rdfs:comment
| - يُستخدم منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب لتنفيذ البوابات المنطقية والدوائر الرقمية الأخرى. تعمل ترانزستورات منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب هذه عن طريق إنشاء طبقة عكسية في جسم ترانزستور من النوع p. يمكن لطبقة الانعكاس هذه، التي تسمى القناة n، توصيل الإلكترونات بين محطات «المصدر» و«التصريف» من النوع n. يتم إنشاء القناة n من خلال تطبيق الجهد على الطرف الثالث، الذي يسمى البوابة. مثل وحدات ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات الأخرى، تحتوي ترانزستورات منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب على أربعة أوضاع للتشغيل: القطع (أو العتبة الفرعية)، والثالث، والتشبع (يسمى أحيانًا النشط)، وتشبع السرعة. (ar)
- El NMOS (Negative-channel Metal-Oxide Semiconductor) es un tipo de semiconductor que se carga negativamente de modo que los transistores se enciendan o apaguen con el movimiento de los electrones. En contraste, los PMOS (Positive-channel MOS) funcionan moviendo las valencias de electrones. El NMOS es más veloz que el PMOS, pero también es más costosa su fabricación.Actualmente es el tipo de tecnología que más se usa en la fabricación de circuitos integrados.
* Datos: Q83908
* Multimedia: MOS / Q83908 (es)
- Un circuit logique MOS de type N utilise des MOSFETs (transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur ou MOS) de type n pour fabriquer des portes logiques et autres circuits numériques. Ces transistors nMOS fonctionnent en créant une couche d'inversion dans un transistor à substrat de type p. Cette couche d'inversion, appelée canal n, peut conduire les électrons entre les électrodes "source" et "drain" de type n. Le canal n est créé en appliquant une tension sur la troisième électrode, appelée la grille. Comme les autres MOSFETs, les nMOS ont quatre modes de fonctionnement : bloqué (sous le seuil), linéaire (ou triode), saturation (appelé parfois actif) et saturation en vitesse. (fr)
- La lògica nMOS (nFET Metall Oxide Silicon) usa transistors d'efecte de camp (FET) de metal-òxid-semiconductor (MOS) tipus N per implementar portes lògiques i altres circuits digitals. Transistores nMOS posseeixen tres modes d'operació: cort, tríode i saturació (també denominat actiu). (ca)
- NMOS logika (anglicky N-type metal-oxide-semiconductor) je technologie výroby logických integrovaných obvodů, které pro realizaci logických členů používají unipolární tranzistory s indukovaným kanálem (v obohaceném režimu) typu N. (cs)
- Die NMOS-Logik (von englisch N-type metal-oxide-semiconductor) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient. Als Besonderheit werden dabei ausschließlich so genannte n-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (n-Kanal-MOSFET) verwendet. (de)
- N-type metal-oxide-semiconductor logic uses n-type (-) MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) to implement logic gates and other digital circuits. These nMOS transistors operate by creating an inversion layer in a p-type transistor body. This inversion layer, called the n-channel, can conduct electrons between n-type "source" and "drain" terminals. The n-channel is created by applying voltage to the third terminal, called the gate. Like other MOSFETs, nMOS transistors have four modes of operation: cut-off (or subthreshold), triode, saturation (sometimes called active), and velocity saturation. (en)
- Logika nMOS adalah gerbang logika yang menggunakan transistor efek medan semikonduktor oksida logam (MOSFET) untuk membentuk fungsi gerbang logika dan sirkuit digital lainnya.MOSFET tipe-n disusun dalam bentuk "jaringan pull-down" (PDN) di antara keluaran gerbang logika dan tegangan catu negatif, dimana sebuah resistor diletakkan di antara keluaran gerbang logika dan tegangan catu postif. Sirkuit didesain sedemikian rupa sehingga jika keluaran adalah rendah (logika 0), sirkuit PDN akan aktif, membuat jalan arus antara catu negatif dengan keluaran. (in)
- N형 금속산화물 반도체 논리는 논리 회로와 다른 디지털 회로를 실행하기 위해 n형 MOSFET을 이용한다. NMOS트랜지스터는 차단상태, 선형상태, 포화상태, 속도 포화 상태의 4가지 동작 상태가 있다. N형 MOSFET은 PDN이라고 불리는 배열로 배치되는데, PDN은 논리 게이트 출력과 음 전압원 사이에 N형 MOSFET이 놓이고, 논리게이트 출력과 양 전압원 사이에 저항이 놓이는 배열이다. 회로는 만약 출력값이 낮으면 PDN이 활성화되어 음 전압원과 출력사이에 전류가 흐르도록 하기 위해 설계되었다. 예를 들어, NMOS 논리에 NOR게이트가 있다고 치자. 만약 입력A나 입력B가 높으면(논리1=참), 각각의 MOS트랜지스터는 출력과 음전압원 사이에서 매우 약한 저항으로 작용함으로써 출력갑을 낮게 한다(논리0=거짓). 만약 A와 B가 모두 높으면, 두 개의 트랜지스터는 도체가 되고, 훨씬 더 낮은 저항경로를 만든다. 출력값이 높게 나올 때는 두 개의 트랜지스터가 모두 OFF상태일 때뿐인데, 이때는 입력A와 입력B가 모두 낮아서 NOR게이트의 참값조건을 만족시킬 때이다. (ko)
- La logica NMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo N per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistori NMOS hanno tre modi di operare: in zona di interdizione, in zona di triodo e in zona di saturazione. Tabella della verità di una porta NOR: Inoltre, gli ingressi logici asimmetrici rendono i circuiti NMOS suscettibili al rumore. (it)
- A lógica nMOS (nFET Metal Oxide Silicon) usa transistores de efeito de campo de metal óxido-semicondutor MOSFET tipo-n para implementar portas lógicas e outros circuitos digitais. Transistores nMOS têm três modos de operação: corte, tríodo e saturação (também denominado ativo). (pt)
- МОП (металл-оксид-полупроводник) — один из видов полевого транзистора, в котором управляющий электрод (затвор) отделён от канала слоем диэлектрика, в простейшем случае, диоксида кремния. Транзисторы МОП-структуры лучше других активных полупроводниковых приборов подходили для создания логических БИС и СБИС, и ранний прогресс цифровой техники обусловлен микросхемами на транзисторах с МОП-структурой. В отличие от биполярного транзистора, выходной ток которого управляется входным током, МОП-транзистор, как и другие полевые транзисторы, управляется напряжением, этим он напоминает электровакуумный триод. В зависимости от типа носителей зарядов, МОП-транзисторы могут быть n-канальными или p-канальными, в первых используются электроны, во вторых — дырки. (ru)
- N-МОН (метал-оксид-напівпровідник) логіка — технологія побудови логічних електронних схем, яка використовує МОН польові транзистори N-типу. Існує два типи провідності каналу: n-канальні і p-канальні. Тип провідності визначається типом носія заряду в каналі: електрон або «дірка». Якщо транзистор n-канальний (тип носія електрон):
* він відкривається позитивною напругою на затворі по відношенню до витоку.
* паразитний діод в структурі каналу катодом приєднаний до стоку, анодом — до витоку.
* канал звичайно під'єднують так, що на стоці більш позитивна напруга, ніж на витоку. (uk)
|