A homojunction is a semiconductor interface that occurs between layers of similar semiconductor material, these materials have equal band gaps but typically have different doping. In most practical cases a homojunction occurs at the interface between an n-type (donor doped) and p-type (acceptor doped) semiconductor such as silicon, this is called a p–n junction. The different doping level will cause band bending, and a depletion region will be formed at the interface, as shown in the figure to the right.
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - Homounió (ca)
- Homojunction (en)
- ホモ接合 (半導体) (ja)
- 동종접합 (ko)
- Homozłącze (pl)
- Гомопереход (ru)
|
| rdfs:comment
| - 동종접합(Homojunction)은 같은 결정 반도체를 접합한 것이다. 이종접합 (heterojunction)과는 다른 성질이 있다. (ko)
- ホモ接合（ホモせつごう、英語：homojunction）とは、同じ半導体同士の接合である。ホモを進化させた構造。 主に、p型ホモフェットとn型ホモフェットに分類される。 近年の半導体技術に期待が高まりつつある。 (ja)
- Homozłącze to złącze p-n, które powstaje w strukturze jednego półprzewodnika (np. krzemu, germanu) rozgraniczając obszar typu p, domieszkowany akceptorami, od obszaru typu n, domieszkowanego donorami. Zobacz też: heterozłącze (pl)
- A homojunction is a semiconductor interface that occurs between layers of similar semiconductor material, these materials have equal band gaps but typically have different doping. In most practical cases a homojunction occurs at the interface between an n-type (donor doped) and p-type (acceptor doped) semiconductor such as silicon, this is called a p–n junction. The different doping level will cause band bending, and a depletion region will be formed at the interface, as shown in the figure to the right. (en)
- Гомопереход — контакт двух областей с разными типами проводимости (или концентрациями легирующей примеси) в одном и том же кристалле полупроводника. Различают переходы типа p—n или n—p, в которых одна из двух контактирующих областей легирована донорами, другая — акцепторами, (n+—n)-переходы (обе области легированы донорной примесью, но в разной степени; знак + означает большую степень легирования) и (p+—p)-переходы (обе области легированы акцепторной примесью). (ru)
|
| foaf:depiction
| |
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| thumbnail
| |
| has abstract
| - A homojunction is a semiconductor interface that occurs between layers of similar semiconductor material, these materials have equal band gaps but typically have different doping. In most practical cases a homojunction occurs at the interface between an n-type (donor doped) and p-type (acceptor doped) semiconductor such as silicon, this is called a p–n junction. This is not a necessary condition as the only requirement is that the same semiconductor (same band gap) is found on both sides of the junction, in contrast to a heterojunction. An n-type to n-type junction, for example, would be considered a homojunction even if the doping levels are different. The different doping level will cause band bending, and a depletion region will be formed at the interface, as shown in the figure to the right. (en)
- 동종접합(Homojunction)은 같은 결정 반도체를 접합한 것이다. 이종접합 (heterojunction)과는 다른 성질이 있다. (ko)
- ホモ接合（ホモせつごう、英語：homojunction）とは、同じ半導体同士の接合である。ホモを進化させた構造。 主に、p型ホモフェットとn型ホモフェットに分類される。 近年の半導体技術に期待が高まりつつある。 (ja)
- Гомопереход — контакт двух областей с разными типами проводимости (или концентрациями легирующей примеси) в одном и том же кристалле полупроводника. Различают переходы типа p—n или n—p, в которых одна из двух контактирующих областей легирована донорами, другая — акцепторами, (n+—n)-переходы (обе области легированы донорной примесью, но в разной степени; знак + означает большую степень легирования) и (p+—p)-переходы (обе области легированы акцепторной примесью). Противоположностью гомоперехода является гетеропереход — контакт двух различных материалов, которые могут быть легированы донорами или акцепторами в любом сочетании. Если не оговорено иное, под переходом подразумевается именно гомопереход. (ru)
- Homozłącze to złącze p-n, które powstaje w strukturze jednego półprzewodnika (np. krzemu, germanu) rozgraniczając obszar typu p, domieszkowany akceptorami, od obszaru typu n, domieszkowanego donorami. Zobacz też: heterozłącze (pl)
|
| gold:hypernym
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
