p–n junction isolation is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p–n junctions.
p–n junction isolation is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p–n junctions. (en)
Ізоляція напівпровідникових приладів PN-переходом (англ. P-n junction isolation) — одна з трьох фундаментальних технологій, які зробили можливим створення монолітних інтегральних схем. В кристалі, наприклад із кремнію типу p, методом дифузії робляться області типу n, названі «кишенями». У кишенях потім формуються необхідні пасивні та активні елементи, а n-p — перехід між кишенею і кристалом у працюючій інтегральній схемі перебуває під зворотною напругою. (uk)
p–n junction isolation is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p–n junctions. (en)
Ізоляція напівпровідникових приладів PN-переходом (англ. P-n junction isolation) — одна з трьох фундаментальних технологій, які зробили можливим створення монолітних інтегральних схем. В кристалі, наприклад із кремнію типу p, методом дифузії робляться області типу n, названі «кишенями». У кишенях потім формуються необхідні пасивні та активні елементи, а n-p — перехід між кишенею і кристалом у працюючій інтегральній схемі перебуває під зворотною напругою. (uk)