| rdfs:comment
| - النمو الفوقي (أو التنضيد) يشير إلى طريقة ترسيب طبقة متبلورة منتظمة علي ركازة متبلورة. يستخدم النمو الفوقي في الصناعات القائمة على السليكون مثل صناعة أشباه الموصلات؛ ويعتمد على ضبط مقاومة المادة المترسبة وسمكها ونقاوتها. (ar)
- L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ». (fr)
- 에피택시(epitaxy) 또는 에피택시얼 성장(epitaxial growth)은 결정 기판 위에 방향성을 가진 결정막이 자라는 현상을 말한다. 소자의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 호환성이 있는 결정으로 이루어진 웨이퍼상에 얇은 결정을 성장시키는 것이다. 기판의 결정은 성장되는 물질과 같을 수도 있고 유사한 격자구조의 다른 물질일 수도 있다. 이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정이 성장되는 시드 결정이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 갖는다. 이 기판웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정막을 기르는 기술을 에피택시얼 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다. 이는 기판결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해지며, 성장막의 표면에 적절한 원자를 공급하기 위한 다양한 방법이 사용된다. 이 방법에는 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 용융액으로부터의 성장[액상 에피택시(liquid-phase epitaxy, LPE)], 진공에서의 원자의 증착[분자선 에피택시(molecular beam epitaxy; MBE)] 등이 있다. 이러한 광범위한 성장방법으로 전자 및 광전자소자에 필요한 성질을 갖는 결정을 성장시킬 수 있다. (ko)
- エピタキシャル成長（エピタキシャルせいちょう、英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、などがある。 エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 なお、現在窒化ガリウム（GaN）はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。 (ja)
- L'epitassia (dal greco ἐπί, epì, "sopra" e τάξις, tàxis, "ordinamento, disposizione") è la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di nanometro a centinaia di micron. L'epitassia può definirsi omoepitassia quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure eteroepitassia, quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato. (it)
- Epitaxia refere-se ao método de deposição de uma película monocristalina sobre um substrato monocristalino. A película depositada é denominada como película ou camada epitaxial. O termo epitaxial origina-se das raízes gregas epi, significando "acima", e taxis, significando "de maneira ordenada". Pode ser traduzido como "arranjado sobre". (pt)
- 磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。 外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵時，外延尤其重要。 (zh)
- L'epitàxia es refereix a un tipus de creixement cristal·lí o deposició material en el qual les noves capes es formen sobre un substrat cristal·lí, amb orientacions ben definides respecte a aquest. La pel·lícula cristal·lina dipositada s’anomena capa o pel·lícula epitaxial. L'orientació relativa de la capa epitaxial respecte el substrat cristal·lí es defineix en termes de l'orientació de la xarxa cristal·lina de cada material. Per altra banda, el creixement amorf o multi-cristal·lí segueix una orientació aleatòria dels cristalls. Per aplicacions més tecnològiques s’utilitza l'epitàxia d’un sol domini, que consisteix en el creixement una monocapa amb una única orientació ben definida. (ca)
- Epitaxe je proces, při němž na povrchu podložky (substrátu) roste tenká krystalická vrstva. Krystalická mřížka nově vznikající vrstvy navazuje bezprostředně na krystalickou mřížku substrátu. Termín epitaxe zavedl v roce 1928 L. Royer a pochází z řeckých epi „nad“ a taxis „uspořádaně“. Epitaxní vrstvy se mohou růst z plynných, tekutých nebo pevných prekurzorů (látky, ze kterých chceme růst vrstvu). Jestliže je vrstva ukládána na substrát stejného složení, mluvíme o homoepitaxi, v opačném případě o heteroepitaxi. (cs)
- Epitaxy refers to a type of crystal growth or material deposition in which new crystalline layers are formed with one or more well-defined orientations with respect to the crystalline seed layer. The deposited crystalline film is called an epitaxial film or epitaxial layer. The relative orientation(s) of the epitaxial layer to the seed layer is defined in terms of the orientation of the crystal lattice of each material. For most epitaxial growths, the new layer is usually crystalline and each crystallographic domain of the overlayer must have a well-defined orientation relative to the substrate crystal structure. Epitaxy can involve single-crystal structures, although grain-to-grain epitaxy has been observed in granular films. For most technological applications, single domain epitaxy, whi (en)
- Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn mindestens eine kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) einer Orientierung des kristallinen Substrates entspricht. (de)
- La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados. La epitaxia se refiere al depósito de una sobrecapa cristalina sobre un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato. Hay varios métodos:
* Crecimiento epitaxial en fase vapor.
* Crecimiento epitaxial en fase líquida.
* Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE).
* Química metalorgánica por deposición a vapor (es)
- Epitaxie is een methode om een dunne monokristallijne laag (thin film) aan te brengen op een monokristallijn substraat (onderlaag). De aangebrachte laag wordt een epitaxiale laag genoemd. De term epitaxie komt van de Griekse woorden epi („boven” of „op”) en taxis („geordend”). Heterotopo-epitaxie is een proces dat vergelijkbaar is met hetero-epitaxie, maar waarbij het kweken van de thin film niet tot twee dimensies is beperkt. Het substraat gelijkt hier alleen qua structuur op de materiaal van de thin film. (nl)
- Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa nakładania nowych warstw monokryształu na istniejące podłoże krystaliczne, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N.N. Sheftal z zespołem. Pozwala ona kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej (zarówno typu p, jak i n) i jest to niezależne od domieszkowania podłoża. Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest wykorzystywane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów. (pl)
- Эпитакси́я — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом при более низких температурах (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), то есть ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ, например, так изготавливают интегральные преобразователи со структурой кремний на сапфире), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется . (ru)
- Epitaxi är ordnad tillväxt av en kristallin film på ett kristallint substrat. Epitaxi används ofta för produktion av halvledarmaterial då det ger stor möjlighet att kontrollera kristallstrukturen och den kemiska sammansättningen vilket gör att man får bra kontroll över halvledarens egenskaper. Detta är av stor betydelse för halvledarkomponenter. Det finns flera typer av epitaxi där olika reaktanter används: vätskefasepitaxi, där gasfasepitaxi, och molekylstråleepitaxi. (sv)
- Епітаксія (від грец. επι (епі) — «на» та ταξισ (таксіс) — «впорядкований») — метод осадження монокристалічної плівки на монокристалічну підкладку, при якому кристалографічна орієнтація шару, який осаджують, повторює кристалографічну орієнтацію підкладки. Осаджена плівка зветься епітаксійною плівкою або епітаксійним шаром. (uk)
|
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)