| rdfs:comment
| - فرجة الطاقة أو فجوة النطاق أو فجوة الطاقة عبارة عن مجال طاقي في الجسم الصلب لا يمكن للإلكترونات فيه أن توجد. بالنظر إلى مخططات تركيب النطاق الإلكتروني للأجسام الصلبة نجد أن فجوة النطاق تمثل الفرق الطاقي، والذي غالباً ما يعبر عنه بالإلكترون فولت eV، بين أعلى نطاق التكافؤ وأسفل نطاق التوصيل. تبرز خاصة فجوة النطاق في العوازل وأشباه الموصلات حيث تحدد قيمة الفجوة الكثير من الخصائص البصرية والكهربائية للجسم الصلب، أما في الموصلات الكهربائية فإن نطاقي التكافؤ والتوصيل متداخلان، لذلك ليس لديها فجوة نطاق. (ar)
- Als Bandlücke (englisch band gap), auch Bandabstand bzw. verbotene Zone, wird der energetische Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband eines Festkörpers bezeichnet. Dessen elektrische und optische Eigenschaften werden wesentlich durch die Größe der Bandlücke bestimmt. Die Größe der Bandlücke wird üblicherweise in Elektronenvolt (eV) angegeben. (de)
- 응집물질물리학에서 띠틈(band gap 밴드 갭[*]), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말한다. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없다. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있다. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리킨다. 띠틈을 표현할 때 E-k 공간에서 띠틈 주변만 주목하거나, 파수 공간을 무시하고 에너지 준위만을 표현한 그림도 자주 사용된다. (ko)
- バンドギャップ（英語: band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。 ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド（価電子帯）の頂上から、最も低い空のバンド（伝導帯）の底までの間のエネルギー準位（およびそのエネルギーの差）を指す。 E-k空間上において電子はこの状態を取ることができない。バンドギャップの存在に起因する半導体の物性は半導体素子において積極的に利用されている。 バンドギャップを表現する図は、E-k空間においてバンドギャップ周辺だけに着目した図、さらにk空間を無視してエネルギー準位だけを表現した図も良く用いられる。 (ja)
- Bandgapet är inom fasta tillståndets fysik en grundläggande storhet för halvledare och isolatorer. Den anger den minsta mängd energi som krävs för att föra en elektron från de högsta ockuperade tillstånden till de lägsta oockuperade tillstånden, med andra ord avståndet mellan ledningsbandets botten och valensbandets topp. För metaller är denna skillnad noll; banden överlappar varandra. Bandgapet ger en förklaring av elektriska egenskaper som låg konduktivitet och optiska egenskaper som transparens. (sv)
- Заборо́нена зо́на — у зонній теорії кристалів проміжок енергій, в якому не існує делокалізованих одноелектронних станів. Найчастіше цей термін застосовується для проміжку заборонених значень енергії між валентною зоною та зоною провідності в напівпровідниках і діелектриках. (uk)
- 帶隙（band gap）、帶溝，或稱能隙（energy gap）、能帶隙（energy band gap）、禁带宽度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 對一個本質半導體而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階的機率。又假設，是所謂的費米能階，電子佔據的機率可以利用波茲曼近似簡化為： 在上式中，是能隙的寬度、是波茲曼常數，而則是溫度。 半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如异质结双极性晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。 (zh)
- La banda prohibida (en anglès bandgap), a la física de l'estat sòlid i altres camps relacionats, és la diferència d'energia entre la part superior de la banda de valència i la part inferior de la banda de conducció. És present a aïllants i semiconductors. on: I és la funció exponencial Eg és l'energia de banda prohibida k és la constant de Boltzmann T és la temperatura (ca)
- In solid-state physics, a band gap, also called an energy gap, is an energy range in a solid where no electronic states can exist. In graphs of the electronic band structure of solids, the band gap generally refers to the energy difference (in electron volts) between the top of the valence band and the bottom of the conduction band in insulators and semiconductors. It is the energy required to promote a valence electron bound to an atom to become a conduction electron, which is free to move within the crystal lattice and serve as a charge carrier to conduct electric current. It is closely related to the HOMO/LUMO gap in chemistry. If the valence band is completely full and the conduction band is completely empty, then electrons cannot move within the solid because there are no available st (en)
- Ĉe solid-stata fiziko (kaj rilataj aplikitaj kampoj), la benda breĉo estas la energia malsameco inter la supro de la kaj la subo de la ĉe kaj duonkonduktaĵoj. Ofte ĝi nomiĝas "bendbreĉo". Vidu en kaj duonkonduktaĵo por pli detala priskribo de benda strukturo. kie: exp estas la eksponenta funkcioEg estas la bende breĉa energiok estas la konstanto de BoltzmannT estas la temperaturo Benda breĉo kutime malpliiĝas kun pliiĝa temperaturo, en procezo rilata al . Bendbreĉoj povas esti aŭ aŭ . Bendbreĉoj de kelkaj kutimaj materialoj ĉe ĉambra temperaturo: (eo)
- La banda prohibida, brecha de bandas o brecha energética (en inglés bandgap), en la física del estado sólido y otros campos relacionados, es la diferencia de energía entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducción. Esta cantidad se encuentra presente en aislantes y semiconductores, su predicción puede llegar a ser un reto para muchos de los métodos teóricos relacionados con la teoría de bandas. La banda prohibida es una de las primordiales contribuciones en el campo de la mecánica cuántica. donde: (es)
- La banda proibita o energia di gap o band gap di un isolante o di un semiconduttore è l'intervallo di energia interdetto agli elettroni. Ovvero, in un isolante (o semiconduttore non drogato), non può esistere un elettrone, in uno stato stazionario, che abbia un'energia compresa tra gli estremi nella banda proibita. Generalmente la banda permessa di energia inferiore si chiama banda di valenza, mentre quella superiore si chiama banda di conduzione. Il silicio non drogato ha una banda proibita di circa 1,12 eV a temperatura ambiente. (it)
- Przerwa energetyczna, przerwa zabroniona, pasmo zabronione, symbol Eg, Wg – zakres energii elektronów w ciele stałym cechujący się silnym rozpraszaniem elektronów na atomach, co sprawia, że w układzie nie ma elektronów o energii z tego przedziału. (pl)
- De verboden zone, bandkloof of band gap is in de vastestoffysica en materiaalkunde het energieverschil tussen de bovenkant van de valentieband en de onderkant van de geleidingsband in isolatoren en halfgeleiders. De elektrische en optische eigenschappen van een vaste stof worden hoofdzakelijk bepaald door de grootte van de verboden zone. De grootte van de verboden zone wordt meestal gegeven in elektronvolt (eV). en Energiesprong tussen de valentieband en de hoger gelegen geleidingsband van een materiaal: Band gap Eg voor materialen met covalente bindingen: (nl)
- Запрещённая зо́на — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. Данный термин используется в физике твёрдого тела. Ширину запрещённой зоны обозначают (от англ.: g = gap — «промежуток», «зазор») и обычно численно выражают в электрон-вольтах. Как эквивалент термина «запрещённая зона» иногда применяется словосочетание «энергетическая щель»; использовать прилагательное «запретная» вместо «запрещённая» не принято. (ru)
- Nos materiais semicondutores à temperatura de zero Kelvin (zero absoluto), todos elétrons encontram-se na banda de valência. Neste estado o semicondutor tem características de um isolante elétrico. A medida que sua temperatura aumenta, os elétrons absorvem energia passando para a banda de condução. Esta "quantidade" de energia necessária para que o elétron efetue essa transição é chamada de gap de energia (em inglês band gap), ou banda proibida. À medida que a temperatura do semicondutor aumenta, o número de elétrons que passam para a banda de condução também aumenta, passando o semicondutor a conduzir mais eletricidade, caso seja exposto a uma diferença de potencial. (pt)
|
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)