11C \uC77C\uBC18 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130 \uBE44\uD574 \uACE0\uC18D \uB3D9\uC791\uC774 \uAC00\uB2A5\uD558\uB2E4. \uB17C\uB9AC\uAC8C\uC774\uD2B8 \uB4F1\uC5D0 \uC801\uC6A9\uD558\uC5EC \uBE60\uB978 \uC0C1\uD0DC\uBCC0\uD654\uAC00 \uAC00\uB2A5\uD558\uB3C4\uB85D \uB3D9\uC791\uD55C\uB2E4. \uC758 74S, 74LS\uC5D0 \uB110\uB9AC \uC0AC\uC6A9\uB418\uC5C8\uB2E4."@ko . . . . . . . "A Schottky transistor is a combination of a transistor and a Schottky diode that prevents the transistor from saturating by diverting the excessive input current. It is also called a Schottky-clamped transistor."@en . . "\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0634\u0648\u062A\u0643\u064A"@ar .