Bipolar transistors must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are used in integrated circuits, for example, bandgap voltage references and current mirrors. The voltage divider configuration achieves the correct voltages by the use of resistors in certain patterns. By selecting the proper resistor values, stable current levels can be achieved that vary only little over temperature and with transistor properties such as β.
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - ترانزستور ثنائي القطب المتحيز (ar)
- Transistorgrundschaltungen (de)
- Bipolar transistor biasing (en)
|
| rdfs:comment
| - Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt. Das ist jene Elektrode, die Eingangs- und Ausgangskreis gemein ist. Im Falle eines Bipolartransistors mit seinen drei Elektroden Emitter, Kollektor und Basis ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Aufgrund ihrer Eigenschaften wird die Kollektorschaltung meistens Emitterfolger genannt. Die Transistor-Grundschaltungen unterscheiden sich prinzipiell in ihren elektrischen Eigenschaften und daher im Verwendungszweck. (de)
- يجب أن تكون الترانزستورات ثنائية القطب متحيزة بشكل صحيح لتعمل بشكل صحيح. في الدوائر المصنوعة من الأجهزة الفردية (الدوائر المنفصلة)، عادةً ما تستخدم الشبكات المنحازة المكونة من المقاومات. تستخدم ترتيبات انحياز أكثر تفصيلاً في الدوائر المتكاملة، على سبيل المثال، مراجع جهد فجوة النطاق ومرايا التيار. يحقق تكوين مقسم الجهد الفولتية الصحيحة باستخدام المقاومات في أنماط معينة. من خلال تحديد قيم المقاوم المناسبة، يمكن تحقيق مستويات تيار مستقرة تختلف قليلاً فقط عن درجة الحرارة الزائدة ومع خصائص الترانزستور مثل β. (ar)
- Bipolar transistors must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are used in integrated circuits, for example, bandgap voltage references and current mirrors. The voltage divider configuration achieves the correct voltages by the use of resistors in certain patterns. By selecting the proper resistor values, stable current levels can be achieved that vary only little over temperature and with transistor properties such as β. (en)
|
| foaf:depiction
| |
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| thumbnail
| |
| has abstract
| - يجب أن تكون الترانزستورات ثنائية القطب متحيزة بشكل صحيح لتعمل بشكل صحيح. في الدوائر المصنوعة من الأجهزة الفردية (الدوائر المنفصلة)، عادةً ما تستخدم الشبكات المنحازة المكونة من المقاومات. تستخدم ترتيبات انحياز أكثر تفصيلاً في الدوائر المتكاملة، على سبيل المثال، مراجع جهد فجوة النطاق ومرايا التيار. يحقق تكوين مقسم الجهد الفولتية الصحيحة باستخدام المقاومات في أنماط معينة. من خلال تحديد قيم المقاوم المناسبة، يمكن تحقيق مستويات تيار مستقرة تختلف قليلاً فقط عن درجة الحرارة الزائدة ومع خصائص الترانزستور مثل β. نقطة تشغيل الجهاز، والمعروفة أيضًا بنقطة التحيز، أو نقطة الهدوء، أو نقطة-Q، هي النقطة الموجودة على خصائص المخرج التي تُظهر DC جهد المرسل والمجمع (Vce) وتيار المجمع (Ic) بدون إشارة إدخال مُطبَّق. (ar)
- Bipolar transistors must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are used in integrated circuits, for example, bandgap voltage references and current mirrors. The voltage divider configuration achieves the correct voltages by the use of resistors in certain patterns. By selecting the proper resistor values, stable current levels can be achieved that vary only little over temperature and with transistor properties such as β. The operating point of a device, also known as bias point, quiescent point, or Q-point, is the point on the output characteristics that shows the DC collector–emitter voltage (Vce) and the collector current (Ic) with no input signal applied. (en)
- Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt. Das ist jene Elektrode, die Eingangs- und Ausgangskreis gemein ist. Im Falle eines Bipolartransistors mit seinen drei Elektroden Emitter, Kollektor und Basis ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Aufgrund ihrer Eigenschaften wird die Kollektorschaltung meistens Emitterfolger genannt. Die Transistor-Grundschaltungen unterscheiden sich prinzipiell in ihren elektrischen Eigenschaften und daher im Verwendungszweck. (de)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
